• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.237-237
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• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[1], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.236-236
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• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[l], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.233-233
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• 2003

교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO 층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후, 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층 박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다 최근에는 교환바이 어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다. 본 연구에서는 Helmhertz 코일의 진동샘플형 자력계(VSM)을 이용하여 Si 기판위에 증착된 NiFe(10nm)/FeMn(t)/NiFe(10nm) 다층박막에서 FeMn층의 두께에 대한 각각의 교환바이어스 현상을 조사하고 사잇층 FeMn층의 surface를 Ar ion beam etching하여 etching 조건에 따른 교환바이어스를 비교분석 하고자 한다.

• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.31 no.1
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• pp.58-66
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• 2003

This paper discusses the practical issue of the bias estimation of the KOREASAT ground tracking data. First, a batch filter based orbit determination algorithm including the turn around range measurement in addition to the range, azimuth and elevation measurement is presented. Then the estimation performance is analyzed through simulation studies. Additionally, this paper proposes a tracking antenna bias estimation strategies using accurately tuned secondary ground tracking station. Finally the relationship between antenna biases are analyzed to give comprehensive tool for estimation results evaluation.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 2010.04a
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• pp.35.2-35.2
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• 2010

전리층의 총전자수는 이중주파수 GPS 관측정보에 의해 추정될 수 있다. 그러나 GPS 신호에 의해 추정된 총전자수 값은 'DCB(Differential Code Biases)'라 불리는 GPS 위성과 수신기의 하드웨어 바어어스에 의해 영향을 받는다. 이러한 하드웨어 바이어스는 전리층 총전자수 추정의 정확도에 심각한 영향을 줄 수 있기 때문에 반드시 고려해야만 한다. 수신기의 하드웨어 바이어스는 수십 나노초(nano-seconds)에 도달할 수 있고, 수신기의 타입 또는 주변 온도 그리고 수신기 모델마다 다를 수 있다. 이 연구에서는 한국천문연구연과 국토해양부에서 운영하는 GPS 기준국 관측정보를 활용하여 각각의 수신기 바이어스를 1시간 간격으로 추정하고, 변화 특성을 분석한다. 일부 GPS 수신기 바이어스는 IGS (International GNSS Service)에서 제공하는 수신기 바이어스와 그 결과를 비교하여 검증한다. 또한 한반도 상공의 전리층 총전자수 추정과 GPS 수신기 바이어스의 영향을 제시한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1420-1421
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• 2011

비정질 IGZO 박막 트랜지스터에 포지티브 직류/교류 게이트 바이어스를 인가하여 신뢰성을 분석하고 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 신뢰성을 고려한 시프트 레지스터 회로를 설계하였다. 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 문턱전압은 바이어스 스트레스가 인가되었을 때 양의 방향으로 이동하였고, 전류가 감소하였다. 또한 문턱전압은 직류 바이어스 스트레스가 인가되었을 때 교류 바이어스 스트레스가 인가 되었을 때 보다 더 양의 방향으로 이동하였다. 총 8개의 박막 트랜지스터로 구성된 일반적인 시프트 레지스터 회로에서는 특정 박막 트랜지스터에 직류 바이어스 스트레스가 걸리기 때문에 비정질 IGZO 박막 트랜지스터를 이용하여 구동할 때 회로 오동작을 유발할 수 있다. 비정질 IGZO 박막 트랜지스터의 신뢰성 결과를 고려하여 총 9개의 박막 트랜지스터로 구성된 교류 동작하는 시프트 레지스터 회로를 설계하였다. 모든 소자에 직류 바이어스 스트레스가 걸리지 않도록 회로를 설계하였으며, 추가된 트랜지스터의 채널 너비가 매우 작기 때문에 트랜지스터가 하나 추가되어도 회로가 차지하는 면적에는 거의 변화가 없다. 바이어스 스트레스에 따른 소자 열화를 고려하여 시뮬레이션을 해 본 결과 일반적인 회로에서는 회로 오동작이 관측된 반면, 제안한 회로에서는 문제없이 동작하는 것을 확인하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.44 no.3 s.357
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• pp.1-6
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• 2007

A drain bias switching technique is presented to enhance power added efficiency for WiBro and wireless LAN dual band and dual mode transmitter. Some simulations have been done to predict the effect of drain and gate bias change, and bias switching is proposed to get the higher efficiency for dual mode transmitter which generates different output power for different applications. With drain bias switching and simulated optimum fixed gate bias, the amplifier shows dramatic PAE improvement compared to the amplifier without bias switching. The drain and gate bias switching technique will be useful for multi mode communication system with various functions.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.49 no.10
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• pp.43-46
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• 2012

In this paper, high efficiency power amplifier is implemented with high gain amplifier. Two-stage amplifier using adaptive bias control circuit improve efficiency at low input power. Fixed bias circuit and adaptive bias circuit both have about 76 % efficiency at maximum power level. However amplifier using an adaptive bias control circuit has 70 % at 6 dBm input power level when the amplifier using fixed bias circuit has 50%. The proposed power amplifier using the adaptive bias control circuit can have high efficiency at lower power level.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.221-221
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• 2003

본 연구에서는 스핀밸브 다층박막에서 교환 바이어스에 영향을 끼치는 요인 중 하나인 강자성층과 반강자성층사이의 접합 계면에서의 표면 거칠기 [1,2]를 줄이기 위해 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 이온빔 에칭 장비를 사용하여 스핀 밸브 다층박막의 씨앗층 에칭에 따른 교환 바이어스를 알아보고자 하였다. 스핀밸브 구조는 강자성층/비자성층/강자성층의 기본구조를 갖는데 이중 하나의 강자성층의 스핀방향이 반강자성층에 의해 고정되는 구조[3]로써 이러한 고정 효과를 교환 바이어스(exchange bias)라 부른다. 교환 바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 나타나는 현상으로 이러한 교환 바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기 메모리소자에 응용되어 기존의 자기저항 소자의 특성을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.

• Proceedings of the Korean Society of Marine Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.301-302
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• 2006

초고주파 전력 증폭기의 바이어스 전압을 조절하여 온도 변화에 따른 드레인(Drain) 전류의 변화를 억제하기 위한 저가의 능동 바이어스 모듈을 개발한다. 능동 바이어스 모듈을 5 W급 초고주파 전력증폭기에 적용하였을 경우, $0{\sim}60^{\circ}C$까지의 온도변화에 대하여 소모전류 변화량은 0.1 A 이하로 되어야 한다. 본 기술 개발 대상인 능동 바이어스 모듈의 성능 시험을 위한 대상 전력증폭기는 $2.11{\sim}2.17GHz$ 주파수 대역에서 32 dB 이상의 이득과 ${\pm}0.1\;dB$ 이하의 이득 평탄도, -15 dB 이하의 입.출력 반사손실을 가진다.