• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.11
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• pp.1023-1027
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• 2002

In this paper, we have prepared phase-pure $SrTiO_3:\;Pr^{3+}$ phosphor powder by Supercritical Fluid Mixing using $Sr(OH)_2{\cdot}8H_2O$ and $TiO_2$ powders as starting materials. Its luminescent properties were investigated in comparison with $SrTiO_3:\;Pr^{3+}$ powders prepared by solid-state method with conventional mixing. $SrTiO_3:\;Pr^{3+}$ phosphor powders by Supercritical Fluid Mixing have spherical shapes and narrow particle size distribution. We have investigated the luminescent properties of $SrTiO_3:\;Pr^{3+}$ phosphor using $Al^{3+}$ and $Ga^{3+}$ as sensitizer.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.12
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• pp.1016-1021
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• 2002

Luminescent characteristics of FLs were studied according to the structure of electrode for LCD backlight applications. The luminance and luminous efficiency of the FLs fabricated under same conditions were measured and evaluated as functions of magnitude of applied voltage and widths of external electrode. The luminance and luminous efficiency of CCFL at 12 V were 27600 cd/$m^2$ and 35.3 lm/w, respectively The luminance of EEFLS increased as the widths of external electrode increased, and the luminous efficiency of EEFLS showed to increase to 20 mm of electrode width) and to decrease at wider than 20 m of electrode widths. The luminance and luminous efficiency of EEFL with 20 mm of electrode widths were 21600 cd/$m^2$ and 26500 cd/$m^2$, 35.6 lm/w and 34.8 lm/w at 12 V, 14 V, respectively.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.30 no.1
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• pp.160-165
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• 2013

In order to express the natural color in organic light emitting diode(OLED), red, green, and blue luminescent materials are needed. While lots of red and green emitters are searched actively, not many useful blue emitters are found yet. It is due to the high energy gap for the blue emission. This research is about a synthesis of the blue emitting compound with high emission efficiency and thermal stability, which starts with carbazole and anthracene. Carbazole with bulky substituent, tert-butyl group, is connected directly to electroluminescent and thermally stable anthracene. The distance between the hole transporting group and the electron transporting group are studied for the relevance to the luminescence.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.21.2-21.2
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• 2009

발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.474-474
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• 2012

유기발광소자는 다른 디스플레이에 비해 높은 명암비와 색재현성의 장점을 갖는 차세대 디스플레이로서, 얇은 박막 특성을 가지고 있기때문에 모바일용 디스플레이 기술로 많이 사용되고 있다. 하지만 낮은 발광효율, 높은 구동전압 및 전압에 따른 색좌표 변화의 문제점을 가지고 있어 이를 극복하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자의 발광효율을 높이며 구동 전압을 낮추기 위해 호스트물질에 다양한 도펀트를 도핑하고 있다. 높은 발광효율을 가지는 도펀트인 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene)을 사용한 유기발광소자는 rubrene의 안정된 분자 에너지 레벨로 인해 전자들이 포획되는 현상이 나타나 효율이 감소되는 원인이 규명되지 않았다. 본 연구에서는 rubrene을 발광층으로 사용하여, 전공수송층인 N,N_-bis-(1-naphthyl)-N,N_-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPB)의 두께에 따른 I-V 변화와 전계발광 스펙트럼를 분석하여 두께에 따른 rubrene의 전자 포획를 관찰하였다. rubrene보다 큰 lowest unoccupied molecular orbital 에너지를 갖는 NPB와 에너지장벽으로 낮은 highest occupied molecular orbital 에너지를 갖는 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline을 각각 교차되게 적층한 유기발광소자의 I-V 변화와 전자 전공 재결합층의 위치변화에 따른 전계발광 스펙트럼을 비교 분석하였다. 이 결과는 발광층 내부의 rubrene의 상대적인 위치와 에너지장벽과의 상관관계에 따른 전자 포획 메커니즘을 이해하는데 도움 줄 것이다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.11 no.5
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• pp.301-308
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• 2002

BaFBr:$Eu^{2+}$ phosphors were prepared, and the thermoluminescence(TL) and photostimulated luminescence(PSL) of the prepared phosphors were measured. Two glow peaks around 352 and 448 K are observed for x-ray irradiated BaFBr:$Eu^{2+}$ phosphors, and the activation energy of the main glow peak(352 K) was about 0.96 eV. The spectral range of the PSL was $350{\sim}450\;nm$, and the activation energy of the trap giving rise to PSL was about 0.98 eV. The activation energy of the traps giving rise to TL is agreed to those giving rise to PSL within experimental error.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.18 no.4
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• pp.169-173
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• 2008

$Eu^{3+}$ and $Bi^{3+}$ co-doped $YVO_4$ phosphors were produced by a microwave heating process. When the microwave heating method was synthesized,. the particle size was very small and the particles tended to agglomerate. However, as the heating time increased, the particle size increased and the agglomeration decreased. The emission spectrum exhibited a weak band for $^5D_0{\longrightarrow}^7F_1$ at 594.91 and 602.3 nm and strong sharp peaks at 616.7 and 620.0 nm due to the $^5D_0{\longrightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$. Microwave heating synthesis can provide a product without long time heating as well as good homogeneous distribution of activators.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.414-414
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• 2013

InGaAlAs/InP은 $1.3{\sim}1.55{\mu}m$ 레이저 다이오드 응용을 위한 InGaAsP/InP를 대체하기 위한 물질로 많은 관심을 받아왔다. 디지털 합금 InGaAlAs 다중양자우물(multiple quantum wells: MQWs) 시료는 MBE (molecular beam epitaxy) 장비를 이용하여 n-InP 기판 위에 성장하였다. 양자우물과 장벽은 각각 (InGaAs)0.8(InAlAs)0.2와 (InGaAs)0.4(InAlAs)0.6 SPSs (short-period superlattices)로 $510^{\circ}C$에서 성장하였다. 발광특성을 향상시키기 위하여 질소분위기에서 $700^{\circ}C$ $750^{\circ}C$ 또는 $800^{\circ}C$에서 30초간 열처리(rapid thermal annealing: RTA)하였다. RTA 온도에 따른 디지털 합금 InGaAlAs MQWs의 발광특성을 분석하기 위해 PL (photoluminescence)과 TRPL(time-resolved PL)을 이용하였다. RTA 온도에 따른 InGaAlAs MQWs 시료의 발광 메카니즘 및 운반자 동력학을 연구하기 위하여 발광파장 및 온도에 따른 TRPL을 측정하였다. 저온(10 K)에서 PL 피크는 RTA 온도를 $700^{\circ}C$에서 $750^{\circ}C$로 증가하였을 때 1,242 nm에서 1,245 nm로 장파장 영역으로 이동하였다가 $800^{\circ}C$에서 열처리하였을 때 단파장 영역으로 이동하여 1,239 nm에서 나타났다. 또한 PL 세기는 RTA 온도를 증가함에 따라 증가함을 보이다가 RTA 온도를 $800^{\circ}C$로 증가하였을 때 PL 세기는 감소하였다. 발광소자 개발을 위한 InAlGaAs MQWs 시료의 최적의 열처리 조건을 이러한 PL과 TRPL 결과로부터 결정할 수 있다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.6
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• pp.17-23
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• 2000

In this study, we prepared red organic light-emitting-diode(OLED) with a fluorescent dye(Sq)-doped and inserted between emission and cathode layer 1,3-bis(5-p-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)benzene (OXD7) or/and tris(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$) layers for increasing electroluminescent(EL) efficiency. This inserting effect has been observed and EL mechanism characteristics have been examined. The hole transfer layer is a N,N'-diphenyl-N,N'-bis-(3-methyl phenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD), and the host and guest materials of emission layer is $Alq_3$ and bis[1-methyl-3,3'-dimethyl-2-indorindiylmethyl] squaraine (Sq), respectively. For the inserting of $Alq_3$, emission efficiency increased. But we can not obtained highly pure red emission owing to the emission of inserting $Alq_3$ layer. The inserting of OXD7 makes hole block and accumulate. Because of increasing recombination probability of electron and hole, highly pure red color can be held. Simultaneously brightness characteristics and emission efficiency could improve.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.31.2-31.2
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• 2010

질화물계 발광다이오드는 소비전력이 낮고 발광효율이 높은 조명용 반도체소자로서 다양한 분야에 적용되고 있으나 질화갈륨 반도체 층 및 외부 공기와의 계면에서 발생하는 전반사로 인하여 광추출특성이 매우 낮은 문제점이 있다. 이를 해결하기 위하여 다양한 연구가 진행되고 있으며 투명전극 또는 p형 질화갈륨 층에 주기적인 나노 패턴을 형성하고 이에 따른 난반사 효과를 통해 전반사를 억제시키는 연구가 주로 진행되고 있다. 현재까지의 연구에서 발광다이오드의 광추출향상을 위한 나노 패턴은 플라즈마 식각공정을 통하여 형성되었지만 플라즈마 데미지에 의해 소자의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 본 연구에서는 플라즈마 식각 공정이 요구되지 않는 sol-gel 임프린팅 공정을 이용하여 발광다이오드의 ITO 투명전극 위에 산화아연 나노 패턴을 직접 형성하였다. Sol 솔루션은 에탄올에 zinc acetate dihydrate와 diethanolamine을 희석하여 제작하였고 이를 스핀코팅 방법을 통해 발광다이오드의 ITO 투명전극 층 위에 도포하였다. 이 후, 고 투습성의 PDMS (Polydimethylsiloxane) 몰드를 이용하여 $190^{\circ}C$에서 임프린팅을 진행하였고 이 과정에서 대부분의 솔벤트(에탄올)는 PDMS 몰드로 흡수되어 임프린팅 후에는 나노 패턴이 형성된 산화아연 gel 박막을 얻을 수 있었다. 최종적으로 $500^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리 하여 발광다이오드의 ITO 투명전극 위에 산화아연 나노 패턴을 형성하였다. 나노임프린팅 기반의 직접 패터닝 공정을 통하여 형성된 산화아연 패턴 층을 XRD 측정을 통해 결정성을 분석하였고 형성된 패턴의 형상을 SEM을 통해 확인하였다. 또한, 산화아연 패턴 유무에 따른 발광다이오드 소자의 광추출효율 비교를 위해 electroluminescence를 측정하였으며, 소자의 전기적 특성은 I-V 측정을 통해 분석하였다.