We deposited thin films of ZnS(Zinc Sulphide), in which was used antireflection coating material of glasses-lens on silicon and slide-glass substrates using spin coating method, and measured spectra of ellipsometry angles ${\Delta}$ and ${\Psi}$ in the photon-energy range of 1.5~5.0 eV using a variable angle spectroscopic ellipsometer. The optical constants, refractive index and extinction coefficient, of ZnS were determined via the dispersion parameters extracted from the curve-fitting process based on Jellison-Modine dispersion function.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.244.2-244.2
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2015
염료감응형 태양전지(DSSC)는 친환경성과 저렴한 제조공정이 장점으로 최근에 많은 관심을 받고 있다. 현재에는 DSSC를 다양한 반도체 나노입자를 염료에 흡착시키거나, 무반사 코팅등 광학적인 접근을 통해 효율을 증가시키려는 실험이 활발히 진행되고 있다. 다른 한편으로는 DSSC의 효율을 떨어뜨리지 않으면서 DSSC의 장점인 저렴한 제조단가를 더 줄이는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 DSSC의 재료물질 중 가장 비싼 편인 Pt 박막을 다른 물질로 대체하기 위해, 몇 가지 공정을 거쳐 추출한 carbon을 사용하였다. 전형적인 DSSC 제작을 위해, FTO glass와 TiO2, 액체전해질을 사용하였고, 제작된 carbon 물질을 solvent에 섞은 뒤 counter electrode에 닥터 블레이드 방식으로 바르고 열처리하였다. 제작된 carbon을 분석하기 위해서 scanning electron microscope (SEM)과 X-ray diffraction (XRD)를 사용하였으며, counter electrode에 carbon을 사용한 DSSC는 Pt 박막을 사용한 일반적인 DSSC와 비교하였을 시에 만족할 만한 효율을 보이는 것을 확인하였다.
Ki, Hyun-Chul;Kim, Hwe-Jong;Jo, Jea-Chul;Hong, Kyung-Jin
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.04c
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pp.80-81
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2008
In this paper, we have designed the Anti-Reflection (AR) coating for 850, 1310 nm(multi type) and 1310, 1550 nm(multi type) wavelength ranges on the ferrule facet of special optical connector. The reflectance of the AR coated ferrule facet is designed under 5% for 850, 1310 nm(multi type) and 1310, 1550 nm (multi type). The average return loss of the AR coated ferrule facet is 47.1 dB.
Park, Jun-Tae;Hwang, Jung-Hwan;Jeong, Su-Chang;Choe, Yun-Su;Choe, Hyeon-Gwang;Jeon, Min-Hyeon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.309-309
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2013
기존의 CIGS 태양전지는 window 층(GZO/ZnO/CdS)에서의 투과 및 반사 손실을 줄이기 위하여 MgF2를 이용한 AR (Anti Reflection) 층을 적용하여 cell을 제작하고 있다. 현재 단위공정을 줄이고 시간적 경제적 비용을 절감하기위해 무반사 코팅층 없이 표면의 구조를 변화 시키거나 CIGS 태양전지의 window 층만으로 cell 구조에 적용하는 연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구는 AR층과 window층 역할을 동시에 만족하는 일체화된 window층 두께를 설계하고 성장한 후, window층의 열처리 전후의 구조적, 광학적 및 전기적 특성을 비교 평가하였다. Macleod simulation을 이용하여 window 층을 설계한 후, RF magnetron sputtering법을 이용하여 상온성장 시킨 후 N2 분위기에서 후열처리 조건에 따른 박막의 구조적, 전기적 및 광학적 특성을 변화를 X-ray diffractometer, Field emission-scanning electron microscope, Atomic force microscopy, 4 point probe, Hall 측정, 투과도 및 반사도등으로 비교 평가하였다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.252-253
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2000
본 실험에서는 수 MW/$ extrm{cm}^2$ 의 매우 낮은 영역의 세기에서 순수한 GaAs의 bulk에 대하여 실험한 결과 비선형 흡수가 나타남을 관찰 하였으며, 더불어 자유전하 흡수 계수를 여러 가지 세기의 빛에서 측정한 결과 자유전하 흡수 단면적이 빛의 세기에 따라 변화하는 것을 관찰하였다.$^{(1)}$ GaAs의 굴절률이 3.6으로 매우 커서 Fabry-Perot 효과가 나타나므로 시료의 한쪽 면을 SiN로 무반사 코팅을 하여 실험 하였다. GaAs의 표면은 쉽게 레이저 빛에 의해 손상을 입는 것을 고려하여 같은 자리에서 여러 번의 실험을 하여 같은 결과가 나오는 것을 확인하여 실험 결과를 얻었다. 사용된 레이저는 Nd:YAG 레이저로서 1.064 $mu extrm{m}$의 파장에서 7 나노초의 펄스를 방출한다. 빛의 세기는 편광기와 half wave plate를 이용하여 변화 시켰다. (중략)
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.26-27
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2000
고휘도 다이오드(Superluminescent Diodes : SLD)는 fiber gyroscope의 광원으로서 가장 적당한 소자로 알려져 있다$^{(1)}$ . 본 연구는 실제의 광섬유 자이로 스코프에 적용하기 위하여 활성층의 발진파장이 1.55$mu extrm{m}$인 SLD의 제작을 목적으로 하고 있다. SLD제작의 핵심은 거울면에서의 반사도를 낮추어 거울면의 반사에 의하여 일어나는 발진을 억제하는 것으로, 이를 위하여 단면이 각을 가진 stripe$^{(2)}$ , 계면의 무반사 코팅(antireflection coating : AR coating)$^{(3)}$ , window buried heterostructure$^{(4)}$ , unpumped absorbing region$^{(5)}$ , bent-buried absorbing region$^{(6)}$ 등과 같은 방법이 이용이 되고 있다 (중략)
We have calculated the optimum refractive index and normalized thickness of a single layer antireflection coating on the facet of buried channel waveguides as a function of waveguide width for several waveguide depths using the angular spectrum method and field profiles obtained by the effective index method (EIM) and the variational method (VM), respectively, and discussed the results. In the area of large waveguide width, the optimum parameters of a single layer antireflection coating obtained by both methods are almost the same. However, as waveguide width decreases, the parameters obtained by the VM approach those of a single layer antireflection coating between cladding layer and air, while those obtained by the EIM do not approach those, and the difference between the two parameters is large. The tolerance maps of the quasi-TE and quasi-TM modes obtained by the VM for square waveguides are located in almost the same area regardless of refractive index contrast, while those obtained by the free space radiation mode (FSRM) method for refractive index contrast of 10% are located in the different area. Thus, we think that the tolerance maps obtained by the VM are more exact than those obtained by the FSRM method.
Park, Moon-Chan;Jung, Boo-Young;Hwangbo, Chang-Kwon
Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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v.6
no.2
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pp.31-35
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2001
The anti-reflective anti-static(ARAS) optical film Was designed using conducting layer $TiN_x$ by Essential Macleod program. From this results, [air ${TiN_x{\mid}SiO_2{\mid}$ glass] two layer shows wide-band AR coating in the wavelength range of 450~700 nm. The $TiN_x$ thin films were prepared on the glass substrate by RF(radio-freqency) magnetron sputtering apparatus from a Ti target in agaseous mixture of argon and nitrogen with the thickness of 7~10 nm. For the films obtained, the chemical binding energy of the films was investigated by x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) in order to analyze the chemical nature and composition of the films. In addition, we investigated the relationship between the surface resistance and the chemical nature the sheet resistance and XPS depth profiling the chemical binding of the films.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.330-330
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2012
일반적으로 투명전극 재료로서 이용되는 Indium Tin Oxide (ITO)는 높은 전기전도도에도 불구하고, 가시광선 영역에서 높은 광학적 투과도를 지니고 있다. 즉, 비저항이 $10^{-3}{\Omega}/cm$ 보다 작으면서, 380 nm에서 780 nm사이의 가시광선 영역에서 80%이상의 투과도를 가지는 우수한 transparent conducting oxide 물질로 인식되고 있다. 또한 이 물질은 가시광선 영역에서의 굴절률이 대략 2정도이기 때문에, 다른 반도체재료와 진공사이의 계면에서 발생하는 반사를 줄여, 태양광전지나 LED 등에 이용될 수 있는 무반사 코팅재로 이용될 수 있다. 이러한 이유로 현재 각 분야에서 ITO에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 ITO에 대한 기초연구로서, 전자빔 증착법으로 박막을 증착시키는 동안 증착속도에 따른 박막의 물성변화를 조사하였다. 또한 수직으로 증착할 때와 Glancing Angle Deposition 방법을 이용하였을 때, 증착속도에 따른 박막의 물성변화를 비교 분석하고자 하였다. 여기서, 증착속도는 $1{\AA}/s$에서 $4{\AA}/s$ 범위로 변화를 주었고, 증착물질과 기판의 각도는 $0^{\circ}$, $15^{\circ}$, $45^{\circ}$, $75^{\circ}$로 하였다. 먼저 수직으로 증착할 때, 증착속도의 변화에 따른 반사도, 투과도 및 굴절률과 증착단면의 구조를 비교하고, 다음으로 기판에 각도를 주어 박막을 증착하였을 때의 증착속도에 따른 박막의 광학적 및 구조적 물성의 변화를 측정하였다.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.21
no.7
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pp.1850-1860
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1996
We present the results for the design ofantireflection (AR) coatings on facets of a multilayered structure waveguide device. The method, whose results agree very well with the reusults of the rigorous method in the case of a symmetric three layer structure deveice, is extended for the design of AR coatings on the facets of a multilayered structure waveguide device. the field profile in a multilayered structure waveguide necessary for the use of the extended method is obtained from the transfer matrix method. The virtual four layered structure method (VFLM) is proposed to reduce the time for the design ofAR coatings because the time for the design of AR coatings using the extended method increases as the number of layers increases. The optimum coating parameters and tolerance mapsfor two different six layered waveguide devices in Ref. [9] and [10] are obtained using the extendedmethod and the VFLM,and for the three different cases approximated as three layered waveguide devices to compare the results of each case. The results of the VFLM are similar to those of the extended methodcompared to those of the three layered structure waveguide. The main reason for the above results is that the field profile in the device calculated usingthe VFLM is similar to that calculated using the extended method compared to that for three layered structure wavegjide. We conclude that the extended method or VFLM should be used for the design of AR coatings on facets of a deice required for the facet reflectivity less than 10$^{-3}$ such as a semiconductor otical amplifier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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