• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.3 no.2
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• pp.56-60
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• 1988

반도체 가스의 순도에 따라 반도체 박막의 특성이 좌우되기 때문에 현재의 고순도 가스에서 초고순도 가스로 사용하여야 한다. 최근 반도체 공정기술은 화학증착법으로 많은 특수 가스를 사용하는데 이런 가스들은 사전에 가스에 대한 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야만 고성능화 공정기술이 가능하다. 반도체용 가스는 회로의 집적도가 높아짐에 따라 요구되는 가스의 품질이 점점 고순도화되고 있다. 따라서 현 반도체 공정에 사용되는 가스 순도를 초고순도화 시켜야만 초고집적 소자인 4M DRAM, 16M DRAM, 64M DRAM 제품 개발 및 제조가 가능하다. 다시말해서 공정에 따른 주변조건이 이루어져야 만 반도체 산업이 크게 신장 할 수 있다. 최근 반도체 공정 기술로는 플라즈마(Plasma), 드라이에칭(Dry etching), CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Ion Implantation, EPI 공정으로 거의 대부분 공정 가스가 가연성, 폭발성, 독성, 부식성 이기 때문에 한번 취급을 잘못하면 막대한 인명 및 재산 피해를 입히므로 취급상 특별한 주의를 요하고 사전에 가스의 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.236.2-236.2
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• 2014

세계 반도체 시장은 컴퓨터 기능이 더해진 모바일 기기의 수요가 증가함에 따라 메모리반도체의 시장규모가 최근 빠른 속도로 증가했다. 특히 모바일 기기에서 저장장치 역할을 하는 비휘발성 반도체인 NAND Flash Memory는 스마트폰 및 태블릿PC 등 휴대용 기기의 수요 증가, SSD (Solid State Drive)를 탑재한 PC의 수요 확대, 서버용 SSD시장의 활성화 등으로 연평균 18.9%의 성장을 보이고 있다. 이러한 경제적인 배경 속에서 NAND Flash 미세공정 기술의 마지막 단계로 여겨지는 1Xnm 공정이 개발되었다. 그러나 1Xnm Flash Memory의 생산은 새로운 제조설비 구축과 차세대 공정 기술의 적용으로 제조비용이 상승하는 단점이 있다. 이에 따라 제조공정기술을 미세화하지 않고 기존의 수평적 셀구조에서 수직적 셀구조로 설계 구조를 다양화하는 기술이 대두되고 있는데 이 중 Flash Memory의 대용량화와 수명 향상을 동시에 추구할 수 있는 3D NAND 기술이 주목을 받게 되면서 공정기술의 변화도 함께 대두되고 있다. 3D NAND 기술은 기존라인에서 전환하는데 드는 비용이 크지 않으며, 노광장비의 중요도가 축소되는 반면, 증착(Chemical Vapor Deposition) 및 식각공정(Etching)의 기술적 난이도와 스텝수가 증가한다. 이 중 V-NAND 3D 기술에서 사용하는 박막증착 공정의 경우 산화막과 질화막을 번갈아 증착하여 30layer 이상을 하나의 챔버 내에서 연속으로 증착한다. 다층막 증착 공정이 비정상적으로 진행되었을 경우, V-NAND Flash Memory를 제조하기 위한 후속공정에 영향을 미쳐 웨이퍼를 폐기해야 하는 손실을 초래할 수 있다. 본 연구에서는 V-NAND 다층막 증착공정 중에 다층막의 두께를 가상 계측하는 알고리즘을 개발하고자 하였다. 증착공정이 진행될수록 박막의 두께는 증가하여 커패시터 관점에서 변화가 생겨 RF 신호의 진폭과 위상의 변화가 생긴다는 점을 착안하여 증착 공정 중 PECVD 장비 RF matcher와 heater에서 RF 신호의 진폭과 위상을 실시간으로 측정하여 데이터를 수집하고, 박막의 두께와의 상관성을 분석하였다. 이 연구 결과를 토대로 V-NAND Flash memory 제조 품질향상 및 웨이퍼 손실 최소화를 실현하여 제조 시스템을 효율적으로 운영할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.84-88
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• 2005

본 연구에서는 백색광원용 조명램프에 필요한 고밀도로 집적된 LED 어레이를 제작하기 위하여 반도체제조 공정에 필요한 포토마스크를 AutoCAD 상에서 설계하였으며 레이저 리소그래피 장비를 이용하여 포토마스크를 제작하였다. 웨이퍼상에 LED칩을 개별적으로 제작한 후 이들을 직렬 및 병렬로 금속배선하여 연결하였다. 특히 AutoCAD로 각 공정의 포토마스크 패턴을 설계 작업한 후 DWG 파일을 DXF 파일로 변환하여 레이저빔으로 스캔닝하였다. 이를 소다라임 유리판 위에 크롬을 증착한 후 각 패턴에 맞추어 식각 함으로써 포토마스크를 제작하였다. 또한 2인치 InGaN/GaN 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막이 증착된 사파이어 웨이퍼에 포토마스크를 활용하여 반도체 제조공정을 수행하였으며, 금속배선된 백색LED램프를 제작하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.4
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• pp.265-274
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• 2010

The excellent performance and stability of dry-vacuum-pump is essential to create and maintain high quality vacuum condition in semiconductor and display process. The development of dry-vacuum-pump needs systematic consideration for target application as well as delicate mechanical issues. Here, we introduce a development procedures of dry-vacuum-pump for semiconductor-process-class.

• Proceedings of the Korea Society for Simulation Conference
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• 1998.10a
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• pp.133-136
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• 1998

본 연구는 복잡하고 다양한 반도체 공저의 모델링을 통하여 반도체 공정 표준화 작업을 목적으로 하고 있다. 급변하는 세계 반도체 시장에서 국내 반도체 업체가 수위를 지킬 수 있는 방안은 공정의 표준화를 제시함으로써 생산업체에서의 신기술 개발에 따른 어려움을 해소하고 기술 개발과 더불어 생산관리 쪽으로의 이동에 대응할 수 있도록 하여 국제 경쟁력을 키워야 할 것이다. 본 연구의 기대효과로는 현장기술자와 장비운용자의 질적 향상을 위한 교육용 자료로의 활용이 가능하다는 것이다. Presentation Tool을 이용한 시청각 교육효과와 시뮬레이션을 이용한 Process Flow Wide View 증진은 현재 국내 반도체 업체들의 신입사원 교육 시 상당한 효과를 거둘 것이라 예상된다. 이는 생산업체에 국한되어지는 것만은 아니며 반도체 공정에 관련된 대학 학과목에서도 활용되어지리라 생각된다. 또한 Modeling & Simulation Tool을 사용하여 공정을 모델링함으로써 표준화를 만든 후 각 제조 업체들은 이러한 모델들은 이용하여 회사의 실정에 맞추어 자사에 대한 시뮬레이션을 손쉽게 수행함으로써 공정 최적화에 따른 경비 절감의 효과를 거둘 수 있을 것이다. 제품별 혹은 같은 제품이라도 Version이 다를 경우 FAB 공정가운데 약 10% 내외만이 바뀌는 점을 감안하면 본 연구를 통해 얻어지는 결과물인 Computer Model과 Simulator는 쉽게 생산현장에 적용할 수 있으리라 여겨진다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.195-195
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• 2015

반도체 제조 시 ohmic contact을 형성하고, barrier metal layer형성을 위해 NH3 기체를 사용하는 rapid thermal nitridation (RTN)은 반도체 공정에 있어 매우 중요한 핵심 기술이다. 그러나 공정 진행 시 발생하는 공정 부산물에 의한 chamber오염으로 인해 매우 정확히 입사 되어야 할 thermal energy의 controllability가 저하되고 있어, 미세 공정능력 구현의 한계에 부닥치고 있다. 본 연구에서는 quartz plate liner를 적용하여 RTN 공정에서 발생하는 공정 부산물인 ammonium chloride (NH4Cl)의 chamber 표면 증착을 최소화하였고, 공정 진행 온도의 controllability를 확보하였다.

• Clean Technology
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• v.5 no.1
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• pp.62-77
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• 1999

Semiconductor industry has rapidly grown because of the need from electronic and computer industries. However the global environmental regulations for various hazardous chemical compounds, which are indispensably used in semiconductor manufacturing process, are getting stronger. The semiconductor industries should develop the cleaner technologies in order to both lead the future world market and avoid the regulations form environmentally developed countries. In this paper, cleaner technologies for semiconductor cleaning processes are surveyed, such as gas phase process, UV process, and plasma process. Advantages and disadvantages of these processes are discussed.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.13 no.1 s.49
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• pp.29-40
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• 1998

반도체 산업에서는 디바이스 제조 비용의 절감과 정밀도 향상을 위한 공장자동화의 한 방향으로 '80년대 후반부터 여러 공정의 반도체 제조장비를 클러스터화 하여 국제적 표준으로 제정하려는 노력이 꾸준히 진행되어 왔다. 반도체 장비의 클러스터 표준화는 제조 메이커가 각기 상이한 장비의 호환성과 상호 운용성을 증대시킴으로 장비 고유의 생산성과 디바이스 제작 능력의 한계를 확장시키고 제조기간과 비용을 크게 절약시킬 수 있다. 본 고에서는 클러스터 툴이라고 하는 반도체 장비의 핵심기술인 클러스터 콘트롤러에서의 모듈간 통신 및 제어 기술을 중심으로 국제적 표준활동의 진행과 기술의 발전방향에 대하여 소개하고자 한다.

• IE interfaces
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• v.10 no.1
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• pp.1-13
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• 1997

반도체 Wafer Fabrication 공정은 무수한 공정과 복잡한 Lot의 흐름 등으로 다른 제조 형태에 비해 효율적인 관리가 대단히 어려운 부문이다. 본 연구는 반도체 Fab을 대상으로 주어진 생산 소요량과 목표 공기를 효율적으로 달성하기 위한 Shift 단위의 생산 일정계획을 대상으로 하였다. 특히, 전 공정 및 장비를 고려하기보다는 Bottleneck인 Photo 공정의 Stepper를 중심으로, 공정을 Layer단위로 묶어, 한 Shift에서 어떻게 Stepper를 할당하고 생산계획을 할 것인가를 결정하기 위한 2단계 방법론을 제시하고, Stepper 할당 및 계획에 필요한 3가지 알고리즘들을 제시하였다. 이 기법들을 소규모의 예제들에 대해 적용한 결과와 최적해와의 비교를 통하여 그 성능을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.223-223
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• 2004

반도체 및 TFT LCD 제조 공정에서 핵심 공정인 Photo 공정은 PR(Photo Resist, 감광액) Coating -) Exposure(노광) -. Develop(현상)으로 이루어져 있다. 이중 Exposure 공정에 사용되는 장치가 노광장비이다. 노광장비는 Mask Aligner 라고도 불리는데, 그만큼 정렬기술이 노광장비에서는 중요하다. 반도체 및 TFT LCD 는 여러 충의 회로를 쌓아감으로써 층과 층간의 전기적 작용으로 생성되는 Tr.(Transistor) 또는 Diode 등의 수동소자를 집적하는 기술로 제조되는 것으로, 층과 층간의 전기적 작용이 설계한 바와 같이 이루어지기 위해선, 층과 층 사이의 정렬이 정확히 이루어져야 한다.(중략)