• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.8 no.2
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• pp.111-115
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• 1997

Vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)s operating at 1.3-micron wavelength for optical communication are fabricated by using Si/SiO$_2$dielectric quater-wave pairs on both sides of the InGaAsP(${\lambda}_g$=1.3 ${\mu}{\textrm}{m}$) gain material. VCSELs are optically pumped with a Nd-YAG laser in a pulsed mode and lasing around 1.3 microns is observed. Lasing characteristics such as threshold pump intensity as a function of mirror-reflectivity, polarization, and threshold pump density with pump spot size are investigated.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.7 no.1
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• pp.24-27
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• 1996

We describe the optical trapping of yeast particles of $3~4\mu\textrm{m}$ in water solution using a diode laser operating at 790 nm. The yeast particles are trapped by a laser focus and are moved in 2- or 3-dimensions. This confirms the concept of negative light pressure by the gradient force due to the difference of the index of refractions of solutions and particles. By moving yeast particle vertically to the laser beam axis, we measured the horizontal component of the trapping force and compared it with the laser power.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.2 no.2
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• pp.67-73
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• 1991

The unsaturated signal gain, signal gain bandwidth, and saturation power which are important parameters determining characteristics of the semiconductor laser amplifier were measured for an AlGaAs Fabry-Perot cavity type laser amplifier and compared with the results of Fabry-Perot formula. The unsaturated signal gain 25 dB is obtained near oscillation thereshold current at $0.7\mu\textrmW$ input power. The corresponding signal gain bandwidth was about 3 GHz. Also. We measured the variation of the saturation signal gain and saturation power.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.27 no.6
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• pp.32-38
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• 2010

Laser material processing technology is adopted in several industry as alternative process which could overcome weakness and problems of present adopted process, especially semiconductor and display industry. In semiconductor industry, laser photo lithography is doing at front-end level, and cutting, drilling, and marking technology for both wafer and EMC mold package is adopted. Laser cleaning and de-flashing are new rising technology. There are 3 kinds of main display industry which use laser technology - TFT LCD, AMOLED, Touch screen. Laser glass cutting, laser marking, laser direct patterning, laser annealing, laser repairing, laser frit sealing are major application in display industry.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.17 no.5
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• pp.455-460
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• 2006

The output characteristics of a ceramic Nd:YAC laser pumped by a fiber-coupled laser diode was investigated. An efficiency and a slope efficiency of 33.8 % and 39.3 % respectively were obtained, under an output coupler reflectance of 90.4 %. The laser power has decreased suddenly due to the thermal tensing effect more than 6 W pumping powers.

• The Optical Journal
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• v.13 no.2 s.72
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• pp.42-44
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• 2001

엑시머 레이저의 큰 단점은 유지 보수에 비용이 많이 든다는 것이었으나 최근의 반도체 노광용 엑시머 레이저는 출력 안정성, 사용 수명, 펄스 반복률에서 매우 발전된 모습으로 나오고 있다. 반면 큰 에너지를 가진 자외선 펄스를 만들 수 있다는 장점이 있으며, 점차 수요가 늘고 있어 이와 같은 추세라면 엑시머 레이저도 $CO_2$ 레이저처럼 싸고 다루기 편한 형태로 개발되어 미세가공 분야에서 쉽게 사용할 날도 멀지 않았다.

• The Optical Journal
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• s.88
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• pp.21-24
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• 2003

새로운 레이저의 출현과 고도의 생산기술 요구는 레이저 가공의 실용화를 보다 가속화 시키는 견인차가 되고 있다. 레이저 자체에 대한 산업의 규모는 크지 않으나 이를 이용한 제품의 품질향상, 고유기술 영역의 창출 그리고 생산단가 저하 등이 가져오는 효과는 매우 크다고 하겠다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2006.07a
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• pp.15-16
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• 2006

• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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• 2002.11a
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• pp.65-67
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• 2002

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.98-98
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• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.