• 제목/요약/키워드: 메모리 크기

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TMS320VC5510을 이용한 AMR-WB 음성부호화기의 실시간 구현 (Real-Time Implementation of the AMR-WB Speech Codec Using TMS320VC5510 DSP)

  • 조재민;김준;김정민;배건성
    • 한국음향학회:학술대회논문집
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    • 한국음향학회 2004년도 춘계학술발표대회 논문집 제23권 1호
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    • pp.57-60
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    • 2004
  • 본 연구에서는 ETSI 및 3GPP에 의해 개발된 광대역 음성부호화의 표준안인 AMR-WB 알고리즘을 분석하고, TMS320VC5510 DSK를 이용한 실시간 구현 결과를 제시하였다. AMR-WB 음성부호화기의 실시간 구현을 위해 프로그램 최적화 작업을 수행하였고, 구현된 음성 부호화기의 성능을 평가하기 위해서 프로그램 메모리와 데이터 메모리의 크기, 그리고 한 프레임당 수행 시간을 측정하였다. 구현된 시스템의 프로그램 메모리는 약65.6 kbytes, 데이터 메모리는 약 73.8kbytes 정도의 크기를 나타내었으며, 한 프레임인 20 msec를 처리하는데 소요되는 cycle 수가 평균 1,247,115 정도로 약 6.24 msec 내에 처리 할 수 있음을 보였다. 마지막으로 DSP로 구현한 AMR-WB 음성부호화기의 결과가 PC에서 시뮬레이션 한 결과와 일치함을 검증하였고 실시간으로 동작됨을 확인하였다.

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적은 메모리 사용량을 가진 센서노드용 대용량 낸드 플래시 파일 시스템의 설계 (Design of a High-capacity NAND Flash based File System for Sensor Node with very small Memory Footprint)

  • 한경훈;이기혁;송준영;한형진;최원철;한지연;손기락
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2007년도 가을 학술발표논문집 Vol.34 No.2 (C)
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    • pp.140-145
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    • 2007
  • 최근에 에너지의 효율성이 좋고 대용량화가 쉬운 낸드 플래시가 센서 노드를 위한 차세대 저장소로 각광을 받고 있다. 현재 대부분의 센서 노드용 파일 시스템은 노어 플래시 기반으로 개발되어 있으며 낸드 플래시에 적용할 수 있는 파일 시스템은 거의 존재하지 않는다. 대용량 낸드 플래시 메모리의 특성을 고려한 새로운 파월 시스템의 구축이 요구되지만, 센서 노드는 오직 4-10 KByte의 매우 작은 크기의 메모리를 지원하므로 효율성이 뛰어난 파일 시스템을 구축하는 것은 매우 어렵다. 본 논문은 1 Kbit의 매우 작은 크기의 EEPROM을 부착하여 이러한 메모리 한계를 극복하였으며 자원의 효율성, 대용량의 지원 및 신뢰성을 고려한 새로운 파일 시스템의 설계에 대하여 논한다. 위치를 유지해야 하는 데이터의 위치저장을 위하여 EEPROM을 사용하며 장기간 데이터를 수집할 때 페이지의 갱신을 최소화 할 수 있는 로그 리스트 기반의 페이지 처리 방법에 대해 제안한다. 이는 획기적으로 페이지 갱신 횟수를 줄임으로써 에너지를 절약하고 보다 긴 시간동안 데이터의 수집을 용이하게 만들며 센서 노드의 수명을 증가시킨다.

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전자기기 나노튜브 메모리의 분자 동역학 모델링

  • 이준하;김형진;강신혜;주아영
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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    • pp.203-206
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    • 2007
  • 연속 전자 모델과 결합된 종래의 분자 동역학 방법은 원자 사이의 힘과 원자의 전기용량에 의해 야기되는 탄소 나노튜브의 구부러지는 성질의 특성을 해석하였다. 탄소 원자의 전기 용량은 탄소 원자의 길이에 따라 변하였다. 본 연구는 11.567nm($L_{CNT}$)의 길이와 $0.9{\sim}1.5nm(H)$의 안쪽 깊이를 가진 (5,5) 탄소 나노튜브 브리지로 MD 시뮬레이션을 수행하였다. 탄소 나노튜브는 금 표면에 부딪힌 후 탄소 나노튜브 브리지는 약 ${\sim}1{\AA}$의 크기로 금 표면에서 진동하며, 크기는 차츰 감소하였다. $H{\leq}1.3nm$일 때, 탄소 나노튜브 브리지는 첫 번째 충돌 후에 금 표면과 계속 접촉해 있었고, $H{\leq}1.4nm$일 때, 탄소 나노튜브 브리지는 몇 번의 충돌 후에 금 표면과 안정한 접촉상태가 되었다. $H/L_{CNT}$가 0.13보다 작을 때, 탄소 나노튜브 초소형 전자기기 메모리는 반영구적인 비활성의 메모리 장치가 되는 반면에 $H/L_{CNT}$가 0.14보다 클 때 탄소 나노튜브 초소형 전자기기 메모리는 휘발성이거나 스위치 장치로 동작할 수 있다.

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멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 커플링 제거기의 윈도우 크기에 따른 성능 비교 (Performance of the Coupling Canceller with the Various Window Size on the Multi-Level Cell NAND Flash Memory Channel)

  • 박동혁;이재진
    • 한국통신학회논문지
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    • 제37권8A호
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    • pp.706-711
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    • 2012
  • 멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 기술이다. 현재 2비트를 한 셀에 저장하는 기술만 상용화 되었다. 이는 3비트 이상을 저장하게 되면, 각 레벨의 간격이 좁아져서 데이터의 오류가 많이 발생하는데 이를 극복하기가 어렵다. 오류의 원인으로 여러 가지가 있지만, 그 중에서도 커플링 잡음이 가장 문제가 된다. 따라서 본 논문에서는 4비트를 한 셀에 저장하는 채널에 커플링 잡음을 가정하여 성능의 개선을 실험하였으며, 메모리 공간을 줄이기 위하여 커플링 제거기에 윈도우 크기의 데이터를 활용하여 성능을 비교하였다. 플래시 메모리에서 데이터를 읽는 가장 기본 방법인 문턱 전압 비교 방법을 구현하여 제안한 방법과 성능을 비교 하였다.

모바일 단말기에서 이미지 처리에 필요한 메모리 사용량을 줄이기 위한 타일화 이미지 압축 기법 (Tiled Image Compression Method to Reduce the Amount of Memory Needed for Image Processing in Mobile Devices)

  • 오황석
    • 한국게임학회 논문지
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    • 제13권6호
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    • pp.35-42
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    • 2013
  • 본 논문에서는 모바일 기기의 프로세서 처리 능력과 메모리 용량의 제한에 관계없이 거대 크기의 이미지를 게임의 배경으로 사용하기 위한 타일화된 이미지 압축 기법을 제안한다. 실험을 통하여 제안한 기법이 압축 효율 측면에서는 하나의 PNG 파일로 압축하는 방법과 유사하나 모바일 단말기의 메모리 제한으로 인한 디코딩 가능한 이미지의 크기 제한 문제를 해결할 수 있음을 보였다. 또한 실행 시 부분 디코딩 기법을 적용하여 단말기 화면에 출력되는 이미지 부분만 디코딩하여 출력함으로 초기의 대규모 이미지의 로딩 시간을 줄일 수 있음을 보였다.

내장형 시스템을 위한 저전력 2-레벨 캐쉬 메모리의 설계 (Low-Power 2-level Cache Architectures for Embedded System)

  • 이종민;김순태;김경아;박수호;김용호
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2008년도 추계학술발표대회
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    • pp.806-809
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    • 2008
  • 온칩(on-chip) 캐쉬는 외부 메모리로의 접근을 감소시키는 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 내장형 시스템에 맞추어 설계된 2-레벨 캐쉬 메모리 구조를 제안하고자 한다. 레벨1(L1) 캐쉬의 구성으로 작은 크기, 직접사상(direct-mapped) 그리고 바로쓰기(write-through)를 채용한다. 대조적으로 레벨2(L2) 캐쉬는 일반적인 캐쉬 크기와 집합연관(Set-associativity) 그리고 나중쓰기(write-back) 정책을 채용한다. 결과적으로 L1캐쉬는 한 사이클 이내에 접근될 수 있고 L2캐쉬는 전체 캐쉬의 미스율(global miss rate)을 낮추는데 효과적이다. 두 캐쉬 계층간 바로쓰기(write-thorough) 정책에서 오는 빈번한 L2 캐쉬 접근으로 인한 에너지 소비를 줄이기 위해 본 연구에서는 One-way 접근 기법을 제안하였다. 본 연구에서 제안한 2-레벨 캐쉬 메모리 구조는 평균적으로 26%의 성능향상과 43%의 에너지 소비 그리고 77%의 에너지-지연 곱에서 이득을 보여주었다.

그래핀 전극을 가진 $V_3Si$ 나노입자 저항변화 메모리 소자의 전기적 특성연구

  • 김동욱;이동욱;조성국;김은규
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.353-353
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    • 2013
  • 최근 고밀도 메모리 반도체의 재료와 빠른 응답을 요구하는 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 비휘발성 메모리 소자 중 하나인 저항 변화 메모리 소자는 인가되는 전압에 따라 저항이 급격히 변화하여 적어도 서로 다른 두 저항 상태를 스위칭할 수 있는 물질을 이용하는 소자이다. 따라서 본 연구에서는 화합물 중에서 비휘발성 메모리 장치의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 실리사이드 계열의 바나듐 실리사이드($V_3Si$) 박막을 열처리 과정을 통하여 수 nm 크기의 나노입자로 제작하여, 그래핀을 하부 전극으로 하는 저항 변화 메모리 소자를 제작하였다. p-type (100) 실리콘 기판에 단일층으로 형성되어 있는 그래핀 상에 약 10 nm 두께의 저항 변화층($SiO_2$)을 각각 초고진공 스퍼터링 방법으로 성장시킨 후 $V_3Si$ 나노입자를 제작하기 위해서 $V_3Si$ 금속 박막을 스퍼터링 방법으로 4~6 nm의 두께로 저항 변화층 사이에 증착시켰으며, 급속 열처리 방법으로 질소 분위기에서 $800^{\circ}C$로 5초 동안 열처리하여 $V_3Si$ 나노 입자를 형성하였다. 마지막으로 200 nm 두께의 Pt을 증착하였다. 하부 전극으로 형성되어 있는 그래핀은 라만 분광법을 이용하여 확인하였으며, 제작된 소자의 전기적인 측정은 Agilent E4980A LCR meter, 1-MHz HP4280A와 HP 8166A pulse generator, HP4156A precision semiconductor parameter analyzer을 이용하여 전기적인 특성을 확인하였다.

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K-집합 플래시 메모리 관리 성능 분석 (Performance Analysis of K-set Flash Memory Management)

  • 박제호
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제5권5호
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    • pp.389-394
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    • 2004
  • 이 논문에서는 플래시 메모리의 특성에 따른 메모리 재활용 방법론을 제안하여 비용을 감소시키면서 동시에 성능의 감소를 방지하는 목적을 만족시키고자 한다. 새로운 방법론은 재활용 대상 메모리 세그먼트 공간을 K 개의 하부 공간으로 분할하여 전체 검색을 대신 부분 검색을 실행하여 비용의 최소화를 추구한다. 아울러, 새로운 메모리 공간 배정 결정 시 전체 플래시 메모리 공간의 균등 소거에 대한 개선책을 제안한다. 제안된 방법론의 최적화를 위하여 하부 공간 분할 크기를 실험을 통해 취득 하였다. 실험적 자료는 제안된 방법론이 기존의 방법론과 비교하였을 교 비용은 감소하고 성능은 개선되는 것을 예시한다. 또한, 실험을 통해 메모리 공간 배정이 메모리 공간의 균등 소거에 많은 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있다.

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분산 메모리 시스템에서 압력방정식의 해법을 위한 MPI와 Hybrid 병렬 기법의 비교 (Comparison of Message Passing Interface and Hybrid Programming Models to Solve Pressure Equation in Distributed Memory System)

  • 전병진;최형권
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제39권2호
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    • pp.191-197
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    • 2015
  • 본 연구에서는 분산 메모리시스템에서의 압력 방정식의 병렬해법을 위하여 MPI(Message Passing Interface)와 하이브리드 병렬기법을 사용하였다. 두 모델은 영역분할 기법을 활용하며, 하이브리드 기법은 성능이 양호한 두 가지 영역분할에 대해 수행하였다. 두 병렬기법의 성능을 비교하기 위해서 다양한 문제 크기에 대해 최대 96개의 쓰레드를 사용하여 속도향상을 측정하였다. 병렬 성능은 캐쉬 메모리에 따른 문제의 크기 및 MPI 통신, OpenMP 지시어의 부하에 대해 영향을 받음을 확인하였다. 문제의 크기가 작은 경우에는 쓰레드가 증가할수록 MPI 통신 및 OpenMP 지시어 부하에 대한 비율이 상대적으로 크기 때문에 병렬 성능이 좋지 않으며, MPI 통신 부하보다는 OpenMP 지시어 부하가 상대적으로 크므로 MPI 병렬 기법의 병렬 성능이 더 우수하다. 문제의 크기가 큰 경우에는 캐쉬 메모리의 활용도가 높고 MPI 통신 및 OpenMP 지시어 부하에 대한 비율이 낮아 병렬 성능이 좋으며, OpenMP 지시어보다 MPI 통신에 의한 부하가 더 지배적이어서 하이브리드 병렬 성능이 MPI 병렬 성능보다 더 양호하다.

모바일 압축 데이터 관리 시스템(CDMS)를 위한 데이터 가용 크기 변경 기법 (Technique about Data Capacity Adaptation for the Mobile Compressed Data Management System)

  • 장진근;신영재;이정화;손진현
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
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    • 한국정보과학회 2007년도 가을 학술발표논문집 Vol.34 No.2 (C)
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    • pp.107-112
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    • 2007
  • 휴대용 정보기기는 정보의 디지털화로 인해 많아지고 있는 디지털 정보를 처리 및 저장해야 되는 상황이 되었다. 따라서 휴대용 정보기기에서는 무수한 디지털 정보를 효과적으로 관리하기 위해 모바일 DBMS을 사용하게 되었고, 저장장치로는 플래시 메모리를 사용하고 있다. 플래시 메모리는 일반 디스크보다 고비용이기 때문에 데이터를 보다 효율적으로 저장하기 위하여 압축 데이터 관리 시스템(CDMS)과 같은 압축을 사용한 관리도 사용되고 있다. 하지만 압축을 사용하여 저장공간을 효율적으로 사용하기 위한 CDMS의 연구는 데이터베이스 파일 크기를 고정하여 관리하였다. 하지만 이것은 실제사용에 있어서는 실용적이지 못하다. 따라서 본 논문에서는 이러한 CDMS를 보완하여 데이터베이스 파일 크기를 동적으로 변환하는 기법을 제시한다.

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