이 연구의 목적은 밀도측정 및 수분함량측정용 RI 계기의 개발에 있다. 방사성동위원소를 이용하여 성토시공의 현장다짐 밀도 및 수분함량 측정에 이용되곤 있는 RI 계기는 중성자 검출부분, 감마선 검출부분, 고전압 공급부분, 마이크로 컴퓨터 부분으로 크게 나눌 수 있다. 감마선을 검출하는 G-M 검출기는 그 특징으로 인해 방사선검출 전기회로가 간단하다. 그러나 열중성자를 검출하는 He-3 검출기는 검출기에서 발생하는 신호원이 매우 작아서 검출회로의 상호 간섭으로 인한 전기적 잡음이 발생한다 이 잡음을 제거하는 것이 He-3 중성자 검출기로 열중성자를 검출하는데 중요한 문제이다. 본 연구에서 제작하는 RI 계기는 원자력법에서 제한하는 방사능 이하를 (100$\mu$Ci 의 밀봉선원) 사용하므로 종래의 RI 계기에 비해 방사선의 검출수가 줄어든다. 이에 따라 검출기의 개수를 늘려서 방사선을 검출해야 한다. 또한 본 연구에서는 He-3검출기의 검출 스펙트럼을 분석하여 적정한 방사선 검출 측정영역을 결정하였다.
본 연구에서는 엑스선 증감지와 광센서, 마이크로컨트롤러(MCU)를 이용하여 휴대와 이동이 용이한 교육용 방사선검출기를 제안하였다. 광센서와 증감지로 이루어진 검출부와 마이크로컨트롤부로 간단하게 구성되어 제작이 쉽고 소형화 및 휴대형으로 적합하게 제작되었다. 검출기의 성능 확인을 위해 전압을 50에서 100 kVp까지 변경하며 검출시스템과 흡수선량계를 이용하여 방사선을 측정하였다. 관전류량은 100 mAs, SDD는 100 cm로 고정하였고 각 관전압에서 10회 반복 측정하였다. 측정값을 이용하여 검출기의 응답과 선형성을 확인하였다. 검출기와 흡수선량계의 측정결과 비교에서 높은 상관성(r:0.998, p<.001)을 보임을 확인하였다. 이러한 결과를 통하여 본 연구에서 제안된 증감지와 마이크로컨트롤러 기반의 검출기의 사용가능성을 확인할 수 있었으며, 휴대형 방사선검출시스템이 소형, 저가형, 휴대형 시스템으로 교육용으로 적용이 가능할 것으로 판단되었다.
본 논문에서는 고정도의 방사선 측정이 가능한 능동형 전자선량계를 제작하기 위해 필수적으로 요구되는 반도체 방사선 검출기를 ASIC으로 구현하였다. 이는 전자선량계의 소형화와 저소비전력을 실현할 수 있도록 전치증폭기와 성형증폭기를 일체화한 것으로 방사선과 방사선 검출 소자인 상용 핀 포토다이오드의 상호작용으로 생성된 수 [nA]의 전류펄스를 측정할 수 있다. MOSIS 공정을 통하여 ASIC으로 구현된 방사선검출기는 $10{\mu}Ci$의 ${\gamma}$-선 Ba-133, Cs-137 및 Co-60의 세 핵종에 대하여 방사선 조사시험을 수행하여 구현된 방사선 검출기의 유용성을 입증하였다.
현재 주로 사용되고 있는 디지털 방사선 검사용 검출기는 평면형의 구조를 가진 검출기로 이루어져 있어 곡률을 가진 검사 대상물의 디지털 방사선 검사 시 완전한 밀착이 불가능 하였다. 본 연구는 산업현장에서 배관 용접부를 대상으로 한 디지털 방사선 투과 검사 시 디지털 영상의 상질 개선을 위하여 곡률에 밀착이 가능한 커브드 형태의 검출기를 제작하였고, 공칭 두께가 각기 다른 6" 배관을 대상으로 평면형 검출기와 커브드 검출기를 사용한 디지털 방사선 영상을 획득하였다. 실험 결과, 평면형 검출기는 배관과 완전한 밀착이 되지 않아 배관 외곽부와 검출기 사이의 틈이 생기게 되고, 이로 인해 불선명도 차이가 생기면서 디지털 영상의 확산이 발생하는 것을 확인하였다. 반면, 커브드형 검출기는 배관 외곽부와 검출기 사이의 틈을 최소화 하여 평면형 검출기에 비해 디지털 영상의 확산이 적은 것을 확인하였다. 영상의 확신이 클수록 상질의 저하 및 판독의 오류가 발생할 수 있기 때문에 검사 대상물과 밀착이 가능한 검출기의 사용시 기존 평면형 검출기 보다 양질의 영상을 획득 가능할 것으로 사료된다.
방사선검출기에 사용되는 다이아몬드는 그 비저항이 $10^{12}[{\Omega}m]$로 매우 크기 때문에 고전압 하에서도 누설전류가 매우 작아 실리콘과 달리 p-n접합을 하지 않고 바로 고전압을 걸 수 있는 이점이 있다. 또한 절연파괴 전압이 매우 크기 때문에 이동속도가 포화되는 전압까지 올릴 수 있다. 이 결과 다이아몬드 내에서의 전하 이동속도는 실리콘의 최대속도보다 약 20배 정도 빠르다. $200[{\mu}m]$ 두께의 박막을 통해 전하가 모두 수집되는 시간은 불과 1[ns] 정도이다. 이상과 같이 독특한 다이아몬드의 성질을 이용하여 방사선검출기에 사용되는 물질로 파고계수형 전리조나 분광계, 열형광선량계, 형광검출기 그리고 핵방사선검출기 등에 사용된다. 본 연구에서는 마이크로파 플라즈마 CVD법으로 $CH_4-H_2-O_2$계로부터 몰리브덴기판 위에 100시간 동안 성장시킨 결과 약 $100[{\mu}m]$의 두께를 가진 결정성이 좋은 방사선검출기용 다이아몬드막을 성장시킬 수 있었고, X-선 방사선량에 따른 방사선검출기의 전류파형을 측정한 결과 방사선량에 따라 전류가 증가됨을 알 수 있었다.
최근 선형가속기를 이용한 방사선치료는 세기조절방사선치료, 정위적방사선치료 등이 널리 사용되고 있다. 이러한 방사선 치료기법은 일반적으로 역방향치료계획을 사용함으로써 소조사면을 제외하기 어렵다. 그러므로 소조사면의 선량특성에 관한 정확한 측정이 필요하다. 따라서 유효체적이 서로 다른 검출기를 이용하여 소조사면에 대한 깊이선량백분율, 빔측면도, 그리고 선량출력계수를 측정하여 각 검출기의 선량특성 평가하고자 하였다. 실험 결과 X-선 6 MV에너지에 대한 빔선질($PDD_{20}/PDD_{10}$)은 $10{\times}10cm^2$에서 Diode 검출기는 Pinpoint 검출기에 비해 2.4%로 높았다. 모든 조사면에서 유효체적이 작은 Diode 검출기가 다른 검출기들과 50%이상 작은 반음영을 보여 공간분해능이 우수한 것으로 평가되었다. 출력선량계수는 조사면 $2{\times}2cm^2$에서 Semiflex 검출기 다른 검출기에 비해 2%정도 적게 측정되기 시작해서 조사면 $1{\times}1cm^2$에서는 20%정도 차이를 보이며 유효성이 없는 것으로 판단된다. 조사면 $1{\times}1cm^2$에서 Diode 검출기와 Pinpoint 검출기의 측정값은 13%정도 차이를 보였다. 조사면 $3{\times}3cm^2$이하에서는 검출기의 유효체적에 따른 출력선량계수의 차이가 크므로 가능한 유효체적이 작은 검출기를 사용해야 될 것으로 사료된다.
본 연구는 방사선 검출용 플라스틱 섬광체 검출기의 검출효율을 높이기 위한 섬광체 연마에 관한 연구이다. 플라스틱 섬광체를 이용한 검출기를 제작하여 4단계의 연마 과정으로 섬광체 절단면에서 광손실을 감소시켰다. 이때 연마단계와 검출 효율에 대한 상관관계를 구하여 검출 특성을 평가하였다. 연마단계에 따른 검출 효율을 측정한 결과 연마하지 않은 섬광체와 비교하여 4단계의 연마 과정을 모두 연마한 섬광체를 이용한 검출기의 검출 효율이 최대 7.57배 증가하는 것을 확인하였고 각 단계 별로 연마한 섬광체를 이용하여 제작한 검출기에서도 방사선의 세기, 거리, 위치에 대한 검출 특성에서도 연마하지 않은 섬광체에 비하여 좋은 검출 특성을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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