• Title/Summary/Keyword: 물-공기 직접접촉

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Performance of Underground Air-to-Water Heat Pump with Direct Contact Heat Exchanger (지하공기-물 직접접촉식 열교환기를 구비한 히트펌프의 성능)

  • Kim, Y.H.;Kang, Y.K.;Sung, M.S.;Ryou, Y.S.;Kim, J.G.;Jang, J.K.
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.172.1-172.1
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    • 2010
  • In Jeju, underground air is used for heating greenhouse and fertilizing natural $CO_2$ gas by suppling directly into greenhouse. But greenhouse heating method by direct supply of underground air has several problems as like low temperature below $20^{\circ}C$ or high relative humidity over 90%. The underground air is inadequate in heating of crops such as mangos, oranges with the growing temperature over $20^{\circ}C$. Also if the relative humidity of greenhouse is kept with over 90%, diseases can strike almost of the crops. And also the ventilation loss becomes larger because the air pressure of inside greenhouse by direct supply of underground air is higher. In this study the heat pump system using underground air as heat source was developed and heating performance of the system was analyzed. Heating COP of the system was 2.5~5.0 and rejecting heat into greenhouse and extracting heat from underground air in this heat pump system were 46.5~31.4 kW, 34.9~20.9 kW respectively.

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DISTRIBUTION OF AIRBORNE BACTERIA BY HANDPIECE AEROSOL CONDITIO (핸드피스 분무조건에 따른 부유세균 기균(氣菌) 의 분포)

  • Ko, Young-Han;Baik, Byeong-Ju;Kim, Jae-Gon;Yang, Yeon-Mi;Shin, Jeong-Geun
    • Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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    • v.35 no.4
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    • pp.628-634
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    • 2008
  • In recent years, cross-contamination has become one of the noticeable issues in dental clinic. Two major routes of contamination are the direct-contamination through blood and oral secretion and the indirect-contamination through dental office equipments. Especially, air-contamination through air-floating pollutant in a confined space like hospital, and also contamination through aerosol ejected from high-speed handpiece in a dental office was interested. The purpose of this study was to understand risk of bacterial infection through aerosol from handpiece in a dental office, which will help the practitioner with prevention of contamination during dental treatment. The main findings are as follows. 1. In a comparative test, the group using handpiece has higher bacterial number than the group not using handpiece with significant statistical difference(P<0.01). 2. The group using handpiece with rubber dam has lower bacterial number than the group using handpiecewithout rubber dam with significant statistical difference(P<0.01). 3. Comparing the group using drainage water with the group using distilled water as a handpiece water source results in 22.4 cfu and 17.0 cfu respectively but the difference is no statistically significant(P>0.05). 4. Measuring cfu at 0.5m and 1.5m distance, 0.5m distance showed higher bacterial number with statistical significance(P<0.01). 5. Classification of bacterial types showed the largest bacterial number came from gram-positive micrococcus(73.9%), and gram-negative micrococcus, gram-negative bacillus, and gram-positive bacillus follow in descending order.

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Thickness Measurement of Nanogate Oxide Films by Spectroscopic Ellipsometry (SE를 사용한 나노게이트 산화막의 두께측정)

  • 조현모;조용재;이윤우;이인원;김현종;김상열
    • Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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    • 2002.11a
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    • pp.40-41
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    • 2002
  • 차세대 반도체 및 나노소자 산업에 대한 국제적 기술은 고밀도 직접화의 추세에 따라서 .게이트 산화막의 두께가 급속히 작아지는 추세이다. 지금까지 이산화규소(A1₂O₃)가 게이트 산화막으로 주로 사용되어 왔으나 점차 SiON 혹은 high k 박막으로 바뀌고 있다. 본 연구에서는 차세대 반도체 소자에 사용될 게이트 산화막 물질인 SiON 박막과 Al₂O₃박막에 대한 SE(Spectroscopic Ellipsometry)분석 모델을 확립하였고, SE 측정결과를 TEM, MEIS, XRR의 결과들과 비교하였다. SiON 박막의 굴절률 값은 Si₃N₄와 SiO₂가 물리적으로 혼합되어 있다고 가정하여 Bruggeman effective medium approximation을 사용하여 구하였다. 동일한 시료를 절단하여 TEM, MEIS, 그리고 XRR에 의하여 SiON 박막의 두께를 측정하였으며, 그 결과 SE와 XRR에 의해 얻어진 박막두께가 TEM과 MEIS의 결과 값보다 약 0.5 nm 크게 주어짐을 알 수 있었다(Table 1 참조). 본 연구결과는 비파괴적이며 비접촉식 측정방법인 SE가 2~4nm 두께의 초미세 SiON 박막의 두께와 N 농도의 상대적 값을 빠르고 쉽게 구할 수 있는 유용한 측정방법 임을 보여주었다. 기존의 게이트 산화물인 SiO₂를 대체할 후보 물질들 중의 하나인 A1₂O₃의 유전함수를 구하기 위하여 8 inch, p-type 실리콘 기판 위에 성장된 5 nm, 10 nm, 및 20 nm 두께의 A1₂O₃ 박막의 유전함수와 두께를 측정하였다. 이 시료들에 대한 SE data는 vacuum-UV spectroscopic ellipsometer를 사용하여 세 개의 입사각에서 0.75 eV에서 8.75 eV까지 0.05 eV 간격으로 측정되었다. A1₂O₃ 박막의 유전함수와 두께를 얻기 위하여 공기층/A1₂O₃ 박막/Si 기판으로 구성된 3상계 모델을 사용하였다. Si 기판에 대한 복소 유전함수는 문헌상의 값(1)을 사용하였고, A1₂O₃ 박막의 유전함수는 5개의 미지상수를 갖는 Tauc- Lorentz(TL) 분산함수(2)를 사용하였다. A1₂O₃ 박막의 경우 두께가 증가함에 따라서 굴절률이 커짐을 알 수 있었다.

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