• Title/Summary/Keyword: 반도체 레이저

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Development of Non-contacting Module for CRT Measurement (비접촉식 CRT 계측용 모듈개발)

  • 강성구;김정기;권진혁
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.204-205
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    • 2000
  • 본 연구에서는 반도체 레이저 LD 혹은 백색광로부터 조사되는 빔을 CRT 모니터의 측정부에 입사시켜 패널 glass와 섀도우 마스크에서 반사되는 빔을 PSD에 조사하여 섀도우 마스크의 진동을 측정하였으며, CCD를 사용하여 열적변형과 패널 glass의 아랫면과 섀도우 마스크사이의 간격 Q값을 측정하였다. 사용한 PSD는 검출 영역은 12mm, 센서의 위치분해능은 0.2$mu extrm{m}$이며, 실시간적으로 처리할 수 있는 장점을 갖고 있다. CRT의 경우 전자빔의 충돌에 의한 섀도우 마스크의 열적 변형과 진동에 의한 섀도우 마스크의 떨림이 발생하여 화질이 저하된다. Q값의 정확한 계측과 섀도우 마스크의 열적변형 및 진동의 측정을 통하여 이들 현상이 발생되는 근본적인 취약구조를 발견함으로써 우수한 섀도우 마스크를 설계하고 제품의 성능을 향상시킬 수 있다. (중략)

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The 607nm GaInP/AlInP Distributed Bragg Reflector Visible Laser Grown by Gas source Molecular Beam (GSMBE에 의한 단파장 GaInP/AIInP DBR 반도체 레이저 제작 및 특성)

  • ;;Katsumi Kishino;Yawara Kaneko
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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    • v.30A no.9
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    • pp.24-29
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    • 1993
  • The 607 nm GaInP/AlInP distributed bragg reflector (DBR) lasers using the second order gratings period of 184.7 nm were fabricated by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) and the conventional holographic method. GaInP/AlInP DBR lasers show single mode operations up to 1.8 times the threshold currents with a wavelength of 607 nm at 140 K and a wavelength shift of 0.033 nm/K is observed. No mode hopping was found in the temperature ranging from 120 to 165K.

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An analysis of the lateral first-order mode characteristics for the semiconductor laser diodes (반도체 레이저 다이오드의 횡방향 1차모드의 특성 해석)

  • 김형래;곽계달
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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    • v.32A no.12
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    • pp.91-100
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    • 1995
  • This paper represents the lateral first-order mode characteristics for the semiconductor laser diodes using a two-dimensional numerical simulator. In order to analyze the lateral first-order mode characteristics, Helmholtz wave equation is solved twice for the lateral fundamental and the first-order mode considering the mode gain, total losses, and the recombination rate due to the stimulated emission radiation for the each mode independantly. Through this procedure, we find that the lateral first-order mode was easily guided as increasing the stripe width for the index-guiding structures, and that the lateral first-order mode seems to be dominated in the distribution of total light intensity when its output power reaches nearly half of that of the lateral fundamental mode. This results may be used to design the device structure which guides only the lateral fundamental mode.

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Analyses of Encryption Method for Chaos Communication Using Optical Injection Locked Semiconductor Lasers (반도체 레이저의 광 주입을 이용한 혼동 통신망의 암호화 기법 분석)

  • Kim Jung-Tae
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.9 no.4
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    • pp.811-815
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    • 2005
  • We theoretically studied synchronization of chaotic oscillation in semiconductor lasers with chaotic light injection feed-back induced chaotic light generated from a master semiconductor laser was injected into a solitary slave semiconductor laser. The slave laser subsequently exhibited synchronized chaotic output for a wide parameter range with strong injection and frequency detuning within the injection locking scheme. We also analytically examined chaos synchronization based on a linear stability analysis from the view point of synchronization based on a linear stability analysis from the view point of modulation response of injection locked semiconductor lasers to chaotic light signal.

The Carrier Diffusion Modeling of CSP-DH Semiconductor Laser Structures (CSP-DH 구조 반도체 레이저의 캐리어 확산 방정식을 위한 모델링)

  • Lee, S.T.;Jeon, H.S.;Lee, C.Y.;Um, K.Y.;Yoon, J.W.;Yoon, S.B.;Oh, H.S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1988.07a
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    • pp.469-471
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    • 1988
  • The basic modeling is analyzed on the optoelectronic properties of CSP-DH laser structure using self-consistent calculation of optical field and the electron-hole distribution in the active region. Laser properties is modelled include gain profile, threshold, near field and far field pattern. This new characterization is allowed for consideration such as carrier spatial hole burning due to strong optical fields which stimulate recombination.

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구조용강 맞대기 용접부의 면외변위 측정

  • 김성현;차용훈;성백섭;박창언
    • Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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    • 2001.11a
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    • pp.130-134
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    • 2001
  • ESPI는 물체 표면의 광학적 거치기에 의해 집속성이 우수한 Laser 광원이 물체 표면에 조사되면 미세하고 랜덤한 반점들로 관측된다. 이들은 밝고 어두운 반점 형태로 관측 위치나 렌즈와 상관없이 관측된다. ESPI법은 스트레인게이지, 홀로그래피 및 모아래 기법과는 달리 비접촉, 실시간, Whole-field, 레이저 파장 단위까지 측정이 가능하여 기존의 방법들의 문제점을 극복할 수 있는 신기술이라 할 수 있다. ESPI는 반도체와 같은 소형의 제품뿐만 아니라 기존에 측정하지 못했던 초고온, 대형 구조물의 변형도 정확하게 측정을 할 수 있어 많은 분야에 응용이 가능하다 또한 기존의 방법들을 대신하여 더욱 정밀한 측정을 할 수 있으며, 기존의 방법으로는 측정하지 못했던 특수한 경우에도 측정이 가능하다.(중략)

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Effect of Surface Recombination on the Light-Emitting Property of Two-Dimensional Photonic Crystals (표면 비발광 결합이 2차원 광결정의 발광 특성에 미치는 영향)

  • ;;;R. Sellin;D. Birilberg
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2001.02a
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    • pp.20-21
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    • 2001
  • 광결정(photonic crystal)은 빛의 파장 크기 정도의 격자 상수를 지닌 1차원, 2차원, 또는 3차원의 주기적인 구조이다. 최근에 2차원 광결정 공진기 구조에서 광펌핑으로 레이저 발진이 성공한 결과가 발표되면서 광결정 구조를 이용한 광소자로의 응용이 본격적으로 시작되고 있다. 하지만, 2차원 광결정 발광 구조에서는 능동 매질이 공기 중과 접한 영역이 넓어서 필연적으로 면에서의 비발광 결합이 중요한 문제가 된다. 이러한 문제 때문에 반도체에 기반한 광결정 구조 중에서는 비발광 결합이 비교적 적은 InP/InGaAsP 계열 물질이 능동 매질로 이용되어 왔다. 본 연구에서는 광결정 발광 구조에서 표면 비발광 결합이 실제로 어느 정도나 영향을 미치는가에 대한 연구를 수행하였다. (중략)

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전자처리 스펠클 간섭법을 이용한 다점 용접 접합부의 면외 변위측정

  • 박영문;차용훈;성백섭;김일수;김하식
    • Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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    • 2001.11a
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    • pp.124-129
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    • 2001
  • 점 용접부는 응력상태가 복잡하고, 피로균열은 판 두께, 너겟 직경, 용접 타점수, 부하 방식 등의 역학적인 인자와 재질, 화학성분, 표면 상태 등의 재료적인 인자, 그리고 용접전류, 가압력, 통전 시간등의 용접적인 인자의 영향을 동시에 받으며 3차원적으로 성장하므로 균열 성장 모드는 항상 혼합보드이고 균열이 박판 내면에서 발생. 성장하므로 검출이 곤란하여 균열 성장의 해석 및 예측이 어렵다/sup 1)/. 따라서 비접촉, 실시간, Whole-field, 레이저 파장 단위까지 측정이 가능하여 기존의 방법들의 문제점을 극복할 수 있고, 반도체와 같은 소형의 제품뿐만 아니라 기존에 측정하지 못했던 초고온, 대형 구조물의 변형도 정확하게 측정을 할 수 있는 ESPI법을 이용하여 일반가전 제품, 자동차 건축용에 많이 사용되고 있는 아연도금강판(SGCC)을 선택하여 단일 용접조건으로 점용접의 피치를 변화시켜 시험편을 제작하고 면외변위를 다각도로 측정하여 그 가능성을 검증하고자 한다.(중략)

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Surface profiling by the phase shifting method in fiber-optical confocal scanning interference microscopes (광섬유 공초점 간섭 현미경과 위상 변위법을 결합한 표면 검색)

  • 김대찬;이승걸
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.10 no.3
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    • pp.201-207
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    • 1999
  • The fiber-optical confocal scanning interference microscope with a simple configuration was constructed with a 4-port fiber-optic coupler, and the new method based on the phase shifting method was proposed for surface profiling by the system. In the method, the height of a specimen was determined from the phase of confocal beam. It was verified experimentally that the method was applicable to even the confocal interference microscope with a long-wavelength source and a low NA objective, and that the scanning time could be drastically reduced compared with the conventional method. Finally, it was found that our method is less sensitive to the variation of surface reflectivity than the conventional method.

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