• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
• /
• pp.976-977
• /
• 2008

클린룸에서 자동 물류 반송장비가 선형모터와 비접촉 전원장치를 이용하여 직선구간으로 설치되어 적용하는 경우는 있지만, 곡선구간을 갖는 경우에 적용하기 위한 연구는 희박하다. 이에 저자들은 초기 90도의 곡선구간으로 개루프 구간을 갖는 연구를 진행하였다. 따라서 본 논문은 더욱 향상된 180도 곡선구간과 직선구간으로 이루어진 폐루프 구간을 구성(현장과 유사하게 구성)하여 자동 물류 반송장비인 OHS 시스템의 선형모터의 구동 전원으로 적용하기 위한 비접촉 전원장치의 출력특성에 대한 연구를 진행하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제10권5호
• /
• pp.798-805
• /
• 2006

OFDMA 하향링크 시스템에서 비선형 전력 증폭기와 반송파 주파수 편차의 영향을 고려하여 데이터가 주파수 선택적 Rayleigh 도플러 시변 페이딩 채널을 통하여 전송될 때 비트 오류율을 분석한다. 본 논문에서는 우수한 비트 오류율 특성을 위하여 사용자 수에 따라 요구되는 비선형 증폭기의 최대 출력 전력 대 평균 출력 전력 비(OBO)와 반송파 주파수 편차의 크기를 구하며, 도플러 페이딩의 정도에 따라 결정되는 비트 오류율 특성 열화를 분석한다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제11권12호
• /
• pp.2391-2397
• /
• 2007

OFDMA의 상향링크 시스템에서 비선형 전력 증폭기와 반송파 주파수 편차의 영향을 고려하여 데이터가 주파수 선택적 Rayleigh 도플러 시변 페이딩 채널을 통하여 전송될 때 비트 오류율을 분석한다. 본 논문에서는 우수한 비트 오류율 특성을 위하여 사용자 수에 따라 요구되는 비선형 증폭기의 최대 출력 전력 대 평균 출력 전력 비(OBO)와 반송파 주파수 편차의 크기를 구하며, 도플러 페이딩의 정도에 따라 결정되는 비트 오류율 특성 열화를 분석한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.568-573
• /
• 2002

본 논문에서는 트렐리스 부호화된 MDPSK-OFDM의 차동검파에서 BER(bit error rate) 성능을 향상시키기 위해 다중 위상 검파를 수행한다. 제안된 비터비 디코더는 다중 위상차를 가지 메트릭으로 사용하는 슬라이딩 방식의 다중 위상 검출 방식이며 이러한 가지 메트릭을 사용하는 비터비 알고리듬을 제안한다. 본 논문에서 제안한 다중 위상 검출을 이용한 MDPSK-OFDM은 대역폭과 전력의 효율성을 감소시키지 않고 같은 SNR에서 BER 성능을 향상시킬 수 있다는 것을 보여준다. 또한 제안된 디코더 방식과 알고리듬은 다중 반송파뿐만 아니라 전통적인 단일 반송파 변조에도 사용됨 수 있다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
• /
• pp.903-906
• /
• 1999

고 농도의 반송자가 존재하는 영역에서의 지배적인 산란 효과인 억셉터 및 도너 산란과 반송자-반송자 산란, Screening 효과를 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 또한 높은 바이어스가 인가된 경우 Slotboom 변수를 사용함으로써 발생하는 부동 소숫점 한계를 극복하기 위한 척도변환 방법을 제안한다. 구현된 모델의 정확성을 검증하기 위해서 자체 개발된 소자 시뮬레이터인 BANDIS를 이용하여, 척도변환에 대해서 n-MOSFET 소자로 17〔V〕이상에서도 모의실험이 가능함을 보였고, 전력 BJT 소자에 대해서 Philips Unified 이동도 모델의 모의 실험 결과, 상업용 2차원 소자 시뮬레이터인 MEDICI에 비해 척도변환은 최대 12%, Philips Unified 이동도는 최대 2.8%이내의 상대오차를 보였다

• 디지털콘텐츠학회 논문지
• /
• 제5권3호
• /
• pp.187-191
• /
• 2004

모바일 통신 채널의 빠른 변화는 다중 반송파 변조의 성능에 많은 영향을 준다. 본 논문에서는 다중 반송파 CDMA 네트워크의 BER 성능을 분석하였고 등가 신호 대 전체 잡음 전력비를 라이시안 페이딩, 부분대역간섭 다중접속 사용자 간섭채널에서 유도하였다. MC-CDMA 시스템의 역방향 링크 등가 SNIR을 사용하여 MC-CDMA/BPSK 신호의 성능을 부분대역간섭의 점유율과 간섭 전력에 따라서 평가하였다. 그리고 다중반송파 멀티미디어 시스템의 QoS를 향상하기 위한 부분대역간섭의 영향을 종합적으로 연구하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제27권3B호
• /
• pp.251-258
• /
• 2002

이 논문에서는 여러 반송파 직접수열 부호분할 다중접속 시스템에서 적응 부호율 길쌈부호화 방법을 살펴본다. 여러 가지 부호율을 쉽게 다를 수 있고 부호기와 복호기 얼개가 간단하도록 부호율 호환 구멍 뚫은 길쌈부호를(rate compatible punctured convolutional code: RCPC code) 쓴다. 데이터 처리량이 가장 많아지도록, 신호 대간섭과 잡음비 추정을 바탕으로 하는 적응 부호율 시스템을 제안한다. 제안한 적응 부호율 여러 반송파 직접수열부호분할 다중접속 시스템을 쓰면 주파수 대역 효율을 높이고 주파수 다양성을 얻을 수 있음을 보인다.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
• /
• 한국퍼지및지능시스템학회 1998년도 추계학술대회 학술발표 논문집
• /
• pp.330-340
• /
• 1998

자율주행 반송차가 주어진 경로를 따라 주행 할 때 주행면의 불균일성과 같은 외란요인과 자율반송차 시스템 자체의 비선형성 등으로 인하여 원치 않는 경로추종오차가 발생하게 되는데 본 연구에서는 이러한 경로추종오차를 최소화하기 위해서 신경회로망을 이용한 경로추종 오차 보상방법을 제안한다. 본 방법에서는 신경회로망을 통하여 조향각 보상량을 제공하므로써 경로추종오차를 보상한다. 신경망은 다층 퍼셉트론을 채용하였으며 역전파 알고리즘의 최급강하규칙(Gradient descent rule)을 이용하여 학습을 수행하였다. 본 제안에서는 학습오차를 경로추종오차로부터 정의하므로써 경로추종오차가 최소화되록 신경회로망을 학습시켰다. 제안된 방법의 타당성은 다양한 경로에 대한 모의실험 및 실제 실험을 통하여 검증하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집
• /
• pp.61-62
• /
• 2012

본 논문에서는 다중 반송파 정현 펄스폭 변조방식으로 제어되는 Cascaded H-bridge 멀티레벨 PWM 인버터의 스위칭 손실 저감을 위한 스위칭 패턴을 제안한다. 부하 담당 전력이 상대적으로 큰 H-bridge 모듈의 스위치는 저주파의 기본 출력 전압 레벨을 형성하도록 동작시키며, 부하 담당 전력이 상대적으로 작은 H-bridge 모듈의 스위치는 고주파의 PWM 파형을 기본파에 가감하여 출력전압 파형이 사인파에 가까워지도록 스위칭 패턴을 형성한다. 본 논문에서는 제안된 스위칭 패턴을 PD, APOD 방식의 다중 반송파 정현 펄스폭 변조방식으로 구현하여 Cascaded H-bridge 멀티레벨 PWM 인버터에 적용시키고 실험을 통해 기존의 스위칭 패턴에 비해 스위칭 손실이 개선됨을 증명한다.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.333-340
• /
• 1996

p-type(100) 실리콘 기판과 TiN(50nm)/Si 기판에 dimethylethylamine alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착온도와 유량, 반송가스 종류에 따른 방향성, 증착속도, 미세구조 변화에 대해 연구하였다. 알루미늄의 증착속도는 기판온도, 반송가스 종류 및 유량에 따라 100-650mn/min으로 다양하게 조절되었다. DMEAA의 증착 활성화에너지는 TiN 기판에서는 약 0.leV이었고 Si와 SiO2 기판에서는 각각 약 0.23eV, 0.24eV이었다. 알루미늄 박막의 방향성은 증착속도의 감소에 따라 (200)에서 (111)방향으로 변하였다. 증착된 알루미늄 박막의 불순물 함량은 산소의 경우 0.2at%, 탄소의 경우 1.8at.%이었다. DMEAA 소스에 의한 알루미늄의 증착속도는 반송가스가 Ar 일 때 보다 H2 가스를 사용하면 증착속도가 크게 증가하였으며 이는 반송가스에 의해 SiO2표면의 흡착 H 농도가 증가하고 흡착 H가 소스 가스와 반응하여 핵생성 site 로 작용하는 것으로 생각된다. 알루미늄 박막의 비저항은 표면 미세조직에 크게 영향을 받으며 그 값은 약 3-7$\mu$$\Omega$cm이었다.