• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.10 no.1 s.33
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• pp.1-6
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• 2005

White light emission is very important for applying electroluminescent device to full display, backlight and illumination light source. In this letter, Multilayer molecular organic white-light-emitting device using thin nim of blue material nitro-DPVT with fluorescent dye Rubrene for an orange emission were fabricated. The basic structure of the fabricated device is a-NPD / nitro-DPVT / nitro- DPVT:Rubrene / BCP/ Alq3. Aluminum is used as the cathode material and ITO was anode material. The white light emission spectrum covers a wide range of the visible region and the Commission Internationale do I'E clairage (C.I.E.) coordinates of the emitted light was ((0.3347, 0.3515) at 14V. The turn voltage is as low as 2.5V and quantum efficiencies are $0.35\%$.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.3
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• pp.315-319
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• 1999

Properties of both photoluminescence and long-phosphorescent for Eu, Dy-codoped $SrAl_2O_4$ powder phosphor synthesized by solid reaction method were investigated by PL instrument. Two intense peaks in the emission spectrum measured at 10 K are observed near 450 nm (2.755 eV) and 520 nm (2.384 eV) wavelength, but at 300 K the main peak of 520 nm wavelength is presented. After the removal of light excitation (360 nm), the excellent after-glow characteristic of the phosphorescence were obtained as a result of low decay tiem, although the after-glow intensities of phosphor vary exponentially with the times.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.6 no.4
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• pp.564-570
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• 1996

We have observed the red and blue luminescence from porous silicon (PS) without any rapid thermal oxidation. Aged porous silicon specimens prepared in dilute HF concentration, especially for the short duration of etching, display the increase of the blue band. The measured luminescence decay time at room temperature exhibits a decay time of about 100 ps and shows appreciably faster decay time than that of 20 K. No photoluminescence (PL) peak maximum shift is observed for the blue PL band at 77 K. However, the red PL band shows the blue shift and displays yellow luminescence at 77 K. The origin of red luminescence has some properties related to Si crystallites, whereas blue luminescence seems to be associated other than Si crystallites.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.54 no.2
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• pp.274-277
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• 2016

Effects of interlayer insertion between multi-quantum well and electron blocking layer of green light emitting diode on diode performances were studied by device simulation. Dependence of Mg doping depth on characteristics of current-voltage, emitting wavelength, leakage current, and external quantum efficiency was investigated, and the optimum diode structure was presented. Device structures with interlayers doped in entire region and up to 30 nm showed remarkable reduced leakage current and effectively relieved efficiency droop which is one of the biggest challenges in green light emitting diode. Furthermore, the most improved characteristics in current-voltage and electroluminescence was obtained by the latter structure.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.177-180
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• 2004

발광층에 Alq3와 rubrene을 mixed host로 사용하고 DCJTB를 형광 dopant로 사용한 다층 박막 구조의 red OLEDs를 제작하였다. 소자의 구조는 $ITO:Anode(120nm)/{\alpha}-NPD:HTL(40nm)/Alq_3+Rubrene(mixed\;host\;1:1)+DCJTB(red\;dopant\;3%)+:EML(20nm)/Alq_3:ETL(40nm)/MgAg(Mg\;5%\;wt):Cathode(150nm)$ 로서 EML내부에 DCJTB를 Totally Doping Method와 Dotted-Line Doping Method의 두 가지 방법으로 도핑 하였다. Mixed host구조에 DCJTB를 6구간으로 나누어 Dotted Line Doping한 소자는 luminance yield가 $9.2cd/A@10mA/cm^2$ 이었다. 이 소자는 DCJTB만을 Totally Doping한 소자의 luminance yield $3.2cd/A@10mA/cm^2$에 비해 약 190%정도의 높은 효율 향상을 보였다. 또한 $10mA/cm^2$에 도달하는 전압은 5.5V Vs. 8.5V로서 mixed host를 사용한 소자에서 약 3V정도 구동전압이 낮아지는 효과가 있었다. 발광 스펙트럼의 Full Width Half Maximum(FWHM)은 각각 56.6nm와 61nm로서 rubrene을 mixed host로 사용한 소자에서 높은 색 순도를 얻을 수 있었다. 이러한 성능의 향상은 $Alq_3$와 혼합된 rubrene에 의한 낮은 전하주 입장벽, 높은 전류밀도에서 나타나는 발광감쇄현상의 감소, 그리고 발광층의 DLD구조에 의한 전하의 trap & confinement 에 따른 발광 exciton의 형성확률이 증가한데서 나타났다고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.193-196
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• 2005

유기발광소자의 발광층의 두께에 따른 임피던스의 변화를 살펴보았다. 임피던스는 두께에 따라 저항의 변화에 따른 의존성을 보이며, 그에 따른 임피던스와 Cole-Cole 반원의 변화, 두께에 따른 $1/\tau$ 의 변화를 살펴보았다. 발광층의 두께는 각각 100, 200, 300 nm의 두께로 열증착하여 실험하였고, 소자의 구조는 $ITO/Alq_3/Al$의 구조로 측정 하였다. 유기발광소자의 발광층인 $Alq_3$의 두께가 증가함에 따라 임피던스의 크기가 증가하고, 위상각의 크기는 100nm의 경우 0V에서 용량성을 보이다가 6~10V까지 부성저항특성을 나타낸 후 약 22V에서 저항성을 나타내고, 200과 300 nm의 경우 12V까지 용량성을 나타내다 이후 22V 근방에서 $0^{\circ}$에 가까워지며 저항성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 또한 두께에 따른 Cole-Cole 반원을 살펴보면 두께가 증가할수록 반원의 크기가 증가하는 것을 알 수 있으며, 이를 통해 간단한 등가회로를 예측할 수 있었다. 그리고 벌크내의 용량성$(C_p)$을 측정하여 두께의 증가에 따라 $C_p$ 값이 감소하는 것을 알 수 있었다.

• Polymer(Korea)
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• v.35 no.4
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• pp.314-319
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• 2011

The syndiotactic and atactic poly (2-N-carbazoylrnethyl) styrenes were obtained by a half-titanocene catalyst and a radical initiator for the investigation of photophysical properties, especially excimer formation. The atactic polymer exhibited only monomer emission, but the syndiotactic polymer showed both excimer emission and monomer emission resulting from the partial overlapping arrangement of carbazole pendants, The emission band of syndiotactic polymer was considerably dependent on solution concentration and temperature, however atactic polymer was independent because the excimer formation of syndiotactic helical conformation was more favorable than that of the random coil conformation of atactic polymer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.425-426
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• 2013

IIIN계 물질 기반의 광 반도체는 직접 천이형 넓은 밴드갭 구조를 갖고 있기 때문에 적외선부터 가시광선 및 자외선까지를 포함한 폭 넓은 발광파장 조절이 가능하여 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있다. 일반적인 청색 및 녹색 발광영역의 활성층으로는 InGaN/GaN 다중양자우물구조를 사용하고 있으나, 장파장의 녹색 발광을 얻기 위해서는 인듐의 함유량이 증가하여야 한다. 하지만, 인듐의 함유량이 증가함에 따라서 InGaN/GaN 다중양자우물 구조내에서 인듐의 편석현상의 발생이 용이하게 되어 계면 특성을 저하할 뿐 아니라, 비발광 센터를 증가하여 발광 효율을 급격히 감소시키는 원인이 되고 있다. 또한, InGaN과 GaN의 큰 성장온도의 차이에 따라 800도 부근의 저온 영역에서 성장된 InGaN층이 1,000도 이상의 고온 영역에서 GaN층이 성장시 InGaN층의 열화 현상이 급격히 발생되고 있다. 이를 억제하기 위해서 금속유기화학증착법의 성장 변수 최적화, 응력제어, 도핑 등의 편석 억제기술 및 보호층이 사용되고 있다. 본 연구에서는 인듐함유량이 증가된 녹색 InGaN/GaN 다중양자우물구조에서 InGaN 우물층 상하부에 도입된 GaN 보호층에 따라 발생되는 양자우물구조의 광학 및 결정학적 특성 분석을 통해 GaN 보호층의 역할을 분석하고자 한다. 본 연구에서는 금속유기화학증착장치를 이용하여 사파이어 기판위에 GaN 템플릿을 성장하고, n-형 GaN, InGaN/GaN 다중양자우물구조 및 p-형 층을 성장하였다. 앞선 언급하였듯이, InGaN/GaN 다중양자우물구조내에 GaN 보호층의 역할을 규명하기 위하여 샘플 A의 경우는 보호층이 전혀 없는 구조이고, 샘플 B의 경우는 InGaN 우물층의 상단부에만, 샘플 C의 경우에는 우물층 상부 및 하단부 모두에 약 2.0 nm 두께의 GaN 보호층을 형성하였다. 이 보호층의 유무에 따른 다중양자우물구조의 계면 특성을 확인하기 위한 X-선 회절을 이용하였고, 광학적 특성을 확인하고 상온 포토루미네선스법을 이용하여 녹색 발광 파장의 변화 및 발광세기를 관찰하였다. 우선적으로, 상온 포토루미네선스법을 이용하여 각 샘플의 발광특성을 확인한 바 상하부 모두에 GaN 보호층이 존재하는 샘플 C의 경우 약 510 nm 부근에서 발광이 관찰되었지만, 상단부에 GaN 보호층이 존재하는 샘플 B는 약 495 nm영역에 발광이 확인되었다. 특히, 전혀 보호층이 존재하지 않는 샘플 A의 경우 약 440 nm에서 발광하는 현상을 관찰하였다. 이는 우물층 상단부 및 하단부에 존재하는 GaN 보호층이 In의 확산을 억제하는 것으로 판단된다. 또한, 발광파장 및 세기를 확인한 바, 보호층의 존재하지 않을수록 단파장화가 발생함에도 불구하고 발광세기는 급격히 약해지는 것으로 보아 계면특성이 저하되어 비발광센터가 증가되는 것으로 판단된다. 이를 구조적으로 확인하기 위하여 X-선 회절법을 통한 ${\omega}$/$2{\Theta}$ 스캔의 결과는 In의 0차 피크가 GaN 보호층이 없을 경우 GaN의 피크 방향으로 이동하는 것으로 보아 GaN 보호층은 우물층 성장 후 GaN 장벽층을 성장하기 위해 온도를 증가시키는 과정에서 In의 확산되는 것으로 판단된다. 또한, 하부 GaN 보호층의 경우 GaN 장벽층 성장 후 온도를 감소시키는 과정에서 성장되므로, 우물층으로부터 In의 탈착현상이 아닌 장벽층과의 상호 확산으로 판단된다. 또한, 계면특성을 확인하기 위해 InGaN의 X-선 위성 피크를 확인한 바 샘플 A의 경우 매우 넓고 약한 피크가 관찰된 반면, 보호층이 존재하는 샘플 B와 C의 경우 강하고 얇은 피크가 확인되었다. 이는 GaN 보호층의 도입으로 인해 계면특성이 향상되는 것으로 판단된다. 따라서, 우리는 InGaN/GaN 다중양자우물구조에서 GaN 보호층은 상부의 열화 억제 뿐아니라, 하부의 장벽층 및 우물층 사이의 상호확산을 억제하는 GaN 보호층의 도입을 통하여 우수한 계면 특성 및 비발광센터의 억제를 얻을 수 있을 것으로 생각되며, 이는 향후 GaN계 발광다이오드의 전계 발광특성을 증가하여 우수한 발광소자를 개발할 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korea Society for Simulation Conference
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• 2002.05a
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• pp.125-129
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• 2002

실시간 운영체제(Real-Time Operating System: 이하 RTOS라 함) 개발환경에서 제공하는 도구 중에 하나인 RTOS 시뮬레이터는 타겟 하드웨어가 호스트에 연결되어 있지 않아도 호스트에서 응용프로그램의 개발과 디버깅을 가능하게 해주는 타겟 시뮬레이션 환경을 제공해 줌으로서, 개발자로 하여금 빠른 시간 내에 응용프로그램을 개발할 수 있도록 지원하며 하드웨어 개발이 완료되기 전에도 응용프로그램을 개발할 수 있게 해 준다. 그러한 이유로 현재 대부분의 상용 RTOS 개발환경에서는 RTOS 시뮬레이터를 제공하고 있다. 그러나 현재 상용 RTOS 시뮬레이터들은 대부분 RTOS의 기능적인 부분들만 호스트에서 동작하도록 구현되어 있어서 RTOS나 RTOS 응용프로그램이 실제 타겟에서 실행될 때의 실질적인 시간 추정이 불가능하다. 이러한 문제점은 실시간 시스템이 정해진 시간 내에 결과를 출력해야 하는 시스템임을 감안한다면 RTOS 시뮬레이터의 가장 큰 결점이 되기 때문에 실행시간 추정 기능을 가지면서 실용화도 가능한 RTOS 시뮬레이터가 필요하다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하여 RTOS와 RTOS 응용프로그램이 실제 타겟에서 처리될 때의 실행시간 추정이 가능하고 상용화가 가능한 기계 명령어 기반(machine instruction-based)의 RTOS 시뮬레이터를 연구 개발하였다. 나아가 실행시간의 주요 요소인 파이프라인과 캐쉬의 영향도 고려함으로서 실행시간 추정의 정확도를 향상시켰다 본 연구에서 사용된 RTOS는 한국전자통신연구원(ETRI)에서 2000년에 개발된 Q+이고, Q+가 동작하는 타겟 하드웨어는 ARM 계열의 StrongARM SA-110 마이크로프로세서와 21285 주제어기가 장착된 EBSA-285 보드이다. 측정하면서 수행하였다. 검증 결과 random 상태에서는 문헌자료에 부합되는 예측결과를 보여주었으나, intermediate와 constant 상태에서는 문헌보다 다소 낮은 속도를 보여주었다 이러한 속도차는 추후 현장 데이터를 수집하여 보다 실질적인 검증을 통하여 조정되어야 할 것으로 판단된다.지발광(1.26초)보다 구애발광(1.12초)에서 0.88배 감소하였고, 암컷에서 정지발광(2.99초)보다 구애발광(1.06초)에서 0.35배 감소하였다. 발광양상에서 발광주파수는 수짓의 정지발광에서 0.8 Hz, 수컷 구애발광에서 0.9 Hz, 암컷의 정지발광에서 0.3 Hz, 암컷의 구애발광에서 0.9 Hz로 각각 나타났다. H. papariensis의 발광파장영역은 400 nm에서 700 nm에 이르는 모든 영역에서 확인되었으며 가장 높은 첨두치는 600 nm에 있고 500에서 600 nm 사이의 파장대가 가장 두드러지게 나타났다. 발광양상과 어우러진 교미행동은 Hp system과 같은 결과를 얻었다.하는 방법을 제안한다. 즉 채널 액세스 확률을 각 슬롯에서 예약상태에 있는 음성 단말의 수뿐만 아니라 각 슬롯에서 예약을 하려고 하는 단말의 수에 기초하여 산출하는 방법을 제안하고 이의 성능을 분석하였다. 시뮬레이션에 의해 새로 제안된 채널 허용 확률을 산출하는 방식의 성능을 비교한 결과 기존에 제안된 방법들보다 상당한 성능의 향상을 볼 수 있었다., 인삼이 성장될 때 부분적인 영양상태의 불충분이나 기후 등에 따른 영향을 받을 수 있기 때문에 앞으로 이에 대한 많은 연구가 이루어져야할 것으로 판단된다.태에도 불구하고 [-wh]의미의 겹의문사는 병렬적 관계의 합성어가 아니라 내부구조를 지니지 않은 단순한 단어(minimal $X^{0}$

• Proceedings of the Safety Management and Science Conference
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• 2003.05a
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• pp.43-51
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• 2003

제품 설계 및 디자인의 과정이 고도로 높은 기술력을 바탕으로 이루어지고 있으며, 국내의 기업체도 우수한 기술력과 높은 품질로 경쟁력을 키우며 다양한 고객의 요구에 대응하여 고객만족을 꾀하여야 한다 이의 기반이 되는 제품의 품질과 사양은 설계에서 시작되는데 아직 국내의 많은 기업들은 설계 및 제작 단계에서 많은 시간과 비용을 낭비하고 있다. 3D Modeling Solution은 설계오류가 적으며 시각적인 설계를 할 수 있어 최소의 인력으로 제품을 설계할 수 있는 장점이 있지만 너무 많은 기능으로 인해 사용자가 쉽게 적용하고 사용하기 어려운 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 산업현장의 어려움을 덜기 위해 3D 전용 Modeling Solution에 사용자가 쉽게 부품을 조림할 수 있는 엔진을 접목시켜 누구나 사용가능하고 신속한 신제품 개발이 이루어지도록 하였다. 본 연구에서는 Autodesk사의 Inventor와 Microsoft Visual Basic으로 Inventor에서 제공하고 있는 API함수를 이용하여 조립자동화를 위한 조립조건 생성, 조립자동화, 부품 재질변경, 수동조립 그리고 부품의 DB화를 구현하였다. 이 프로그램은 조립조건 설정 폼을 이용하여 부품의 조립속성을 생성하고 부품조립 폼을 이용하여 조립자동화를 실행할 수 있도록 하였다. 또한 모든 부품을 Database화 하여 부품을 손쉽게 탐색할 수 있으며, 추후에도 언제든지 재사용이 가능하여 제품설계 효율성을 극대화 할 수 있다. 현장 적용 시 신속한 신제품 개발과 품질의 우수성으로 고객만족을 꾀할 수 있으며, 시간과 비용을 동시에 줄여 경쟁사와의 경쟁우위를 높이는 해결책이 될 수 있다.-110 마이크로프로세서와 21285 주제어기가 장착된 EBSA-285 보드이다. 측정하면서 수행하였다. 검증 결과 random 상태에서는 문헌자료에 부합되는 예측결과를 보여주었으나, intermediate와 constant 상태에서는 문헌보다 다소 낮은 속도를 보여주었다 이러한 속도차는 추후 현장 데이터를 수집하여 보다 실질적인 검증을 통하여 조정되어야 할 것으로 판단된다.지발광(1.26초)보다 구애발광(1.12초)에서 0.88배 감소하였고, 암컷에서 정지발광(2.99초)보다 구애발광(1.06초)에서 0.35배 감소하였다. 발광양상에서 발광주파수는 수짓의 정지발광에서 0.8 Hz, 수컷 구애발광에서 0.9 Hz, 암컷의 정지발광에서 0.3 Hz, 암컷의 구애발광에서 0.9 Hz로 각각 나타났다. H. papariensis의 발광파장영역은 400 nm에서 700 nm에 이르는 모든 영역에서 확인되었으며 가장 높은 첨두치는 600 nm에 있고 500에서 600 nm 사이의 파장대가 가장 두드러지게 나타났다. 발광양상과 어우러진 교미행동은 Hp system과 같은 결과를 얻었다.하는 방법을 제안한다. 즉 채널 액세스 확률을 각 슬롯에서 예약상태에 있는 음성 단말의 수뿐만 아니라 각 슬롯에서 예약을 하려고 하는 단말의 수에 기초하여 산출하는 방법을 제안하고 이의 성능을 분석하였다. 시뮬레이션에 의해 새로 제안된 채널 허용 확률을 산출하는 방식의 성능을 비교한 결과 기존에 제안된 방법들보다 상당한 성능의 향상을 볼 수 있었다., 인삼이 성장될 때 부분적인 영양상태의 불충분이나 기후 등에 따른 영향을 받을 수 있기 때문에 앞으로 이에 대한 많은 연구가 이루어져야할 것으로 판단된다.