• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.368-369
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• 2019

최근 친환경 자동차로의 적용을 위한 차량용 전력반도체에 대한 연구개발이 활발히 진행되고 있다. 전압, 전류 등의 기본 성능사양은 선진사(社)의 동등 혹은 유사 수준에 도달하였음에도 아직 수명 내구성과 같은 신뢰성 측면에서는 미비한 실정이다. 이에 본 논문에서는 대용량 전력반도체 모듈의 신뢰성 평가 항목 중 하나인 파워 사이클 시험평가를 위한 파워 사이클러 개발에 대해 논한다. 본 기술개발을 통해 개발된 파워사이클러는 기존 고가의 외산 파워 사이클러를 도입하거나 해외 평가기관을 활용해야 했던 국내 전력반도체 모듈 개발업체의 지원이 가능하며, 또한 국산화 개발을 통해 전력반도체 모듈 개발업체의 요구사항을 충분히 반영할 수 있는 맞춤형 파워사이클러 개발이 가능하다. 개발된 장비를 활용하여 전기차용 전력 모듈에 대한 파워사이클 평가를 진행하며, 그 타당성을 검증한다.

• Proceedings of the Korean Reliability Society Conference
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• 2001.06a
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• pp.127-138
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• 2001

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.215-217
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• 2007

반도체 집적화 기술의 발달로 반도체 공정에서 디바이스의 선폭은 줄어들고, 박막의 다층화가 필수적인 과정이 되었다. 이에 따라 반도체에서 Si 기판과 금속 배선과의 열적 안정성에 대한 신뢰성이 더욱 중요시 되어가고 있다. 이를 방지하기 위하여 우리는 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 Si 기판위에 W-C-N박막을 물리적 기상 증착법(PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하여 Si 기판과 W-C-N확산방지막의 특성을 여러 온도 열처리 조건에서 확인하였다. 특성을 분석을 위하여 ${\alpha}-step$과 ${\beta}-ray$를 이용하여 증착률을 확인한 후 4-point probe를 이용하여 비저항을 측정하였고, X-ray Diffraction 분석을 통하여 결정 내부의 변화를 확인하였다. 이를 통하여 W-C-N 확산방지막의 열적인 안정성을 질소변화에 따라 조사하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2001.05a
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• pp.318-321
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• 2001

현재 업체에서 제공하고 있는 반도체 정보의 수집 및 가공이 모두 수동으로 이루어져 있어 많은 시간의 노력과 인건비가 들어가고 있다. 현재 개발되어 있는 에이전트는 범용적이고 일반적인 형태의 에이전트로 특화된 반도체 정보의 수집 및 가공에는 부적합하다. 따라서 본 연구를 통해 반도체 정보 시스템에 특화된 웹 에이전트를 개발하여 현재 수동으로 이루어지고 있는 반도체 정보 시스템의 정보처리 과정을 자동으로 수행하는 웹 에이전트를 개발하여 인건비의 절감과 정보 시스템의 신뢰성 향상 및 정보처리 과정의 자동화, 체계화를 이루고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.135-135
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• 2012

세계 환경유해물질 규제에 대응하여 반도체 substrate의 Pb-free solution의 일환으로 등장한 PPF (Pre-Plated Frame)는 패키지공정 조립성은 물론, 자동차 반도체와 같은 고 신뢰성 및 low cost 요구를 만족하기 위해 초박막 고품질의 도금층과 Sub-micro scale의 rough treatment 와 같은 미세 표면제어 기술, 그리고 Au wire로부터 Cu wire 로의 전환에 대응하는 최적화된 도금층 구조로 발전하고 있다. 이러한 기술적인 진화를 거듭해온 이 기술은 다양한 반도체 substrate에 광범위하게 사용될 수 있기 때문에 향후 PPF기술의 활용저변은 더욱 확대될 전망이다.

• Journal of Technology Innovation
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• v.26 no.3
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• pp.37-68
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• 2018

Since the 20th century, automobiles, which are the most common means of transportation, have been evolving as the use of electronic control devices and automotive semiconductors increases dramatically. Automotive semiconductors are a key component in automotive electronic control devices and are used to provide stability, efficiency of fuel use, and stability of operation to consumers. For example, automotive semiconductors include engines control, technologies for managing electric motors, transmission control units, hybrid vehicle control, start/stop systems, electronic motor control, automotive radar and LIDAR, smart head lamps, head-up displays, lane keeping systems. As such, semiconductors are being applied to almost all electronic control devices that make up an automobile, and they are creating more effects than simply combining mechanical devices. Since automotive semiconductors have a high data rate basically, a microprocessor unit is being used instead of a micro control unit. For example, semiconductors based on ARM processors are being used in telematics, audio/video multi-medias and navigation. Automotive semiconductors require characteristics such as high reliability, durability and long-term supply, considering the period of use of the automobile for more than 10 years. The reliability of automotive semiconductors is directly linked to the safety of automobiles. The semiconductor industry uses JEDEC and AEC standards to evaluate the reliability of automotive semiconductors. In addition, the life expectancy of the product is estimated at the early stage of development and at the early stage of mass production by using the reliability test method and results that are presented as standard in the automobile industry. However, there are limitations in predicting the failure rate caused by various parameters such as customer's various conditions of use and usage time. To overcome these limitations, much research has been done in academia and industry. Among them, researches using data mining techniques have been carried out in many semiconductor fields, but application and research on automotive semiconductors have not yet been studied. In this regard, this study investigates the relationship between data generated during semiconductor assembly and package test process by using data mining technique, and uses data mining technique suitable for predicting potential failure rate using customer bad data.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.280-281
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• 2003

본 연구는 전자파, 표류전압, 정전기 등 위험한 환경에서 충분한 안전성과 우수한 성능을 보이며 금속발열선(HBW)에 비해 빠른 작동시간을 가지는 반도체브리지 착화장치를 개발하여 로켓 추진기관 및 자동차 에어백 (Air-Bag)에 적용하는데 그 목적이 있다. 로켓 추진기관 착화장치 및 안전장치에는 고도의 안전성 및 신뢰성이 요구되어 기존의 금속발열선 착화장치보다 전자파, 표류전압, 정전기 등 위험한 환경에서 충분한 안정성과 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 신기술 착화장치 설계사양이 요구되며 자동차 에어백용 인플레이터(inflater)는 에어백에 공급하는 가스를 발생시키기 위한 초기 구성품으로 자동차의 특성상 높은 작동신뢰성 유지와 주변 환경으로부터의 안전성이 요구되어 현존하는 금속발열선형 착화장치를 대체하는 반도체브리지 착화장치 개발이 필수적인 상황이다. (중략)

• Electric Engineers Magazine
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• s.273
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• pp.32-36
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• 2005

최근 일부 선진국을 중심으로 대용량 전력제어용 반도체 소자와 제어기술의 발달로 인해 전력전자 반도체 소자인 IGBT(Insulated Gate Bi-polar Transistors) 등을 사용한 승강압형 컨버터 방식으로 동기발전기 계자전류를 제어하는 특이한 모델이 발전기 출력전압을 보다 속응성있게 제어함은 물론, 신뢰성 있고 안정적으로 제어 할 수 있는 방법으로 등장함에 따라 이에 대한 기술적 연구가 진행되고 있다. 이에 따라 본 고에서는 발전기 제어시스템의 개요, 국내외 기술개발 동향과 개발시스템의 구성, 주요기능 그리고 발전소 현장 적용 전에 시스템의 신뢰도 확보를 위해 전동발전기(M-G Set)를 이용한 시스템의 모의시험 결과와 향후 발전기 제어시스템의 발전 전망 등을 그회에 걸쳐 기술한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.6 no.2
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• pp.20-33
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• 1991

반도체 분야에서의 급속한 발전과 함께 소자의 신뢰성을 저하시키는 새로운 요인들이 나타나고 있는데, 그 중 하나가 정전기 문제이다. 소자의 고집적화와 고성능화를 추구하려는 노력이 소자의 크기를 극단적으로 소형화시켰으며, 그러한 소자의 불량임계치(failure threshold)가 일상에서 쉽게 접할 수 있는 정도의 정전기 세기보다 낮아서 소자는 항상 불량을 일으킬 수 있는 환경에 노출되어 있다고 볼 수 있다. 그러므로 반도체 부품을 정전기로부터 보호하기 위한 수단이 필요불가결하게 되었다. 기술선진국에서는 이미 '70년대 말부터 이에 대한 연구가 본격적으로 진행되어 왔고, 실제로 부품 설계시에 보호회로를 삽입하거나 ESD 내성이 강한 부품을 만들기 위한 layout을 특별히 고려하는 등 ESD immunity 개선에 힘써 왔으며, 그 결과 경쟁력 향상의 효과를 거두고 있다. 본 고에서는, 신뢰성 향상 측면에서 정전기 문제 해결을 위한 방법 중에서 ESD내성 평가방법에 관한 내용으로 기본적인 이론과 시험방법론에 대하여 기술하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.167.2-167.2
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• 2015

고 이동도(~10 cm/Vs), 낮은 공정온도 및 높은 투과율 등의 특성을 갖는 산화물 반도체는 저 소비전력, 대면적화 및 고해상도 LCD Panel에 적합한 재료로서 현재 일부 Mobile Panel 및 TFT-LCD Panel의 양산에 적용되고 있으나, 향후 UHD급(4 K, 8 K)의 대형, 고해상도 Panel에의 적용을 위해서는 30 cm2/Vs 이상의 고 이동도 재료의 개발 및 저 저항 배선의 적용에 따른 소자 신뢰성의 개선이 필요하다. Cu는 대표적인 저 저항 배선 재료로 일부 양산에 적용되고 있으나, Cu 전극과 산화물 반도체의 계면에서 Cu원자의 확산 및 Cu-O 층의 형성에 의한 소자 특성 저하의 문제가 있다. 본 연구에서는 고 이동도의 In doped-ZTO계 산화물 반도체를 기반으로 채널 층과 Cu source-Drain layer의 계면에서의 Cu element의 거동 및 TFT 소자 특성과의 상관관계를 고찰하고, 계면에 형성된 Cu-O layer에 대해 높은 전자 친화도를 갖는 Ca element를 첨가에 의한 TFT 소자 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구에서는 이러한 효과로 인한 소자 신뢰성의 향상을 기대하였으며, 우선 In doped-ZTO 채널 층에 Cu와 CuCa 2at% source-drain을 적용한 TFT 특성을 확인하였다. 그 결과, Cu는 Field-effect mobility: ~17.67 cm2/Vs, Sub-threshold swing: 0.76 mV/decade 및 Vth:, 4.40 V의 결과가 얻어졌으며 CuCa 2at%의 경우 Field-effect mobility: ~17.84 cm2/Vs, Sub-threshold swing: 0.86 mV/decade 및 Vth:, 5.74 V의 결과가 얻어졌다. 소자신뢰성 측면에서도 Bias Stress의 변화량 ${\delta}Vth$의 경우 Cu : 4.48 V에 대해 CuCa 2at% : 2.81 V로 ${\delta}Vth$:1.67 V의 개선된 결과를 얻었다.