• 한국광학회지
• /
• 제8권2호
• /
• pp.111-115
• /
• 1997

광통신의 파장(1.3.mu.m)에서 동작하는 수직공진 표면광 반도체 레이저를, InGaAsP(.lambda.$_{g}$=1.3.mu.m)이득매질의 에피충돌 양면에 Si/SiO$_{2}$ 유전체 반사경을 증착하여 제작하였다. 제작된 수직공진 반도체 레이저를 Nd-YAG 레이저의 펄스로 광펌핑하여 1.3mu.m근처 파장에서 레이저 동작을 확인하였다. 그리고, 반사율에 따른 문턱 펌프량의 변화, 편광특성 및 펌프광점의 크기에 따른 문턱 펌핑 밀도의 변화 등의 레이저 동작 특성을 조사하였다.

• 한국광학회지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.24-27
• /
• 1996

790nm의 반도체 레이저를 이용하여 수용액 속에 잠겨있는 $3~4\mu\textrm{m}$크기의 yeast입자를 포획하는데 성공하였다. 포획된 입자는 2차원 평면과 3차원 공간의 이동에도 안정된 포획 상태를 유지하였다. 이 실험으로 레이저 광속이 매질과 입자의 표면에서 굴절할 때, 입자의 굴절률과 매질의 굴절률의 차에 의하여 생기는 광압의 존재를 확인하였다. 그리고 레이저 광속에 수직하게 입자를 움직이면서 레이저 광속에 수직한 방향의 포획력을 측정하고 레이저의 출력에 따른 변화를 연구하였다.

• 한국광학회지
• /
• 제2권2호
• /
• pp.67-73
• /
• 1991

단일 종모드로 동작하며, 10mW의 출력을 가지는 AlGaAs 반도체 레이저를 이용하여 Fabry-Perot 공진기형 레이저 증폭기 시스템을 구성하고 비포화 신호이득(unsaturated signal gain), 신호이득 대역폭(signal gain bandwidth), 포화출력(saturation power)을 측정하였다. 증폭기 레이저의 펌핑전류에 따른 비포화 신호 이득은 발진 문턱 전류 근처에서 $0.7\mu\textrmW$의 레이저 출력을 증폭기 레이저에 입사시켰을 때 최대 25dB을 얻었으며 이때 신호이득의 대역폭이 3 GHz 정도임을 확인하였다. 또한 입력 세기(input power)에 따른 비포화 신호이득의 변화를 측정하고 이때의 포화출력을 측정하였다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제27권6호
• /
• pp.32-38
• /
• 2010

Laser material processing technology is adopted in several industry as alternative process which could overcome weakness and problems of present adopted process, especially semiconductor and display industry. In semiconductor industry, laser photo lithography is doing at front-end level, and cutting, drilling, and marking technology for both wafer and EMC mold package is adopted. Laser cleaning and de-flashing are new rising technology. There are 3 kinds of main display industry which use laser technology - TFT LCD, AMOLED, Touch screen. Laser glass cutting, laser marking, laser direct patterning, laser annealing, laser repairing, laser frit sealing are major application in display industry.

• 한국광학회지
• /
• 제17권5호
• /
• pp.455-460
• /
• 2006

광섬유 연결 반도체레이저를 여기원으로 하는 단면여기 세라믹 Nd:YAG 레이저의 출력 특성과 레이저 출력에 영향을 미치는 열 영향에 대하여 연구하였다. 반사율이 90.4 %인 출력거울을 사용하였을 경우 약 33.8 %의 최대 출력 효율을 얻었고, 기울기 효율은 39.3 %를 나타내었다. 세라믹 Nd:YAG의 열렌즈 효과에 의해 여기 파워 6 W 이상에서 출력 감소 현상이 나타났으며, 12 W 부근에서 레이저가 발진되지 않았다.

• 광학세계
• /
• 제13권2호통권72호
• /
• pp.42-44
• /
• 2001

엑시머 레이저의 큰 단점은 유지 보수에 비용이 많이 든다는 것이었으나 최근의 반도체 노광용 엑시머 레이저는 출력 안정성, 사용 수명, 펄스 반복률에서 매우 발전된 모습으로 나오고 있다. 반면 큰 에너지를 가진 자외선 펄스를 만들 수 있다는 장점이 있으며, 점차 수요가 늘고 있어 이와 같은 추세라면 엑시머 레이저도 $CO_2$ 레이저처럼 싸고 다루기 편한 형태로 개발되어 미세가공 분야에서 쉽게 사용할 날도 멀지 않았다.

• 광학세계
• /
• 통권88호
• /
• pp.21-24
• /
• 2003

새로운 레이저의 출현과 고도의 생산기술 요구는 레이저 가공의 실용화를 보다 가속화 시키는 견인차가 되고 있다. 레이저 자체에 대한 산업의 규모는 크지 않으나 이를 이용한 제품의 품질향상, 고유기술 영역의 창출 그리고 생산단가 저하 등이 가져오는 효과는 매우 크다고 하겠다.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2006년도 하계학술발표회 논문집
• /
• pp.15-16
• /
• 2006

• 한국레이저가공학회:학술대회논문집
• /
• 한국레이저가공학회 2002년도 추계학술발표대회 논문개요집
• /
• pp.65-67
• /
• 2002

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
• /
• pp.98-98
• /
• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.