PCM의 기본단말인 신형 D-4 channel bank의 개발에 있어서 alarm과 trunk pocessing unit에 마이크로프로세서를 활용하여 많은 기능을 부가하였고 이로 인해 회로소자의 간소화와 높은 신뢰성을 얻게 되었다. LSI기술을 지향하는 선진국에 반하여, 아직 국내 반도체산업의 후진을 면치 못하는 우리 나라의 경우 산업용 시스템에 마이크로프로세서의 응용은 경제성, 신뢰성, 기술성에서 높은 의의를 준다.
LED를 구동하기 위하여 여러 가지 주변회로를 하나의 IC로 통합한 Driver IC는 최근 LED의 효율의 증가와 더불어 다양한 사용처의 발생으로 인하여 그 종류가 다양해졌다. 본 연구에서는 이러한 다양한 Driver IC들의 특성을 평가하기 위한 방법 및 다양한 Application의 적용을 통한 Driver IC의 성능을 평가하였다. Driver IC의 기능성과 내구성을 판단하기 위한 시험들을 진행하였다. 여러 종류의 LED를 사용하여 Driver IC의 성능을 평가하였다. Driver IC에 원하는 동작을 구현하고자 하는 제어회로 부분도 설계하여 다양한 특성들을 분석할 수 있도록 하였다. 3종류의 응용제품을 구현하여 적용의 사례로 검토하였고 각각의 응용제품의 경우 필요한 기능들에 대한 분석도 실시하였다. 전체적으로 반도체 IC 시험규격에 의한 신뢰성 시험도 일부 실시를 하여 신뢰성에 대한 부분도 평가를 진행하였다. 이를 통하여 Driver IC의 필요요소에 대한 부분들을 결정하였다.
열설계의 목적은 장치 또는 시스템에 있어서 주어진 전기적, 기계적, 조건 및 신뢰성, 보전성, 가격등의 요구조건에 따라 열원에서 최종적인 heat sink까지 열을 능률적으로 전파하는데 있다. 즉 장치전체의 온도를 낮추거나, 부품 또는 장치내의 온도를 균일하게 함으로서 안정된 동작을 할 수 있게 설계하는 것을 말한다. 전자공학분야의 열설계는 부품과 장치의 두 영역으로 구분할 수 있으나 장치의 열설계는 부품자체와 부품간의 접속에서의 전체적인 열적 조화를 의미하므로 여기서는 개별소자 특히 Power Transistor를 중심으로 I, II부로 나누어 열적 문제점에 관해 소개하고자 한다.
광섬유-평면도파로 결합기는 측면 연마된 광섬유와 그 위에 올려진 평면도파로 사이의 소산장 결합(evanescent field coupling)를 이용하는 소자이다. 이 결합기는 기본적으로 파장선택성과 편광선택성을 있고, 삽입손실이 매우 작고 기계적 신뢰성이 우수하여 많은 주목을 받아 왔다. 평면도파로의 재료로 반도체, 크리스탈, 액정크리스탈, 폴리머등 다양한 물질이 이용될 수 있어 광통신뿐만 아니라 광 센서 분야에서 활발하게 연구되어 왔다. (중략)
최근 반도체 및 디스플레이 산업에서의 플라즈마 공정의 중요성은 점점 증대되고 있다. 특히, 반도체/LCD 제조공정에서의 Dry Etch공정은 디스플레이용 유리 위에 형성된 산화막, 금속입자, 박막, 및 Polymer와 같은 불순물들을 플라즈마를 이용하여 제거하는 공정이다. 플라즈마 공정을 진행하는 동안 몇 가지 문제점들이 이슈가 되고 있다. Etch공정에서는 활성 부식가스를 많이 사용하고 장시간 플라즈마에 노출되기 때문에, 진공부품들은 플라즈마에 의해서 물리적인 이온충격(Ion Bombardment)과 화학적인 Radical 반응에 의한 부식이 진행된다. 부식영향에 의해 챔버를 구성하고 있는 부품에서 균열이 발생하거나 오염입자들이 떨어져 나오게 된다. 발생한 오염입자들은 산업용 플라즈마 공정에서 매우 심각한 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 산화막의 부식 저항특성을 측정할 수 있는 평가방법에 대하여 고찰하였고, 표준화된 데이터로 비교분석할 수 있도록 평가기준과 규정화된 피막평가방법을 연구하였다. 또한, 산화막의 특성에 따른 플라즈마 상태, 오염입자 발생 등 플라즈마 공정을 진단하여 부품재료의 수명을 예측하고, 신뢰성 있는 평가방법에 관한 연구를 하였다.
Today, Ultrasonic is used as an important non-destructive test tool of semiconductor reliability evaluation and failure analysis. The semiconductor packaging trend goes to develop thin package, this trend makes difficult to inspect to defect in semiconductor package. One of the important problem in all semiconductor is moisture absorption in the atmosphere. This moisture causes crack or delamination to package when the semiconductor package is soldered on PCB. Reliability evaluation of semiconductor's object is investigating the effect of this moisture. For that reason, this study is investigating the effect of this moisture and reliability evaluation of semiconductor after preconditioning test and scanning acoustic microscope.
전기차용 전력변환모듈의 성능향상 요구와 종래의 Si 전력반도체의 한계 극복을 위해 차세대 전력반도체인 wide-bandgap (WBG) 기반 전력반도체로의 전환이 가속화되고 있다. WBG 전력반도체로의 전환을 위해 전력변환모듈 패키징 소재 역시 높은 고온 내구성을 요구받고 있다. 전력변환모듈 패키징 공정 중 하나인 Ag 소결 다이접합 기술은 종래의 고온용 Pb 솔더링의 대체 기술로 주목받고 있다. 본 논문에서는 Ag 소결 다이접합 기술 관련 최신 연구동향에 대해 소개하고자 한다. 소결 다이접합 공정 조건에 따른 접합부 특성을 비교하고 Ag 소결층의 3차원 이미지 구현에 따른 다공성 Ag 소결 접합부의 물성 측정 방법론에 대해 고찰하였다. 또한 열충격 및 파워사이클 신뢰성 평가 연구동향을 분석하였다.
최근 주목받고 있는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT (a-Si;H)에 비해 비정질 상태에서도 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭에 의해 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광 소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 하지만, 실제 디스플레이가 동작하는 동안 스위칭 TFT는 백라이트 또는 외부에서 들어오는 빛에 지속적으로 노출되게 되고, 이 빛에 의해서 TFT 소자의 신뢰성에 악영향을 끼친다. 또한, 디스플레이가 장시간 동안 동작 하면 내부 온도가 상승하게 되고 이에 따른 온도에 의한 신뢰성 문제도 동시에 고려되어야 한다. 특히, 실제 AM-LCD에서 스위칭 TFT는 양의 게이트 전압보다 음의 게이트 전압에 의해서 약 500 배 가량 더 긴 시간의 스트레스를 받기 때문에 음의 게이트 전압에 대한 신뢰성 평가는 대단히 중요한 이슈이다. 스트레스에 의한 문턱 전압의 변화는 게이트 절연막과 반도체 채널 사이의 계면 또는 게이트 절연막의 벌크 트랩에 의한 것으로 게이트 절연막의 선택에 따라서 신뢰성을 효과적으로 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 적층된 $Si_3N_4/SiO_2$ (NO 구조) 이중층 구조를 게이트 절연막으로 사용하고, 완충층의 역할을 하는 $SiO_2$막의 두께에 따른 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 평가하였다. a-IGZO TFT 소자의 전기적 특성과 신뢰성 평가를 위하여 간단한 구조의 pseudo-MOS field effect transistor (${\Psi}$-MOSFET) 방법을 이용하였다. 제작된 소자의 최적화된 $SiO_2$ 완충층의 두께는 20 nm이고 $12.3cm^2/V{\cdot}s$의 유효 전계 이동도, 148 mV/dec의 subthreshold swing, $4.52{\times}10^{11}cm^{-2}$의 계면 트랩, negative bias illumination stress에서 1.23 V의 문턱 전압 변화율, negative bias temperature illumination stress에서 2.06 V의 문턱 전압 변화율을 보여 뛰어난 전기적, 신뢰성 특성을 확인하였다.
반도체/디스플레이 산업분야의 발전으로 진공 공정 기술력 또한 증진되고 있다. 반도체소자의 초미세화, 진공부품의 대면적화가 진행 되면서 진공 공정 중에 발생하는 오염입자를 제어하는 것이 이슈가 되고 있다. 오염입자는 플라즈마의 물리적인 부식과 활성이 높은 화학반응에 의해 진공부품에서 부식이 진행되어 발생하며, 이는 반도체 및 디스플레이 부품의 신뢰성측면과 수율저하 등 life time의 근본적인 문제점으로 대두되고 있다. 본 연구에서는 반도체/디스플레이 장비용 코팅부품으로 많이 사용되고 있는 Al2O3 코팅막을 이용하였으며, sealing time에 따른 Anodic Aluminum Oxide (AAO) electrode의 물성특성평가 및 진공평가기술을 이용하여 life time을 예측하는 연구를 수행하였다.
최근 저압 배전계통에서 사용되고 있는 과부하겸용 누전차단기 즉, RCD의 저조한 응답특성으로 인한 전기화재 원인의 대부분을 차지하는 단락사고 및 과부하사고에 대한 대응이 매우 미흡한 실정이다. 이에 본 논문에서는 기존 RCD에 대한 모의 사고실험을 통하여 그 비신뢰성을 확인하고, 이러한 RCD의 단점을 개선하고자 내구성과 속응성이 우수한 반도체 스위칭 소자들과 고정밀 전류센서를 이용한 "전기화재 방재장치(EFDPD : Electrical Fire Disaster Prevention Device)"를 제안하여 저압 배전계통에서의 단락 및 과부하사고로 인한 전기재해를 방지하고자 한다. 제안한 장치의 고정밀 전류센서로 사용된 리드스위치는 각종 전기사고에서 수반되는 단락전류 및 과전류에 의한 배전선로의 상승된 자속을 정밀 감지한 후, 자체 차단장치를 동작시키는 원리를 가진다. 다양한 동작특성 분석을 통하여 기존의 차단기와 비교하여 차단동작 응답속도와 그 신뢰성이 입증된다. 이로써 제안한 전기안전 제어장치는 기존 RCD들의 빈번한 오동작과 비신뢰성, 저조한 응답특성으로 인한 각종 전기사고 및 전기화재의 발생을 방지하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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