• 제목/요약/키워드: 반도체설계

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통신용 반도체 기술개발추세

  • 차진종
    • ETRI Journal
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    • 제8권4호
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    • pp.4-17
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    • 1986
  • 통신용 반도체 기술의 특징으로는 소량 다품종, 초고속화, 애널로그 회로의 집적화, 광집적회로화 등을 들 수 있다. 통신 시스팀의 실현에는 소형화, 저소비 전력화, 초고속화 등의 이유로 LSI 또는 VLSI의 적용이 대전제로 되고 있다. 본고에서는 현재 사용되고 있는 신호 처리, 신호 전송, 전달 처리, 정보 처리용의 주요 LSI에 대하여 살펴보는 한편, 통신용 반도체의 요구 조건을 만족시키기 위한 반도체 기술 중에서 설계 기술과 공정 기술에 대한 최근의 기술 동향을 살펴보고자 한다. 즉, LSI산업의 변환기를 가져오고 있는 직접회로 설계 기술인 ASIC과 함께, 집적도의 향상에 따라 애널로그기능과 디지틀기능을 하나의 칩에 형성시킬 수 있는 BiCMOS 공정기술에 대한 기술 동향을 살펴본다.

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반도체 메모리의 전망

  • 유영갑
    • 전자공학회지
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    • 제34권7호통권278호
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    • pp.20-27
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    • 2007
  • 반도체 집적회로 설계 자동화기술의 발전은 반도체 상당 수준의 시스템 구현 가능성을 비 전문가들에게 열어주었다. 알고리즘 수준의 시스템 정의가 가능하다면 이것을 하드웨어로 만드는 것이 어렵지 않게 되었다. 시스템설계에서 가장 핵심이 되는 메모리의 활용은 이들 비 전문가들에게 넘어야 할 큰 장애물이다. 이 글은 반도체 메모리 기술의 발전 전망을 예측하여 줌으로써 시스템 기술자들이 쉽게 어려움을 극복하도록 도와주는 것이 목적이다. 메모리 기술에 대한 접근을 쉽게 해주는 몇 가지 방법을 소개하였다. 시스템 구성에서의 메모리, 메모리 칩의 기술 등을 요약하였다. 시스템에서의 요구 사항을 들어주는 것을 바탕으로 장래를 전망하였다.

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자동차용 WBG 전력반도체 및 전력변환 모듈과 ETRI GaN 소자 기술 (Trends in Wide Band-gap Semiconductor Power Devices for Automotive, Power Conversion Modules and ETRI GaN Power Technology)

  • 고상춘;장우진;정동윤;박영락;전치훈;남은수
    • 전자통신동향분석
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    • 제29권6호
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    • pp.53-62
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    • 2014
  • 본고는 최근 화두가 되고 있는 에너지 절감을 위해 고효율, 친환경의 WBG(Wide Band-Gap) 화합물반도체인 SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallium Nitride) 전력반도체 소자 및 전력변환 모듈의 기술동향과 ETRI에서 연구개발 진행 중인 GaN 전력반도체 관련 기술에 대해 기술한다. WBG 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체와 비교하여 열 특성 향상, 고속 스위칭, 고전압/고전류 특성 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능하고 이에 따른 시스템의 소형화 및 전력효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 특히, GaN 전력반도체 소자는 시장이 가장 넓게 형성되어 있는 900V 이하에 적용이 가능하며, 앞으로 시장이 커질 것으로 예상되는 HEV(Hybrid Electric Vehicle)/EV(Electric Vehicle)의 친환경 자동차에도 활용될 것으로 기대되고 있다. 본고는 최근의 일본과 미국에서의 WBG 전력반도체에 대한 관심 및 투자 방향과 GaN 전력반도체 소자에 대한 해외 기업의 업계동향에 대해서도 함께 살펴본다. 이러한 WBG 전력반도체에 대한 해외 선진업체의 산업동향과 더불어 ETRI에서 연구개발 중인 GaN 전력반도체 기술현황에 대해 전력소자 설계 및 제조공정, 패키징, 전력모듈 설계 제작 기술을 포함하여 기술한다.

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AlGaN/GaN HEMT의 수치해석 시뮬레이션 연구 (Numerical Simulation of AlGaN/GaN HEMT)

  • 하민우;최강민;곽재원
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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    • pp.1124-1125
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    • 2015
  • 밴드-갭이 큰 반도체는 실리콘에 비하여 다양한 전기 물성 장점을 가져 고주파수 증폭 소자나 차세대 전력 반도체 소자로 각광을 받고 있다. 다양한 와이드 밴드-갭 반도체 중 AlGaN/GaN 이종접합 반도체는 채널의 높은 전도성과 높은 임계 전계로 인하여 우수한 전기적 특성을 가진다. 최근 발전된 수치해석 시뮬레이션을 이용하여 AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (high-electron-mobility transistor, HEMT)의 설계연구를 진행하였다. AlGaN 장벽층의 두께가 증가할수록 채널의 전자 면 농도가 증가하도록 설계하였다. 또한 게이트 필드 플레이트 설계를 통하여 AlGaN/GaN HEMT의 역방향 전계 피크를 1개에서 2개로 증가시켜 항복전압을 368 V에서 최대 822 V로 개선하였다. 수렴문제를 개선한 수치해석 시뮬레이션은 RF power AlGaN/GaN HEMT의 설계에 유용하다.

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간단한 구조를 갖는 직렬 반도체 스위치 스태킹 기반 고전압 스위치 및 게이트 구동 회로 설계 (Design of High Voltage Switch Based on Series Stacking of Semiconductor Switches and Gate Drive Circuit with Simple Configuration)

  • 박수미;정우철;류홍제
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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    • pp.221-223
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    • 2020
  • 반도체 기반 고전압 펄스 발생장치에 적용 가능한 고전압 스위치는 주로 수 kV 정격의 반도체 스위치를 직렬로 스태킹하여 구성되며, 이때 각 스위치 소자에는 절연과 동기화된 각각의 게이트 신호가 인가되어야 한다. 본 논문에서는 짧은 펄스 폭의 온, 오프 게이트 펄스와, 단일 턴의 고전압 전선을 일차측으로 갖는 게이트 변압기를 통해 직렬로 구성된 반도체 스위치 스택 기반의 펄스 모듈레이터에 적용 가능한 간단한 구조의 게이트 구동회로가 설계되었다. 각 스위치에 게이트 신호를 전달하기 위해 온, 오프 게이트 펄스를 사용함으로써 게이트 변압기의 포화를 방지할 수 있으며, 이때 각 스위치의 게이트 턴-온, 오프 전압은 변압기 이차측의 제너 다이오드와 스토리지 커패시터를 통해 유지된다. Pspice 시뮬레이션을 통해 12개의 IGBT를 직렬로 구성하여 설계된 구조의 게이트 회로를 적용, 최대 10kV 펄스 출력 조건에서 안정적인 동작을 확인하고 설계를 검증하였으며 1200V 급 IGBT를 사용하여 실제 스위치 스택과 게이트 구동회로 모듈을 1리터 이내의 부피로 고밀도화하여 제작하였다.

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Stocker 수와 가동률의 최적화를 위한 Stocker 배치 방법 (The Arrangement of Stocker for Optimization Number and Utilization)

  • 안종호
    • 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
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    • 한국시뮬레이션학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.30-34
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    • 1999
  • 반도체 산업의 시장은 매년 증가하고 있으며 생산환경, 설비 등의 변화로 인하여 매년 많은 수의 기존 FAB Line이 변화되고 새로이 건설되고 있다. 그 동안 반도체 산업의 성장은 주로 설계기술, 설비기술, Chip Size의 소형화 등의 기술적인 개발에 의존하고 있었으나 반도체 기술의 확산, 시장 경쟁력의 격화 등으로 생산성 향상에 의한 원가절감이 성장의 근본요인이 되고 있다. 즉 FAB Line의 시스템적인 관리통제의 기술이 반도체 산업의 성패를 좌우하는 시대로 접어든 것이다. FAB Line은 크게 Bay와 Stocker, 각 Lot (또는 Batch) 들을 운반하는 Inter-System으로 구성된다. 이러한 Line은 대체 특성, 분기 현상, 돌발 상황 등의 특수한 경우가 많아 Analytic 모델로 접근하기에는 사실상 불가능하다. 특히 Stocker와 Bay 간의 이동은 더욱 그렇다. 따라서 적절한 설계과정을 거친 Simulation적 접근이 합리적이다. 본 논문에서는 FAB Line에서 Stocker 배치의 다양한 실험을 수행하였다. 그 결과 Line에서 최적의 Stocker 수와 가동률을 알아내었다. 반도체 생산라인에서는 제품별 또는 같은 제품이라도 Version이 다른 경우 FAB 공정가운데 약 10% 내외만이 바뀌는 점을 감안하면 본 논문의 결과는 쉽게 생산현장에 적용될 수 있을 것이며, 이것은 비단 반도체 공정뿐 아니라 제조업에서도 적용되리라 예상한다.

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RF Match의 기구적 최적설계

  • 설용태;박성진;이의용
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
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    • pp.188-191
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    • 2005
  • 본 논문에서는 RF 플라즈마 발생 장치인 RF-Match의 기구적 최적 설계를 제안하였다. RF-Match의 정합소자 구동 기어단의 효율 개선을 위해 베벨기어를 웜기어로 대체 설계하여 백래쉬를 제거하였으며, 정합소자의 고전력 인가로 인한 아크 발생 문제의 해결을 위해 접지를 개선하여 RF-Match의 기구적 성능을 향상 시켰다.

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반도체 IP 인터페이스의 표준화된 기술 방법 (Standardized Description Method of Semiconductor IP Interfaces)

  • 이성수
    • 전기전자학회논문지
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    • 제18권3호
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    • pp.349-355
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    • 2014
  • 반도체 IP를 재사용하여 통합 칩을 개발하기 위해서는 반도체 IP 인터페이스의 정확한 이해가 필수적이다. 그러나 이들 인터페이스는 대부분 원래 설계자의 스타일대로 기술되어 있는데다가 기술 방법이 제각각이어서 통합 칩 설계자가 이해하는데 많은 혼란이 따른다. 본 논문에서는 반도체 IP 인터페이스를 기술하는 표준화된 방법을 제안한다. 제안하는 기술 방법은 반도체 IP 인터페이스를 IP 정보, 기술 수준, 모델 제공, 데이터 타입, 인터페이스 정보, 포트 정보, 신호 정보, 프로토콜 정보, 소스 파일의 9개 항목으로 나누어 정의한다. 제안된 방법은 통합 칩 설계자가 반도체 IP의 인터페이스를 이해하고 통합 칩을 구현하는데 도움이 된다.

DEVS 기반 OHT 시뮬레이션 시스템 설계 (DEVS Based OHT System Simulation Design)

  • 이복주;강봉구;권용환;최영규;한경아;서경민
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2020년도 춘계학술발표대회
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    • pp.368-371
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    • 2020
  • 반도체 제조시설의 효율성을 위해 대부분의 현장에서는 물류 자동화 시스템 (AMHS, Automated Material Handling System)을 도입하여 운영하고 있다. OHT(Overhead Hoist Transfer)는 반도체 공정에서 주로 활용되는 Monorail 컨베이어 형태의 자동 반송 시스템의 일종으로 작업물을 들고 제조라인 위에 설치된 레일을 따라 자율적으로 이동하는 방식으로 운영된다. 도체 물류 시스템의 계층적인 구조적 특징과 고가의 재료를 다루고, 외부유출이 어려운 실제 공정 현장, 실험 환경의 시간, 공간적 구축 등의 현실적 특징 때문에 반도체 제조 공정의 자동화 물류시스템에 대한 모델링 및 시뮬레이션을 통한 연구의 필요성이 대두되고 있다. 본 논문에서는 OHT를 효율적으로 제어하기 위해 DEVS(Discrete Event System Specifications) 형식론을 기반으로 OHT 시스템 모델링 및 시뮬레이션 설계 방법을 제안한다. 이를 위해 반도체 제조 시스템의 전반적인 물류 과정에 대해 분석하고, DEVS 형식론에 대해 연구하며, 이를 바탕으로 반도체 물류 시스템을 위한 모델링 및 시뮬레이션을 설계하였으면, 실험을 통해 제안된 모델리 반도체 물류 시스템 시뮬레이션을 수행할 수 있음을 보인다.

VD Now-팹리스 업체 눈부신 도약

  • 벤처기업협회
    • 벤처다이제스트
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    • 통권90호
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    • pp.8-9
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    • 2006
  • 국내 주요 팹리스 반도체 기업들이 올해도 성장을 거듭하며 한국 반도체 업계의 희망이 되고 있다. 자체 생산설비 없어도 반도체 설계 기술력만으로 성공적인 성과를 내며 새로운 사업모델을 정착시키고 있는 팰리스 업체들. 2006년 1월, 팹리스 산업 동향을 살펴봤다.

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