• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.287-292
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• 2007

네이버, 야후 등의 각종 포털 사이트 및 신문, 잡지 등의 매체 사이트의 거의 모든 웹 페이지에 광고가 삽입되어 있다. 물론 구글과 같이 광고를 게재하지 않는 검색 사이트도 있기는 하지만 국내외에서 사용되는 거의 모든 포털 및 매체 사이트는 광고를 게재하여 웹 사이트의 각 페이지마다 표시하고 있다. 그러나, 유저가 어떤 정보를 검색한 후 해당 웹 페이지의 내용을 프린터로 출력할 경우 상기 웹 페이지에 삽입되어 표시되는 광고들도 같이 인쇄되는 문제가 있다. 다시 말해 실제로 유저는 검색 결과인 텍스트 정보와 그것에 관련된 이미지 정보만 인쇄되기를 원하는 경우가 대부분일 것이다. 본 논문에서는 실용트리즈의 6단계창의성을 적용하여 인터넷 웹 페이지 프린터 인쇄에 따른 광고 Filtering 방법을 설명하고 문제해결에 대한 기술적인 평가를 실시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.293-296
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• 2007

대다수의 소기업은 많은 취약점을 가지고 있으며, 특히 최근에는 인력 부족이라는 새로운 경영환경에서 경영자들이 큰 애로를 겪고 있다. 한마디로 사람은 많은 데 필요한 사람은 없다. 따라서 향후 기업승부의 관건은 누가 핵심인력을 확보하느냐에 달려 있다고 할 수 있다. 인력확보의 방법으로 훌륭한 인재를 스카웃 하는 것도 중요하지만 기존인력의 유출을 방지하는 것이 무엇보다 시급한 과제이다. 본 연구에서는 창의적 문제해결을 위하여 고안된 허만(Herrmann)의 두뇌우성에 관한 사분면 모델을 적용하여 기업 구성원들의 사고선호도를 도출하였으며, 이를 바탕으로 가장 바람직한 인력재배치를 통하여 기업 구성원간의 의사소통을 향상시키고 상호 갈등요인을 제거함으로써 인력안정을 도모하고자 하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.90-93
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• 2007

밀도가 높고 주기적으로 배열된 실리콘 나노점이 실리콘 기판위에 형성 되었다. 실리콘 나노점을 형성하기 위해 사용된 나노패턴의 지름은 20 나노미터(nm)이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공사이의 거리는 50 nm 였다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 형성된 나노패턴에 전자빔 기상증착장치를 사용하여 금 박막을 $100\;{\AA}$ 증착하고 리프트오프(lift-off) 방식으로 금 나노점을 만들었다. 형성된 금 나노점을 불소기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각하고 황산으로 제거하였다. 형성된 실리콘 나노점의 지름은 24 nm 였고 높이는 20 nm 였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.94-98
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• 2007

AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 $Nd:YVO_4$ laser(${\lambda}=1064\;nm$)를 사용하여 ITO 전극 패턴을 형성하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극 패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 가장자리에 shoulder와 물결무늬를 형성했다. Q스위치 $Nd:YVO_4$ laser와 갈바노메트릭 스캐닝 시스템을 사용하여 500 mm/s의 스캔속도와 40 kHz의 펄스 반복 율을 기본조건으로 결정했다. PDP 테스트 샘플을 제작하여 방전 테스트를 진행하였다. 사진식각공정을 이용하여 만든 PDP 샘플과 비교해서 laser를 이용하여 제작한 PDP 샘플의 최소 방전유지전압은 더 높게 측정됐다. 이것은 ITO 라인의 shoulder와 물결무늬의 형성과 관련이 있다고 판단된다. 본 실험을 통해 레이저를 이용한 PDP용 ITO 전극막의 직접 패터닝 가능성을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.297-300
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• 2007

There have been 3E problems of energy, economy and environment since the earth has its history. Especially, the energy and environment problems have been getting serious after the modern industry revolution. Therefore, the demand of gas as an eco-friendly energy source is getting increased. With the demand of gas, the installation and use of gas boiler is also increased, so human life injury by the waste gas(CO) of boiler goes on increasing every year. It is the content about a life of the exhaust tube which is used at Gas boiler in this paper. We explain also the course to apply the 6SC(6 Step Creativity) of practical TRIZ and evaluate the re solution.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.109-112
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• 2007

In this paper we describe a robust method of improving precision in monitoring high energy ion implantation processes. Ion implant energy accuracy was measured in the device manufacturing process using an unpatterned implanted layer on an intrinsic p-type silicon wafer. To increase Rs sensitivity to energy at the well implant process, a PN junction structure was formed by P-well and deep N-well implants into the p-type Si wafer. It was observed that the depletion layer formed by the PN junction was very sensitive to energy variation of the well implant. Conclusively, it can be recommended to monitor well implant processes using the Rs measurement method described herein, i.e., a PN junction diode structure since it shows excellent Rs sensitivity to variation caused by energy difference at the well implant step.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.118-122
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• 2007

회전대칭성을 향상시키기 위해서 3턴 교차 안테나론 제작하였다. 3턴의 구조는 안테나를 병렬 type으로 제작하였으며, 플라즈마 밀도는 13.56MHz RF 전력에서 $10^{11}{\sim}10^{12}\;cm^{-3}$ 고밀도 플라즈마가 발생되었으며 균일도는 200mm 기준 10% 이내로 나왔다. 병렬 구조로 낮은 인덕턴스로 인해 안테나 양단의 걸리는 전압이 알곤 압력 10mTorr, 100W에서 약 227V로 낮은 값을 가졌다. 축전결합 효과가 작을 것으로 기대된다. 그리고 회전대칭성은 최대 7% 이내로 매우 우수한 특성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.164-168
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• 2007

Deformation of a shadow mask is one of the problems encountered during the deposition of organic materials for manufacturing large size OLED. The larger the glass substrate, the larger the shadow mask becomes. But as the size of the shadow mask increases, its deformation becomes more severe, thereby making it difficult to deposit organic materials in a precise pattern on a substrate. In this paper, a new type mask-frame structure is proposed. The proposed mask-frame structure making a curved mask has the ability of reducing drooping of mask. The test frame is fabricated and evaluation experiments are performed.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.169-173
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• 2007

Slit-coater nozzle is one of core equipments of coating process in LCD panel manufactory. As a glass substrate size become bigger, a nozzle performance and a high-speed coating process are considered important issues. To design the optimal nozzle, the characteristics of fluid inside nozzle are studied using CFD (Computational Fluid Dynamics) method. Through research on design factors, we can know the coating uniformity influenced by lip length, cavity angle and gap size. The future work for this study is to find the factors in high-speed coating process and function between factors of design.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.179-182
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• 2007

Polycrystaline (poly) 3C-SiC thin film on n-type and p-type Si were deposited by APCVD using HMDS, $H_2$, and Ar gas at $1180^{\circ}C$ for 3 hour. And then the schottky diode with Au/poly 3C-Sic/Si(n-type) structure was fabricated. Its threshold voltage ($V_d$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_D$) value were measured as 0.84 V, over 140 V, 61nm, and $2.7{\times}10^{19}\;cm^3$, respectively. The p-n junction diode fabricated by poly 3C-SiC was obtained like characteristics of single 3C-SiC p-n junction diode. Therefore, its poly 3C-SiC thin films are suitable MEMS applications in conjuction with Si fabrication technology.