• Title/Summary/Keyword: 반도체 영상

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JPSearch 기술개요 및 동향조사

  • Jo, Jae-Hun;Kim, Yeong-Seop
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2007.06a
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    • pp.271-275
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    • 2007
  • 본 문서는 JPEG(Joint Photographic coding experts group)에서 새로운 분야로 준비중인 JPSearch의 기술개요와 구조를 소개함으로써 텍스트 기반에서 영상 대 영상 검색 시스템의 전환을 제시한다. 또한 영상 대 영상 검색 시스템의 기본적인 기술특징과 JPSearch에서 요구하는 시스템 구조를 설명한다. JPSearch의 영상 검색 시스템이 사용 가능한 다양한 사용자 경우를 제시하였다.

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A Semiconductor Defect Inspection Using Fuzzy Reasoning Method (퍼지 추론 기법을 이용한 반도체 불량 검사)

  • Kim, Kwang-Baek
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.14 no.7
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    • pp.1551-1556
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    • 2010
  • In this paper, we propose a new inspection method that applies fuzzy reasoning method considering the difference of brightness and intensity of illumination by bend together. In the preprocessing phase, we compensate the degree of semiconductor images with bilinear interpolation and moment-rotation. Then we use fuzzy reasoning method with the difference of brightness from error region by pattern matching and the difference of intensity of illumination from bends. Then the result is difuzzified and applied to the final inspection process. In experiment which uses 30 real world semiconductors with strait shots and side shots, the proposed method successfully discard the false positive identified by conventional brightness comparison only method without any loss of misidentification.

A Semiconductor Defect Inspection Using Fuzzy Method (퍼지 기법을 이용한 반도체 불량 검사)

  • Lee, Dong-gyun;Kim, Kwang-baek
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.280-282
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    • 2009
  • 본 논문에서는 굴곡에 의한 조도량의 차이와 명암도 차이를 퍼지 기법에 적용하여 개선된 반도체 불량 검출 방법을 제안한다. 제안된 방법은 먼저 회전각과 양선형 보관법을 이용하여 반도체 영상의 각도를 보정하는 전처리 과정 수행한다. 그리고 굴곡에 대한 조도량의 차이와 패턴 매칭를 이용하여 얻어진 오류 영역의 명암도 차이를 퍼지 소속 함수에 적용하여 결과 값을 추론한다. 최종적으로 비퍼지화된 결과 값을 적용하여 반도체의 초기 불량을 검출한다. 본 논문에서 제안한 방법을 실제 사용되는 반도체 정면 영상과 측면 영상 30쌍을 대상으로 실험한 결과, 기존의 방법에 비해서 반도체의 초기 불량 판단에 효과적인 것을 확인하였다.

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Cause Diagnosis Method of Semiconductor Defects using Block-based Clustering and Histogram x2 Distance (블록 기반 클러스터링과 히스토그램 카이 제곱 거리를 이용한 반도체 결함 원인 진단 기법)

  • Lee, Young-Joo;Lee, Jeong-Jin
    • Journal of Korea Multimedia Society
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    • v.15 no.9
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    • pp.1149-1155
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    • 2012
  • In this paper, we propose cause diagnosis method of semiconductor defects from semiconductor industrial images. Our method constructs feature database (DB) of defect images. Then, defect and input images are subdivided by uniform block. And the block similarity is measured using histogram kai-square distance after color histogram calculation. Then, searched blocks in each image are merged into connected objects using clustering. Finally, the most similar defect image from feature DB is searched with the defect cause by measuring cluster similarity based on features of each cluster. Our method was validated by calculating the search accuracy of n output images having high similarity. With n = 1, 2, 3, the search accuracy was measured to be 100% regardless of defect categories. Our method could be used for the industrial applications.

A Method for evaluating the temperature coefficient of a compound semiconductor energy gap by infrared imaging technique (적외선 영상 기법에 의한 화합물 반도체 에너지 갭의 온도 계수 측정 방법)

  • Gang, Seong Jun
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.38 no.5
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    • pp.26-26
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    • 2001
  • 온도에 따른 반도체 에너지갭의 변화를 디지털 영상처리를 이용해 직접 측정하는 적외선 영상기법을 제안하고 있다. 본 방법은 반도체 에너지갭의 온도계수를 경제적이고 간단하게 평가할 수 있도록 한다. 본 기법의 핵심 구성 부품은 다색광원기(Polychromator), 프레임 그래버가 내장된 컴퓨터 및 가변 온도 저온유지장치(Cryostat)이다. 방법의 타당성을 검증하기 위해 LEC 방법으로 제조한 GaAs에 시험적으로 행한 실험은 온도 계수가 이론 모델에서 구한 값과 전반적으로 잘 일치함을 보여 주었다.

산업/의료기 X선 영상시스템용 센서 개발

  • 설용태;이의용;남형진;조남인;차경환
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2005.09a
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    • pp.170-174
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    • 2005
  • 본 연구는 산업용과 의료용에 사용되는 비파괴 검사용 X 선 영상시스템에 이용되는 X 선을 직접 감지하는 방식의 센서를 실리콘 반도체 재료를 사용하여 개발하는데 목적이 있다. 이를 위해서 실리콘 반도체를 기본 물질로 하는 X-선 센서를 제작하고, 광범위한 영역에서 응용이 가능한 비파괴 시험용으로 제품화하기 위해 센서 어레이와 주변회로 및 구동회로 시스템과의 연관기술을 검토한다.

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An Image Processing Method for Aligning the Positions of Semiconductor Package using Principal Component Analysis (주성분분석법을 이용한 반도체패키지의 위치정렬 영상처리기법)

  • Kim, Hak-Man
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2009.12a
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    • pp.850-853
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    • 2009
  • 반도체 조립공정에서 사용되는 Pick and Placement장비는 반도체패키지를 컴퓨터 비젼을 이용하여 위치 정렬하고 Placement Tray에 적재하는 장비로서 고속,고정밀도가 요구된다. 다변량 통계적 분석방법인 주성분 분석법은 주어진 데이터에서 특징이 되는 일정한 패턴을 찾는 방법으로 영상의 차원감소를 위해 최근 많이 사용되어지고 있다. 본 논문에서는 반도체패키지의 기하학적 형태를 이용하여 위치정렬을 하도록 한 후 성능을 검증하도록 하였다. 패키지 원영상에서 밝기값의 차이에 따른 윤곽선을 인식한 후, 각 위치값들을 주성분 분석법을 이용해 직선을 추출한 방법으로 위치정렬한 결과 신뢰할만한 위치정렬 성능을 보였다.

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Semiconductor Detectors for Radiation Imaging Applications (방사선 영상 장치용 반도체 검출기)

  • Park, K.S.;Park, J.M.;Yoon, Y.S.;Kim, B.W.;Kang, J.Y.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.22 no.5
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    • pp.95-107
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    • 2007
  • X-선 측정 및 영상장치를 포함한 다양한 응용분야에서 방사선에 대한 고해상도의 영상을 얻기 위한 목적으로 반도체 검출기에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다. 본 고에서는 방사선 검출을 위해 요구되는 반도체 물질의 주요 특성에 대해서 조사하였다. 또한 반도체를 이용한 플랫 패널(flat panel) 시스템, 픽셀 디텍터(pixel detector)와 스트립 디텍터(strip detector) 등의 혼성형 디텍터(hybrid detector), MAPS와 DEPFET 등의 단일형 픽셀 디텍터(monolithic pixel detector)의 디바이스 동작 원리 및 특성과 국내외 기술 동향에 대하여 살펴보았다.

Trend of SiC Power Semiconductor (탄화규소(SiC) 반도체소자의 동향)

  • Kim, Sang-Cheol;Bahng, Wook;Seo, Kil-Soo;Kim, Kee-Hyun;Kim, Hyung-Woo;Kim, Nam-Kyun;Kim, Eun-Dong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.11a
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    • pp.7-12
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    • 2004
  • 탄화규소 전력반도체 소자는 실리콘 전력반도체 소자에 비해 우수한 물질특성을 갖고 있어 성능 측면에서 뿐 만 아니라 전력변환장비의 크기를 획기적으로 줄일 수 있는 새로운 반도체 소자이다. 특히 unipolar 계열의 소자에서 괄목할 만한 특성을 보이고 있다. 현재 쇼트키 장벽 다이오드의 경우 5kV급, UMOSFET의 경우 3kV급의 소자까지 보고되고 있으며 반도체 물질 중에서 가장 활발히 연구가 진행되고 있는 분야 중의 하나이다. 단결정성장 분야에서도 3인치 급이 상용화 되었으며 4인치 크기의 웨이퍼의 상용화가 조만간 실현될 것으로 기대되고 있다. 이러한 기술적 발전을 토대로 600V, 1200V급 쇼트키 다이오드가 PFC boost 용으로 시판되고 있으나 아직은 다른 반도체 소자에 비해 미미한 실정이다. 현재에는 $250^{\circ}C$까지의 온도영역에서 실리콘 SOI(Silicon on Insulator) 소자가 주로 사용되고 있다. 그러나 $300^{\circ}C$를 넘는 온도 영역에서는 실리콘으로는 한계가 있고, 특히 SOI는 전력소자에 적용하기는 한계가 있어 주로 저전력 고온소자가 필요한 부분에 적용이 되고 있다. 따라서 전력용에 적합한 고온소자로 탄화규소 소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재의 추세로 보아 $200-300^{\circ}C$ 영역의 응용분야에서는 SOI와 탄화규소가 함께 적용될 것으로 예상되며, $300^{\circ}C$를 넘는 온도영역에서는 탄화규소 소자의 우월적 지위가 예상된다. 이러한 이유로 탄화규소 반도체소자의 응용 분야는 크게 확대될 것으로 예상되며 국가적 차원의 지원 및 육성이 요구되는 분야 중의 하나이다.t로 사용한 소자보다 발광 소광 현상이 적게 일어난 것에 기인하였다고 생각된다. 두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기

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외부공진 반도체 레이저 기반의 초고속 파장훑음 광원

  • Kim, Chang-Seok;Lee, Hwi-Don
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.123-123
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    • 2013
  • OCT (Optical Coherence Tomography)는 의료용 생체조직의 단층 영상을 레이저 빛을 이용하여 구현하는 첨단 의료기술이다. Time-domain과 Fourier-domain을 기반으로 다양한 광간섭 신호의 획득이 연구되고 있으며, 영상획득 속도의 향상을 위한 경쟁이 세계적으로 치열한 상황이다. 최근 초고속 파장훑음 광원(Wavelength-swept source)의 개발을 통하여 초당 300 frame 이상의 단층 영상이 구현되고 있다. 본 발표에서는 초고속 파장훑음 레이저 광원(Wavelength swept laser)이 능동형 모드잠금(Active mode locking) 외부공진 반도체 공진 구조를 기반으로 새롭게 구현된 연구 성과를 포함한다. 분산에 의한 모드 잠금에 의하여 발진 파장이 결정되어 가변하므로 1 MHz 급 이상의 초고속 반복이 가능하며, 특히 의료용 산업용 분야의 다양한 광센서 및 광영상 응용에 활발히 응용되고 있다.

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