• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.56 no.6
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• pp.768-771
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• 2012

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.24 no.4
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• pp.392-397
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• 2014

Recently, there are many researches on active safety system of intelligent vehicle. To reduce the probability of collision caused by driver's inattention and mistakes, the active safety system gives warning or controls the vehicle toward avoiding collision. For the purpose, it is necessary to recognize and analyze circumstances around. In this paper, we will treat the problem about collision risk assessment. In general, it is difficult to calculate the collision risk before it happens. To consider the uncertainty of the situation, Monte Carlo simulation can be employed. However it takes long computation time and is not suitable for practice. In this paper, we apply neural networks to solve this problem. It efficiently computes the unseen data by training the results of Monte Carlo simulation. Furthermore, we propose the features affects the performance of the assessment. The proposed algorithm is verified by applications in various crash scenarios.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.21 no.4
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• pp.475-480
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• 2011

In this paper, we propose a collision risk assesment system. First, using Kalman Filter, we estimate the information of pedestrian, and second, we compute the collision probability using Monte Carlo Simulations(MCS) and neural network(NN). And we update the collision risk using time history which is called belief. Belief update consider not only output of Kalman Filter of only current time step but also output of Kalman Filter up to the first time step to current time step. The computer simulations will be shown the validity of our proposed method.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.25 no.12B
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• pp.1979-1987
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• 2000

다중 경로 감쇄 채널 환경에서 순방향 DS-CDMA 송수신기의 성능은 사용자에 할당된 확산 수열의 특성에 따라 영향을 받는다. DS-CDMA의 수신기 비트 오류 확률 (BER) 성능은 수신단에서의 신호 대 간섭전력비 (SIR)의 함수로서, 사용자 확산 수열로 왈시 부호와 같은 직교 수열을 사용한 직교 확산 방식과 임의의 랜덤 수열로 사용한 랜덤 확산 방식에서의 수신 신호 간섭 전력은 상이한 특성을 가진다. 이 논문에서는 채널 부호를 사용하지 않은 경우와 길쌈 부호를 사용한 경우에 대해 두 시스템에서의 수신 심벌 SIR을 유도한 뒤 몬테 카를로 분석을 통해 이론적인 BER 성능을 구하고, 전산 모의 실험을 통해 이러한 분석의 타당성을 확인한다. 위상 지연이 동일한 다른 사용자 신호들로 인한 간섭 전력의 상승으로 인해 랜덤 확산 방식은 직교 확산 방식에 비해 성능이 크게 떨어진다. 경로수가 증가함에 따라 이러한 성능 차이는 감소하나 경로수가 많은 경우에도 2배 이상의 사용자 용량 차이가 발생한다.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2017.11a
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• pp.21-23
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• 2017

본 논문에서는 스펙트럼 감지 무선 인지 네트워크에서 동기화 에러가 존재하는 환경을 고려한다. 동기화에러가 존재 할 때 주어지는 오검출 확률(miss detection probability)을 이용하여 일차 사용자와 이차 사용자들 간의 충돌 확률(collision probabliyt)를 유도한다. 유도된 수식을 몬테 카를로 모의실험(Monte Carlo simulation)을 통해 확인한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.5
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• pp.23-36
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• 2004

A computationally efficient and accurate Monte Carlo (MC) simulator of electron beam lithography process has been developed for sub-0.l${\mu}{\textrm}{m}$ T-shaped gate formation in the HEMT devices for millimeter-wave frequencies. For the exposure process by electron to we newly and efficiently modeled the inner-shell electron scattering and its discrete energy loss with an incident electron for multi-layer resists and heterogeneous multi-layer targets in the MC simulation. In order to form the T-gate shape in resist layers, we usually use the different developer for each resist layer to obtain good reproducibility in the fabrication of HEMT devices. To model accurately the real fabrication process of electron beam lithography, we have applied the different developers in trilayer resist system By using this model we have simulated and analyzed 0.l${\mu}{\textrm}{m}$ T-gate fabrication process in the HEMT devices, and showed our simulation results with the SEM observations of the T-shaped gate process.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.15 no.4
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• pp.87-92
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• 2015

In this Paper, we proposed optimization of system performance, optimal splitting factor ${\alpha}$ applied to power splitting protocol with relay protocol with decode and forward undergo co-channel interference. We can possible to optimize and maximize the channel capacity of the receive performance and the efficiency of the network through optimal factor of splitting protocol. We verified BER performance and Channel capacity and Outage probability for the proposed scheme over Rayleigh fading through Monte-Carlo simulation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.278-278
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• 2011

LCD 생산에 적용할 수 있는 대형 마그네트론 스퍼터 장비에서 공간적으로 불균일한 타겟 침식은 타겟의 사용 효율을 떨어뜨린다. 특히 직사각형의 외부 자석과 직선형태의 내부 자석 구조를 가진 마그네트론 스퍼터에서는 cross-corner 효과로 인해 국부적으로 일정 부분에 대한 상대적으로 높은 침식률이 문제가 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 국부적으로 자기장 세기를 바꾸는 시행착오를 통하여 실험적으로 문제를 해결하려는 방법이 있지만 비용 및 시간이 매우 많이 들어 전산모사를 통한 문제 해결 방법이 훨씬 유리하다. 우리는 몬테 카를로 방법에 기반한 3차원 입자 시뮬레이션을 통하여 마그네트론 스퍼터 장비를 모델링을 하였다. 직사각형의 외부와 직선형의 내부 자석 구조가 만들어 내는 정적인 공간 자기장의 분포는 OPERA3D를 이용하여 계산하였고, 플라즈마 입자들이 만들어내는 자기장에 의해 섭동영향을 받지 않는다고 가정하였다. 플라즈마 전기장 및 전하의 운동은 상호작용의 일관성이 유지되도록 계산하였다. 이온밀도의 공간분포는 내부 자석과 외부 자석 사이의 직선 부분 보다 cross-corner 효과가 일어나는 부분에서 상대적으로 더 높은 밀도분포를 보였다. 플라즈마 시뮬레이션을 통하여 얻은 타겟에 입사한 이온의 개수 및 속도에 대한 정보를 이용하여 타겟의 침식률을 계산하였다. 이러한 침식률을 계산하기 위한 시뮬레이션 기술은 산업용 대형 스퍼터 장비 연구 및 개발에 매우 효율적인 방법이 될 것이다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.2
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• pp.41-47
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• 1999

In this paper, we report 3D-simulations of a plasma etching process by employing cell-removal algorithm takes into account the mask shadow effect os well as spillover errors. The developed simulator haas an input interface to take not only an analytic form but a Monte Carlo distribution of the ions. The graphic user interface(GUI) was also built into the simulator for UNIX environment. To demonstrate the capability of 3D-SURFILER(SURface proFILER), we have simulated for a typical contact hole structure with 36,000($30{\times}40{\times}30$) cells, which takes about 20 minutes with 10 Mbytes memory on sun ultra sparc 1. as an exemplary case, we calculated the etch profile during the reactive ion etching(RIE) of a contact hole wherein the aspect ratio is 1.57. Furthermore, we also simulated the dependence of a damage parameter and the evolution of topography as a function of the chamber pressure and the incident ion flux.

• The Korean Journal of Applied Statistics
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• v.27 no.6
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• pp.1049-1068
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• 2014

Autoregressive models are used to analyze an univariate time series data; however, these methods can be inappropriate when a structural break appears in a time series since they assume that a trend is consistent. Threshold autoregressive models (popular regime-switching models) have been proposed to address this problem. Recently, the models have been extended to two regime-switching models with delay parameter. We discuss two regime-switching threshold autoregressive models from a Bayesian point of view. For a Bayesian analysis, we consider a parametric threshold autoregressive model and a nonparametric threshold autoregressive model using Dirichlet process prior. The posterior distributions are derived and the posterior inferences is performed via Markov chain Monte Carlo method and based on two Bayesian threshold autoregressive models. We present a simulation study to compare the performance of the models. We also apply models to gross domestic product data of U.S.A and South Korea.