본고에서는 차량 내 운전자 제스처 인식을 위한 웨어러블 디바이스 플랫폼과 차량 시스템 모델을 소개한다. 특히 저가형 가속도, 자이로스코프 센서를 적용한 웨어러블 디바이스용 HW를 설계하고, 제스처 인식률을 높이기 위한 SW 시스템 및 알고리즘에 대해 설명한다. 운전 중 가장 많이 제어하는 편의 기능을 기준으로 제스처를 구분하고, 제스처 마다 발생하는 센서 값의 특징을 이용해 잡음에 강한 제스처 인식 시스템에 대해 설명한다. 마지막에 진행한 본 논문의 실험을 통해 본 고에서 설명한 제스처 인식 시스템이 잡음과 방향성을 갖는 동작인식에 강함을 확인할 수 있다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics S
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v.36S
no.4
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pp.23-31
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1999
본 논문에서는 Ka 밴드 위성시스템에서 가장 큰 신호감쇠 요인으로 작용하는 강우효과를 분석하고 그 보상 방안으로서 계층형 8-PSK 변조방식을 제안하였다. 동기복조를 가정한 이론적인 BER 성능과 국내 강우 데이터에 근거한 예상되는 수신신호 품질을 분석하고 기존의 계층형 16-QAM 변조방식과 제안한 계층형 8-PSK 변조방식간의 성능을 비교하였다. 강우강도 및 강우감쇠는 대수정규 분포함수를 이용하여 추정하고 수신신호 품질은 서비스 중단 확률, 평균 수신 SNR에 대해 분석하였다. 결론적으로 제안한 계층형 8-PSK 변조방식은 기존의 계층형 16-QAM 변조방식과 비교해서 전반적으로 매우 우수한 성능을 가짐을 확인하였다.
By the influence of ageing population, the well-being trend, and the increase of interest in health, people seems to be enjoying sports and outdoor life more. Followed by the change of consumers' life style, the interest in smart clothing grafting scientific technology has increased, and research on this subject is necessary. This study is to develop improved design of band type heating vests by grasping the weak point of currently sold heating vest designed by the manufacturer. Through this process, satisfaction of the consumer and the manufacturer can be increased. The results of this study are as follows: 1) Conducted a demand survey with the manufacturer and wearing evaluation test with the consumer on band type heating vests. 2) Suggested design drafts on band type heating vests for both genders reflecting demand survey results. 3) Conducted consumers' preference survey for design drafts. 4) Made the sample product, and then conducted an evaluation of wearing the actual product. Overall, the wearing test results showed high satisfaction for both genders.
We have examined Raman spectra of cis-peptide model complex, diketopiperazine in water and $D_2O$ with 320 nm through 218 nm excitation. Our study examines assignment of the resonance enhanced amide vibrations and characterizes their enhancement mechanism. Three resonance enhaned cis-peptide marker bands were observed in aqueous solution at 1676, 1533 and $806cm^{-1}$, which were assigned to the cis-amide I, II and S band, respectively. The $1533cm^{-1}$ amide II band, which is almost pure C-N stretching, was most dominant in water and shifted to $1520cm^{-1}$ upon N-deuteration. This band will be probably a potential probe band for cis-peptide moieties in proteins. The excitation profile data and an Albrecht A-term fit indicated that the cis-peptide vibrations derive their intensities from the 188 nm cis-peptide ${\pi}-{\pi}^*$ electronic transition. We Propose that the geometry of cis-peptide ${\pi}^*$ excited state is C-N bond displacement relative to that of electronic ground state.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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v.9
no.2
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pp.1000-1002
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2005
In the Bluetooth piconet in which up to 7 slave devices can be connected simultaneously at one network instance, the wireless data expected to be sent over to the RF interface should be sliced by the unit of 1 micrometer, which is a requirement in the specification of the Bluetooth version 1.1. In this contribution, we have designed a digital low-pass filter which is able to slice the unstable analog signal fed from the RF interface to the Baseband, by the uniform unit of 1 micrometer, and is also capable of removing the possible noise which can be caused by the analog circuit system. The low-pass filter operated well in the various modes of the Bluetooth RF embedded Baseband chip such as sleep mode, normal mode, and high-speed mode at 12MHz, 24MHz, and 48MHz respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.198-198
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2010
전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 Si3N4/HfAlO (3/3 nm)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 제 1 터널 산화막(Si3N4)의 두께를 wet etching 시간 (0, 10, 20 sec)에 따른 메모리 특성을 비교 분석하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.255-255
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2010
전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널 산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 $Si_3N_4$/HfAlO (Hf:Al=1:3)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 터널 산화막의 제 1층인 $Si_3N_4$의 두께를 1.5 nm, 3 nm일 때의 특성을 비교 분석하였다.
Park, Chanhee;Lee, Jonghyung;Lee, Hangil;Kim, Jihun
Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.46
no.2
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pp.127-134
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2019
The aim of this study was to evaluate the compomer cement and resin cement as an orthodontic band cement on zirconia crown. A total of 30 specimens were prepared. Preformed stainless steel crowns and zirconia crowns of upper right second primary molar were used. Orthodontic bands were cemented on stainless steel crowns (Group I, n = 10) and zirconia crowns (Group II, n = 10) with compomer cement. The other bands were cemented on zirconia crowns with resin cement (Group III, n = 10). The tensile loads were applied to band to measure the bond strength. The mean of bond strengths of group I, II and III were 0.79 MPa, 1.09 MPa and 1.56 MPa respectively. Bond strength of group II is significantly higher than group I. There was no significant difference between group II and III. Compomer cement and resin cement containing functional monomers showed favorable bond strength of orthodontic bands.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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