최근 사회적으로 큰 문제로 대두되는 네트워크기반 공격들은 공격 대상 시스템으로 하여금 정상 서비스가 불가능하도록 하는 서비스거부 (분산서비스거부 포함) 공격이 주를 이루며, 이러한 공격에는 기본적으로 패킷의 출발지 IP 주소를 위장하는 IP spoofing 기술이 사용된다. 본 논문에서는 현재까지 상용라우터에 적용되어 있는 IP spoofing 방지 기술과 리눅스시스템에서 제공하는 IP spoofing 방지 기술 그리고 연구논문으로 제시된 IP spoofing 방지 기술을 분석하고, 이를 토대로 IP spoofing 기술을 사용한 공격자의 패킷을 초기에 차단하는 IP spoofing 방지 라우터 프레임웍을 제안한다.
RFID 시스템에서는 리더가 다수의 태그를 읽는 다중접속방식(Multi-access Mode)을 이용하므로 태그간 충돌이 발생한다. 또한 넓은 면적에서 다수의 리더가 태그를 읽을 때에는 리더간의 충돌도 발생한다. 이러한 충돌은 RFID 시스템의 효율에 큰 영향을 미치므로, 효과적인 충돌방지 알고리즘이 요구된다. 현재 RFID의 충돌방지 알고리듬은 REID 시스템의 효율과 직결되기 때문에 공개를 꺼리고 있어 많은 자료를 구할 수는 없으나, 본고는 RFID 시스템의 다중인식 기술 및 태그의 충동방지 알고리즘 그리고 리더의 충돌방지 알고리즘 중 널리 알려진 것을 소개한다.
본 논문에서는 컴퓨터 통신망에 관련된 범죄를 유형별로 구분하고 이에 대한 기술적 방지대책을 구체적으로 제시한다. 본 논문은 컴퓨터 범죄를 경험적 기준에 의하여 구분하며 방지대책과의 관계도 분석한다. 기술적 방지대책으로 전형적인 OSI 참조모델에 기초한 보호모델 구조와 컴퓨터 범죄의 각 유형에 대해서 대처할 수 있는 보호 서비스 및 메카니즘 그리고 적용 가능한 계층을 종합적으로 분석 제시한다. 또한 보호메카니즘을 구현하는데 사용되는 대표적 보호알고리듬의 수행시간에 관해서도 기술한다.
다양한 분야에서 확산 방지막은 소자의 신뢰성 향상에 중요한 역할을 하고 있다. 최근 반도체에 적용되기 시작한 구리 배선 형성 공정에서도 실리콘이나 실리콘 산화막으로 구리가 확산하는 것을 방지하는 기술이 중요한 부분을 차지하고 있다. 기존 physical vapor deposition (PVD)법을 이용한 $TaN_x$ 확산 방지막 형성 기술이 성공적으로 적용되고 있으나 반도체의 최소선폭이 지속적으로 감소함에 따라 한계에 다다르고 있다. 20 nm 급과 그 이하의 구리 배선을 위해서는 5 nm 이하의 매우 얇고 높은 피복 단차율을 가진 확산 방지막 형성 기술이 요구된다. 또한, 요구 두께의 감소에 따라 더 우수한 확산 방지 특성이 요구된다. Atomic layer deposition (ALD)은 박막의 정교한 두께 조절이 가능하며 높은 종횡비를 가지는 구조에서도 균일한 박막 형성이 가능하다. 이번 연구에서는 다른 질소 함량을 가진 $TaN_x$ 박막을 Tertiarybutylimido tris (ethylamethlamino) tantalum (TBITEMAT) 전구체와 $H_2+N_2$ 반응성 플라즈마를 사용하여 plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) 법으로 형성하였다. 박막 내질소 함량에 따라 $TaN_x$의 상 (phase)과 미세구조 변화가 관찰되었고, 이러한 물성의 변화는 확산 방지 특성에 영향을 주었다. TEM (Transmission electron microscopy)과 SEM (scanning electron microscope), XPS (x-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 $TaN_x$의 물성을 분석하였고, 300 도에서 700 도까지 열처리 후 XRD (x-ray deffraction)와 I-V test를 통해 확산 방지막의 열적 안정성이 평가되었다. PEALD를 통해 24 nm 크기의 trench 기판 위에 약 4 nm의 $TaN_x$ 확산 방지막이 매우 균일하게 형성할 수 있었으며 향후 구리 배선에 효과적으로 적용될 것으로 예상된다.
전자우편(e-mail)은 매우 편리한 통신수단임에도 불구하고 무분별한 광고성 스팸메일(spam mail)의 침입과 타인의 메일을 가로채거나 변조가능성 등의 부작용 및 역기능으로 신뢰성에 문제가 되고 있다. 특히 기존의 스팸 방지 기술인 발송/수신 단계 스팸 방지 기술은 아직까지 스팸을 완벽하게 차단하지 못하고 있다. 따라서 본 논문에서는 기존의 스팸 방지 기술을 이용하여 1단계 차단을 거친 후 사용자 참여를 이용한 검증 시스템을 개발함으로써 스팸 차단 효율을 향상시키고자 한다.
오늘날 우리나라가 당면하고 있는 심각한 환경오염을 해결하기 위해서 여러 산업분야에서 다양한 형식과 규모의 방지기술을 필요로 한다. 그렇다면 국내환경산업은 과연 우리 사회가 필요로 하는 방지기술을 독자적으로 생산, 공급 할수 있는 충분한 기술역량을 보육하고 있는 것일까. 만약 우리의 기술적 역량이 부족해서 외국의 방지산업에 의존할 수 밖에 없다면 우리는 어떻게 대응하여야 할 것인가. 환경산업이 국내는 물론 해외진출까지 가능한 충분한 능력을 구축하는 일은 중요하고도 시급한 과제라고 할 때 이를 달성하기 위해 반드시 필요로 하는 높은 수준의 과학기술의 역량은 과연 어떻게 육성되어야 하는 것일까\ulcorner 이런 점에 촛점을 맞추어 고찰해보고자 한다.
실리콘 반도체의 Ultra large scale integration (ULSI) 기술 및 소자의 나노스케일화에 따라 배선 금속 물질로 사용하던 알루미늄 보다 낮은 비저항을 가지면서 금속의 전자이동효과에 잘 견딜 수 있는 차세대 배선 물질로서 구리가 큰 주목을 받고 있다. 하지만 구리의 경우, 높은 확산성을 가지기 때문에 열처리 과정에서 구리 실리사이드가 형성되는 등 소자의 신뢰성 및 성능을 감소시키므로, 이를 방지하기 위한 확산 방지막이 필요하다. IC의 배선에서 사용되는 기존의 확산 방지막은 Ta, TaN, TiN, TiW, TaSiN 등으로, 대부분 금속으로 이루어져 있기 때문에 증착 장비를 이용하여 두께를 조절하는 기술, 박막의 질을 최적화 하는 과정이 필요하며, 증착 과정 중에서 불순물이 함께 증착되거나 실리사이드가 형성되는 등의 단점을 가진다. 구리 기반의 배선 물질에서 문제될 수 있는 또 한가지의 이슈는 소자의 나노스케일화에 따른 배선 선폭의 감소로 인하여 확산 방지막 두께 또한 감소되어야 하는 것으로서, 확산 방지막의 두께가 감소함에 따른 방지막의 균일성 감소, 연속성 등이 큰 문제로 작용할 수 있어 이를 해결하기 위한 새로운 기술 또는 새로운 확산 방지막 물질의 개발이 시급한 실정이다. 본 연구에서는 구리/실리콘 구조에서 금속의 실리콘 박막 내로의 확산 및 실리사이드 형성을 방지하기 위하여 그래핀을 확산 보호막으로서 사용하였다. 그래핀은 화학기상증착법을 이용하여 한 겹에서 수 겹으로 성장되었으며, PMMA 물질을 이용하여 실리콘 기판에 전사되었다. 구리/그래핀/실리콘 구조의 샘플을 500 ~ 800도의 온도 범위에서 열처리 하였고, 구리 실리사이드 형성 여부를 XRD로 분석하였다. 또한 TEM 분석을 통해 구리 실리사이드의 형성 모양을 관측하였다.
본 연구는 1990년대부터 국내에서 처음으로 시작된 폐광산 지역 지반침하방지기술을 정리하고 향후 지반침하방지기술의 발전방향을 모색해보고자 하였다. 먼저 지반침하의 개념을 정리하고, 지반침하 조사기술, 안정성 평가기술, 보강기술, 계측기술 등 각각의 적용기술을 설명하였다. 현재의 어려운 사업상황을 극복하고 지반침하방지 기술을 발전시켜 나가기 위하여서는 먼저 현재까지 개발된 기술을 통합정리 하고, 공공기관과 민간전문 사업자가 상호 긴밀히 협력하여야 한다. 그동안 다양한 시행착오를 거쳐 발전된 기술을 터널굴착, 토목기반시설물 건설, 지하 환경영향 평가 등과 같은 관련 산업분야에 적용하여 사업영역을 확장해 나가는 것이 필요하다. 또한 좁은 국내시장을 벗어나 그동안 축적된 기술로 해외시장을 개척하여 나아가야 할 것이다.
최근 사회의 일렉트로닉스화와 정보화의 급속한 진전에 따라 전력회사는 과거 어느때 보다도 더욱 양질의 전력을 공급할 의무를 국민들로부터 요구받고 있고 이에따라 전력공급설비에 있어서의 정전고장을 미연에 방지할 고도의 과학적이고 신속정확한 미연에 방지할 고도의 과학적이고 신속정확한 일상보수점검을 필요로 하게 되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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