Lee, Mi Kyoung;Jeoung, Jin Wook;Ock, Jin Young;Choa, Sung-Hoon
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.21
no.1
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pp.31-39
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2014
For mobile application, semiconductor packages are increasingly moving toward high density, miniaturization, lighter and multi-functions. Typical wafer level packages (WLP) is fan-in design, it can not meet high I/O requirement. The fan-out wafer level packages (FOWLPs) with reconfiguration technology have recently emerged as a new WLP technology. In FOWLP, warpage is one of the most critical issues since the thickness of FOWLP is thinner than traditional IC package and warpage of WLP is much larger than the die level package. Warpage affects the throughput and yield of the next manufacturing process as well as wafer handling and fabrication processability. In this study, we investigated the characteristics of warpage and main parameters which affect the warpage deformation of FOWLP using the finite element numerical simulation. In order to minimize the warpage, the characteristics of warpage for various epoxy mold compounds (EMCs) and carrier materials are investigated, and DOE optimization is also performed. In particular, warpage after EMC molding and after carrier detachment process were analyzed respectively. The simulation results indicate that the most influential factor on warpage is CTE of EMC after molding process. EMC material of low CTE and high Tg (glass transition temperature) will reduce the warpage. For carrier material, Alloy42 shows the lowest warpage. Therefore, considering the cost, oxidation and thermal conductivity, Alloy42 or SUS304 is recommend for a carrier material.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.20
no.3
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pp.37-44
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2013
It is well known that thermal deformation of electronic packages with Pb-Sn solder and with lead-free solder is significantly affected by material properties consisting the package, as well as those of the solder itself. In this paper, the method for determining coefficient of thermal expansion(CTE) of new material is established by using temperature characteristic of strain gages, and the CTE of molding compound are obtained experimentally. The temperature-dependent CTE of molding compound for Pb-Sn solder and that for lead-free solder are obtained by using strain measurements with well known steel specimen and aluminium specimen as reference specimens, and the CTE's are also measured non-contactly by using moire interferometry. Those results are compared, and the agreement between the two types of strain gage experiment and the moire experiment show the strain gage method used in this paper to be reliable. In the case of the molding compound for Pb-Sn solder, the CTE is measured as approximately $15.8ppm/^{\circ}C$ regardless of the temperature. In the case for the lead-free solder, the CTE is measured as of approximately $9.9ppm/^{\circ}C$ below the temperature of $100^{\circ}C$, and then the CTE is increased sharply depending on the temperature, and reaches to $15.0ppm/^{\circ}C$ at $130^{\circ}C$.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.30
no.3
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pp.40-50
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2023
Recently, the number of components of smartphones increases rapidly, while the PCB size continuously decreases. Therefore, 3D technology with a stacked PCB has been developed to improve component density in smartphone. For the s tacked PCB, it i s very important to obtain solder bonding quality between PCBs. We investigated the effects of the properties, thickness, and number of layers of interposer PCB and sub PCB on warpage of PCB through experimental and numerical analysis to improve the reliability of the stacked PCB. The warpage of the interposer PCB decreased as the thermal expansion coefficient (CTE) of the prepreg decreased, and decreased as the glass transition temperature (Tg) increased. However, if temperature is 240℃ or higher, the reduction of warpage is not large. As FR-5 was applied, the warpage decreased more compared to FR-4, and the higher the number and thickness of the prepreg, the lower the warpage. For sub PCB, the CTE was more important for warpage than Tg of the prepreg, and increase in prepreg thickness was more effective in reducing the warpage. The shear tests indicated that the dummy pad design increased bonding strength. The tumble tests indicated that crack occurrence rate was greatly reduced with the dummy pad.
Electron beam have many factors that affect dose distribution, so even if identical settings are used, they should be identified and used for radiation treatment, and the effects on the structures in the body are sensitive, making it difficult to investigate uniform dose distribution on tumors. In this study, a dosimeter was produced using PbI2 which is a photoelectric material, and electrical characteristics were analyzed for 6, 9, and 12 MeV electronics in linear accelerators. The reproducibility test results showed that RSD were 1.1215%, 1.0160%, and 0.05137% respectively at 6, 9, and 12 MeV energies, indicating that the output signals were stable. The linearity evaluation results showed that the R2 values of the reliability indicator for straight line trend lines were 0.9999, 0.9999, and 0.9994, respectively, at 6, 9, and 12 MeV, to confirm that the output signal was proportional to PbI2 as dose increased. The PbI2 dosimeter in this study is judged to be highly applicable to electromagnet measurement and is thought to be able to be used as a basic study of electron detector through photoelectric material.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.6
no.4
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pp.1-7
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1999
We developed Fabrication process of embedded passive components in MCM-D substrate. The proposed MCM-D substrate is based on Cu/photosensitive BCB multilayer. The substrate used is Si wafer and Ti/cu metallization is used to form the interconnect layer. Interconnect layers are formed with 1000$\AA$ Ti/3000$\AA$ Cu by sputtering method and 3$\mu\textrm{m}$ Cu by electrical plating method. In order to form the vias in photosensitive BCB layer, the process of BCB and plasma etch using $C_2F_6$ gas were evaluated. The MCM-D substrate is composed of 5 dielectric layers and 4 interconnect layers. Embedded resistors are made with NiCr and implemented on the $2^{nd}$ dielectric layer. The sheet resistance of NiCr is controlled to be about 21 $\Omega$/sq at the thickness of 600$\AA$. The multi-turn sprial inductors are designed in coplanar fashion on the $4^{th}$ interconnect layer with an underpass from the center to outside using the lower $3^{rd}$ interconnect layer. Capacitors are designed and realized between $1^{st}$ interconnect layer and $2^{nd}$ interconnect layer. An important issue in capacitor is the accurate determination of the dielectric thickness. We use the 900$\AA$ thickness of PECVD silicon nitride film as dielectric. Capacitance per unit area is about 88nF/$\textrm {cm}^2$at the thickness of 900$\AA$. The advantage of this integration process is the compatibility with the conventional semiconductor process due to low temperature PECVD silicon nitride process and thermal evaporation NiCr process.
The Journal of the Convergence on Culture Technology
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v.10
no.1
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pp.403-409
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2024
In this paper, the guidelines for the design of an Artificial Intelligence(AI) based Integrated Process Safety Management(PSM) system to enhance workplace safety using data from process safety reports submitted by hazardous and risky facility operators in accordance with the Occupational Safety and Health Act is proposed. The system composed of the proposed guidelines is to be implemented separately by individual facility operators and specialized process safety management agencies for single or multiple workplaces. It is structured with key components and stages, including data collection and preprocessing, expansion and segmentation, labeling, and the construction of training datasets. It enables the collection of process operation data and change approval data from various processes, allowing potential fault prediction and maintenance planning through the analysis of all data generated in workplace operations, thereby supporting decision-making during process operation. Moreover, it offers utility and effectiveness in time and cost savings, detection and prediction of various risk factors, including human errors, and continuous model improvement through the use of accurate and reliable training data and specialized datasets. Through this approach, it becomes possible to enhance workplace safety and prevent accidents.
As accessibility to 3D printers increases, there is a growing frequency of exposure to chemicals associated with 3D printing. However, research on the toxicity and harmfulness of chemicals generated by 3D printing is insufficient, and the performance of toxicity prediction using in silico techniques is limited due to missing molecular structure data. In this study, quantitative structure-activity relationship (QSAR) model based on data-centric AI approach was developed to predict the toxicity of new 3D printing materials by imputing missing values in molecular descriptors. First, MissForest algorithm was utilized to impute missing values in molecular descriptors of hazardous 3D printing materials. Then, based on four different machine learning models (decision tree, random forest, XGBoost, SVM), a machine learning (ML)-based QSAR model was developed to predict the bioconcentration factor (Log BCF), octanol-air partition coefficient (Log Koa), and partition coefficient (Log P). Furthermore, the reliability of the data-centric QSAR model was validated through the Tree-SHAP (SHapley Additive exPlanations) method, which is one of explainable artificial intelligence (XAI) techniques. The proposed imputation method based on the MissForest enlarged approximately 2.5 times more molecular structure data compared to the existing data. Based on the imputed dataset of molecular descriptor, the developed data-centric QSAR model achieved approximately 73%, 76% and 92% of prediction performance for Log BCF, Log Koa, and Log P, respectively. Lastly, Tree-SHAP analysis demonstrated that the data-centric-based QSAR model achieved high prediction performance for toxicity information by identifying key molecular descriptors highly correlated with toxicity indices. Therefore, the proposed QSAR model based on the data-centric XAI approach can be extended to predict the toxicity of potential pollutants in emerging printing chemicals, chemical process, semiconductor or display process.
Park, Jin-Young;Kim, Sun-Jip;Lee, Yong-Woo;Lee, Jae-Jin;Hwang, Kyu-Won;Lee, Won-Kwon
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.29
no.6
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pp.715-721
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2007
Residual calcium concentration is high, in general, at the effluent of the fluoride removal process in the electronics industry manufacturing semiconductor and LCD. To increase the stability of the membrane process incorporated for reuse of wastewater, the residual calcium is required to be pre-removed. Hyperkinetic Vortex Crystallization(HVC) process was installed in the electronics industry manufecturing semi conductor as a pilot scale for accelerating calcification of calcium ion. Compared to the conventional soda ash method, the 31% higher calcium removal efficiency was achieved when HVC was applied at the same sodium carbonate dosage. In order to maintain the economic calcium removal target of 70% preset by manufacturer, the dosing concentration of the soda ash was 530 mg/L based on influent flowrate. The seed concentration in the reactor was one of the critical factors and should be maintained in the range of $800\sim1,200mg$ SS/L to maximize the calcium removal efficiency. The calcite production rate was 0.30 g SS/g $Na_2CO_3$ in the average. The economic HVC passing time of the mixture was in the range of $2\sim5$ times. Relatively, stable calcium concentration was maintained in the range of $30\sim72$ mg/L(average 49 mg/L) although the calcium concentration in the feed was severely fluctuated with $74\sim359$ mg/L(average 173 mg/L). The HVC process was characterized as environment-friendly technology reducing chemical dosage and chemical sludge production and minimizing maintenance cost.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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