• 제목/요약/키워드: 반도체-디스플레이장비

검색결과 509건 처리시간 0.02초

대면적 Lithography 장비의 Stage 설계에 대한 고찰

  • 정준영;이우영;임경화;진경복;최성주;지이권;정준영
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
    • /
    • pp.201-207
    • /
    • 2005
  • 디스플레이 장치를 제조함에 있어 Lithography 공정은 매우 중요한 공정으로 인식되고 있으나 아직까지 Lithography 장비의 국내 기술개발 수준은 선진사에 비해 많이 뒤져있다고 볼 수 있다. 최근 디스플레이 산업의 폭발적인 성장과 더불어 보다 확실하고 안정적인 생산을 위해서는 Lithography 장비의 국산화 기술개발이 시급한 상황이다. 본 연구는 Lithography 장비를 구성하는 핵심기술요소 중 Stage 최적화에 대하여 현재 국내외에서 개발된 또는 개발중인 제품들을 비교 분석하고, 최적화 설계를 위해 필요한 조건들에 대하여 고찰해보았다.

  • PDF

반도체/LCD장비 코팅부품의 내플라즈마 특성 연구

  • 송제범;신재수;윤수진;이창희;신용현;김진태;윤주영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.134-134
    • /
    • 2012
  • 최근 반도체 및 디스플레이 산업에서 진공, 특히 플라즈마 공정은 중요한 기술로 알려져 있다. 반도체 제조공정은 플라즈마를 이용하여 증착(deposition)공정 및 패터닝을 위한 식각(Dry Etch)공정으로 크게 나뉘고, 디스플레이 공정에서는 Glass위에 형성된 금속오염입자 및 polymer와 같은 불순물을 제거하는 공정으로 식각(Dry Etch)공정을 주로 사용하고 있다. 진공공정장비인 CVD, Etcher는 플라즈마와 활성기체, 고온의 공정온도에 노출 되면서 진공공정장비 부품에 부식이 진행되기 때문에 내플라즈마성이 강한 재료를 코팅하여 사용하고 있다. 하지만 장시간 부식환경에 노출이 되면, 코팅부품에서도 부식이 진행되면서 다량의 오염입자가 발생하여 생산수율 저하에 원인이 되기도 하고, 부품 교체비용이 많이 들기 때문에 산업체에서 많은 어려움을 겪고 있다. 본 연구에서는 산업체에서 코팅부품으로 많이 사용되고 있는 다양한(Al2O3, Y2O3 등) 산화막 및 세라믹코팅 부품의 내플라즈마 특성을 비교 연구하였다.

  • PDF

차세대 반도체 세정장비 기술동향

  • 조중근
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 정기총회 및 추계학술대회
    • /
    • pp.42-54
    • /
    • 2007
  • ${\blacksquare}$ 매엽실 세정장비의 양산적용 확대 ${\centerdot}$ 역오염 감소로 수율개선, 짧은 TAT ${\centerdot}$ Throughput 개선필요 : Process Module + Wafer Transfer ${\blacksquare}$ 향후 $2{\sim}3$년 동안 세정기술의 패러다임 변화 예상 ${\centerdot}$ 초미세 패턴에서의 입자 제거 대책 (${\sim}22.5nm$), 신재료에 따른 케미컬 대응 (에칭, 부식, 물성변화). ${\blacksquare}$ 세정기술의 통합 솔루션 필요 ${\centerdot}$ 초임계 유체세정 : 극미세 패턴까지도 대응 가능 ${\centerdot}$ 장비와 공정 측면에서 많은 연구 필요

  • PDF

반도체및디스플레이장비 통신프로토콜 구현에 관한 연구

  • 김두용
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
    • /
    • pp.109-114
    • /
    • 2006
  • 본 논문은 HSMS를 기반으로 하는 SECS 통신 프로토콜을 구현한다. HSMS는 TCP/IP를 이용한 이더넷 기반이기 때문에 많은 장점을 가지고 있는 윈도우 소켓을 사용한다. 윈도우 소켓은 높은 호환성을 가지며, 다양한 종류의 통신 규약을 지원한다. 윈도우소켓에서 제공하는 API 함수를 이용하여 쓰레드를 동기화 하고, 이벤트 기법을 사용하여 클라이언트 측과 서버 측의 독립적인 송수신을 가능하게 한다. 또한, 하나의 프로그램에서 서버 측과 클라이언트 측을 선택적으로 사용 가능하게 구현한다.

  • PDF

Virtual Integrated Prototyping Simulation Environment for Plasma Chamber Analysis and Design

  • 김헌창;김성재;황일선
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
    • /
    • pp.94-97
    • /
    • 2003
  • 본 연구에서는 반도체제조에 필수적으로 사용되는 플라즈마장비의 성능을 예측.분석하여 개발 시간 및 비용의 절감과 장비의 성능을 극대화 할 수 있도록 이론적 전산모사 환경(VIP-SEPCAD)을 개발하고 있다. VIP-SEPCAD는 플라즈마의 물리.화학적 특성을 예측하는 plasma model, 중성화학종들의 반응 및 유돈 특성을 예측하는 neutral reaction-transport model, particle의 유동 특성을 예측하는 particle transport model, particle의 생성 및 성장 특성을 예측하는 particle formation-growth model, 식각 또는 증착되는 웨이퍼 표면변화를 예측하는 surface evolution model로 구성되어 있다. 현재 개발된 VIP-SEPCAD를 이용하여 산소 플라즈마의 특성과 각종 화학성분들의 분포를 예측하고 particle의 거동에 대하여 분석하였다.

  • PDF

개선형 ISPM 의 성능 비교 연구

  • 차옥환;설용태;임효재
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
    • /
    • pp.59-63
    • /
    • 2003
  • 본 연구에서는 저압 상태인 반도체 제조장비의 입자오염을 측정하는데 많이 사용되고 있는 ISPM 의 성능 특성을 실험적 기법으로 조사하였다. 2 개의 공기역학적 렌즈를 사용하여 주입된 219.41 nm 크기의 PSL 실험 입자 빔을 생성시켰다 또한 기존에 보고된 실험조건에 따라 chamber 압력, 유입유량을 각각 1 torr와 32 sccm 으로 맞추었으며, 입자 농도를 두 가지로 변화시켜 실험하였다. 연구에 사용된 본 연구센터의 ISPM 장비는 250 nm 근처의 입자 크기에 대하여 비교적 정확한 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 앞으로 본 실험에서는 사용된 ISPM 장비의 측정 환경에 맞는 렌즈 수, 렌즈 간격 , 적정 압력, 적정 입자 크기 등 조건들을 결정하여 실제 반도체 제조장비 공정 chamber 에 직접 부착하여 반도체 공정에 활용할 계획이다.

  • PDF