• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
• /
• 2020.07a
• /
• pp.393-394
• /
• 2020

세 군 매칭을 수행하여 관찰 데이터를 구축하고 통계분석에 기반한 연구를 수행하는 경우가 종종 발생한다. 매칭작업은 각 군에 속한 개체의 성향점수를 서로 비교해 거리가 가까운 짝을 찾아야 하므로 카테시안 곱 만큼의 경우의 수를 따져야 하는 문제이고, 메모리 소요가 크다. 특히 세 군 매칭은 세 쌍의 거리가 가까운 triplet을 찾는 문제로, 세 개체 사이에 존재하는 세 개의 거리를 따져야 하기 때문에 메모리 소요가 두 군 매칭에 비해 훨씬 크다. 각 군에 속한 개체가 늘어나면 메모리소요가 기하 급수적으로 늘어나게 된다. R패키지에 포함된 TriMatch함수는 세 군 매칭 수행을 위해 가장 널리 사용되는 프로그램이다. 이 프로그램은 세 개체 사이의 세 개 거리가 가장 짧은 triplet을 찾는 방식으로 구현 되었다. 이 프로그램은 메모리 소요가 매우 커 각 군에 속한 개체의 수가 많아지면 메모리 부족 에러가 발생하는 경우가 많다. 본 연구에서는 세 군 매칭에 소요되는 메모리 소요를 줄일 수 있는 알고리즘을 제안하고자 한다. 이 알고리즘의 구현을 통해 각 군에 속한 개체가 늘어나도 안정적인 세 군 매칭 결과를 얻을 수 있을 것으로 기대한다.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
• /
• v.14 no.3
• /
• pp.41-49
• /
• 2009

Flash memory has become increasingly requestion for the importance and the demand as a storage due to its low power consumption, cheap prices and large capacity medium. This research is to design a high performance flash memory structure for the substitution of a hard-disk by dynamic prefetching of aggressive spatial locality from the spatial smart buffer system. The proposed buffer system in a NAND flash memory consists of three parts, i.e., a fully associative victim buffer for temporal locality, a fully associative spatial buffer for spatial locality, and a dynamic fetching unit. We proposed new dynamic prefetching algorithm for aggressive spatial locality. That is to use the flash memory instead of the hard disk, the proposed flash system can achieve better performance gain by overcoming many drawbacks of the flash memory by the new structure and the new algorithm. According to the simulation results, compared with the smart buffer system, the average miss ratio is reduced about 26% for Mediabench applications. The average memory access times are improved about 35% for Mediabench applications, over 30% for Spec2000 applications.

• Journal of the Korea Institute of Information Security & Cryptology
• /
• v.34 no.2
• /
• pp.179-192
• /
• 2024

macOS presents challenges for memory data acquisition due to its proprietary system architecture, closed-source kernel, and security features such as System Integrity Protection (SIP), which are exclusive to Apple's product line. Consequently, conventional memory acquisition tools are often ineffective or require system rebooting. This paper analyzes the status and limitations of existing memory forensics research and tools related to macOS. We investigate methods for memory acquisition and analysis across various macOS versions. Our findings include the development of a practical memory acquisition and analysis process for digital forensic investigations utilizing OSXPmem and dd tools for memory acquisition without system rebooting, and Volatility 2, 3 for memory data analysis.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.260-260
• /
• 2016

최근 고화질 및 대용량 영상의 등장으로 메모리 디바이스에 대한 연구가 활발하다. 메모리 디바이스의 oxide 층은 tunnel layer, trap layer와 blocking layer로 나누어지며, tunnel layer와 trap layer 사이 계면의 상태는 메모리 특성에 큰 영향을 준다. 한편, AlOx는 메모리 디바이스의 tunnel layer에 주로 적용되는 물질로서, AlOx를 형성하는 방법에는 진공공정을 이용하여 증착하는 방법과 알루미늄을 산화시켜 형성하는 방법이 있다. 그 중, 진공공정 방법인 RF 스퍼터를 이용하는 방법은 증착시 sputtering으로 인하여 표면에 손상을 주게 되어, 산화시켜 형성한 AlOx에 비해 막질이 좋지 않다는 단점이 있다. 따라서 본 연구에서는 우수한 막질의 메모리 디바이스를 제작하기 위하여 산화시켜 형성한 AlOx를 tunnel layer로 적용시킨 MOSCAP을 제작하여 메모리 특성을 평가하였다. 제작된 소자는 n-Si (1-20 ohm-cm) 기판을 사용하였다. Tunnel layer는 e-beam evaporator를 이용하여 Al을 5 nm 두께로 증착하고 퍼니스를 이용하여 O2 분위기에서 $300^{\circ}C$의 온도로 1시간 동안 산화시켜 AlOx을 형성하였으며, 비교군으로 RF 스퍼터를 이용하여 AlOx를 10 nm 두께로 증착한 소자를 같이 제작하였다. 순차적으로, trap layer와 blocking layer는 RF 스퍼터를 이용하여 각각 HfOx 30 nm와 SiOx 30 nm를 증착하였다. 마지막으로 전극 물질로는 Al을 e-beam evaporator를 이용하여 150 nm 두께로 증착하였다. 제작된 소자에서 메모리 측정을 한 결과, 같은 크기의 윈도우를 비교하였을 때 산화시킨 AlOx를 tunnel layer로 적용한 MOSCAP에서 더 적은 전압으로도 program 동작이 나타나는 것을 확인하였다. 또한 내구성을 확인하기 위해 program/erase를 103회 반복하여 endurance를 측정한 결과, 스퍼터로 증착한 AlOx를 적용한 MOSCAP에서는 24 %의 메모리 윈도우 감소가 일어난 반면에, 산화시킨 AlOx를 적용한 MOSCAP에서는 메모리 윈도우 감소가 5 % 미만으로 일어났다. 결과적으로 산화시킨 AlOx를 메모리소자의 tunnel layer로 적용한 MOSCAP에서 더 뛰어난 내구성을 나타냈으며, 추후 최적의 oxide 두께와 열처리 조건을 통해 더 뛰어난 메모리 특성을 가지는 메모리 디바이스 제작이 가능할 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 2007.06b
• /
• pp.273-278
• /
• 2007

검사점 및 복구 도구(Checkpointing & Recovery Facility)를 이용하여 임베디드 시스템에서 결함 허용(Fault Tolerance) 기법을 적용할 경우 쓰기 작업의 오버헤드로 인해 실용성이 크게 떨어지게 된다. 실시간 운영체제와 함께 어떠한 한계 상황에서 결함 허용 및 복구 도구가 오히려 시스템의 성능을 저하시키는 요인으로 작용하게 되면 이는 결국 쓸모없는 도구가 되어 사용되지 않을 것이다. 따라서 프로세스의 복구를 위해 저장하는 프로세스 이미지의 기록에 소요되는 시간을 크게 낮추어야만 비로소 검사점 도구가 그 진가를 발휘하게 될 수 있다. 본 논문에서는 NVSRAM(Non Volatile SRAM)을 검사점 및 복구 도구의 저장 장치로 활용함으로써 기존의 검사점 도구에서 성능을 저하시키는 주원인이었던 검사점 기록의 오버헤드를 개선하기 위한 연구를 수행하였다. 검사점 기록 시간을 줄이기 위한 방법으로 주 메모리에 저장된 프로세스의 복구와 관련된 데이터를 SRAM 특성을 갖는 비휘발성 저장 장치인 NVSRAM에 저장하여 디스크 접근에 소요되는 시간을 최소화시킴으로써 임베디드 시스템에서 실용적으로 사용 가능한 검사점 도구를 구현하였고, 이러한 연구의 결과를 검증하기 위해 기존 시스템에서 저장 장치로 사용되던 플래시 메모리, 주 메모리, 원격 메모리를 사용하는 경우의 성능과 NVSRAM을 활용할 때의 성능을 비교해 보았다. 본 연구에서 제안하는 결함 허용 도구는 실제 시스템에 적용하여 효과적인 성능을 발휘할 수 있을 것이며, 차세대 메모리를 이용한 결함 허용 도구의 연구에 기여를 할 수 있을 것으로 기대된다.ate첨가배지(添加培地)에서 가장 저조(低調)하였다. vitamin중(中)에서는 niacin과 thiamine첨가배지(添加培地)에서 근소(僅少)한 증가(增加)를 나타내었다.소시켜 항이뇨 및 Na 배설 감소를 초래하는 작용과, 둘째는 신경 경로를 통하지 않고, 아마도 humoral factor를 통하여 신세뇨관에서 Na 재흡수를 억제하는 작용이 복합적으로 나타내는 것을 알 수 있었다.으로 초래되는 복합적인 기전으로 추정되었다., 소형과와 기형과는 S-3에서 많이 나왔다. 이상 연구결과에서 입도분포가 1.2-5mm인 것이 바람직한 것으로 나타났다.omopolysaccharides로 확인되었다. EPS 생성량이 가장 좋은 Leu. kimchii GJ2의 평균 분자량은 360,606 Da이었으며, 나머지 두 균주에 대해서는 생성 EPS 형태와 점도의 차이로 미루어 보아 생성 EPS의 분자구조와 분자량이 서로 다른 것으로 판단하였다.TEX>개로 통계학적으로 유의한 차이가 없었다. Heat shock protein-70 (HSP70)과 neuronal nitric oxide synthase (nNOS)에 대한 면역조직화학검사에서 실험군 Cs2군의 신경세포가 대조군 12군에 비해 HSP70과 nNOS의 과발현을 보였으며, 이는 통계학적으로 유의한 차이를 보였다(p<0.05). nNOS와 HSP70의 발현은 강한 연관성을 보였고(상관계수 0.91, p=0.000), nNOS를 발현하는 세포가 동시에 HSP70도 발현함을 확인할 수 있었다. 결론: 우리는 cyclosporin A가 토끼의 25분간의 척수허혈에 대해 척수보호 효과가 있었으며 이는 HSP70의

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
• /
• v.34 no.1C
• /
• pp.28-36
• /
• 2009

Time-memory trade-off (TMTO) cryptanalysis proposed by Hellman can be applied for the various crypto-systems such as block ciphers, stream ciphers, and hash functions. In this paper, we propose a novel method to reduce memory size for storing TMTO tables. The starting points in a TMTO table can be substituted by the indices of n-bit samples from a sequence in a family of pseudo-random sequences with good cross-correlation, which results in the reduction of memory size for the starting points. By using this method, it is possible to reduce the memory size by the factor of 1/10 at the cost of the slightly increasing of operation time in the online phase. Because the memory is considered as more expensive resource than the time, the TMTO cryptanalysis will be more feasible for many real crypto systems.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
• /
• v.16 no.2
• /
• pp.1-8
• /
• 2011

NAND type Flash memory has performing much researches for a hard disk substitution due to its low power consumption, cheap prices and a large storage. Especially, the NAND type flash memory is using general buffer systems of a cache memory for improving overall system performance, but this has shown a tendency to emphasize in terms of data. So, our research is to design a high performance instruction NAND type flash memory structure by using a buffer system. The proposed buffer system in a NAND flash memory consists of two parts, i.e., a fully associative temporal buffer for branch instruction and a fully associative spatial buffer for spatial locality. The spatial buffer with a large fetching size turns out to be effective serial instructions, and the temporal buffer with a small fetching size can achieve effective branch instructions. According to the simulation results, we can reduce average miss ratios by around 77% and the average memory access time can achieve a similar performance compared with the 2-way, victim and fully associative buffer with two or four sizes.

• Journal of the Korean Society of Surveying, Geodesy, Photogrammetry and Cartography
• /
• v.31 no.1
• /
• pp.41-48
• /
• 2013

The aim of the present study is to design a memory-efficient octree for querying large 3D point cloud. The aim has been fulfilled by omitting variables for minimum bounding hexahedral (MBH) of each octree node expressed in C++ language and by passing the re-estimated MBH from parent nodes to child nodes. More efficiency has been reported by two-fold processes of generating pseudo and regular trees to declare an array for all anticipated nodes, instead of using new operator to declare each child node. Experiments were conducted by constructing tree structures and querying neighbor points out of real point cloud composed of more than 18 million points. Compared with conventional methods using MBH information defined in each node, the suggested methods have proved themselves, in spite of existing trade-off between speed and memory efficiency, to be more memory-efficient than the comparative ones and to be practical alternatives applicable to large 3D point cloud.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2010.05a
• /
• pp.540-543
• /
• 2010

POWER PC series are common to the Central Processing Unit for Military Single Board Computer. Among them, G4 group, which contains the 74xx series supported by Freescale manufacturer is mainly used in the Military applications. We focus on the Interface between memory and controller. PCB stacking method, component routing, impedance matching and harsh environment for Military spec are the main constraints for implementation. Also, we developed memory as a module for the consideration of Military environments. The overall type of SBC should be designed by the form of 6U VME or 3U VME.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.169-169
• /
• 2011

STT-MRAM (수직자화 자기메모리)는 자화반전 현상을 원리로 구동하는 비휘발성 메모리로 기존의 메모리 장치에 비해 빠른 접근 속도와 높은 저장 밀도를 가지며 영구적인 기록이 가능하다. 이러한 장점들에 더해 적은 소모 전력을 지니므로 기존의 SRAM등의 한계를 극복할 대안으로 각광받고 있으며 차세대 메모리 군의 선두주자로 가장 적합한 후보중 하나이다. STT-MRAM의 건식 식각 방식에 있어 가장 큰 이슈는 소자 구동에 핵심적인 역할을 하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction)의 식각이다. MTJ는 free layer, tunnel barrier, pinned layer 3개의 층으로 구성되어 있으며 양 끝 layer에는 강자성체인 CoFeB가 사용되고 tunnel barrier에는 절연층인 MgO가 사용되고 있다. 이러한 물질들은 기존의 반도체 소자에서는 사용되지 않았던 물질들로 기존 공정에서 사용되던 Cl2 based plasma etching에서는 측벽에 비화발성 반응물과 잔류 Cl2에 의해 부식이 발생하는 문제점이 드러나고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 새로운 대안으로 CO/NH3/Ar나 CH4/Ar 같은 새로운 가스 조합을 사용하는 연구가 진행되고 있다. 이러한 연구에 의해 기존의 Cl2 plasma를 이용한 식각에서 나타나는 문제점은 해결이 되었으나 또 다른 문제점들이 보고되고 있다. 본 연구에서는 stack MRAM sample을 사용하여 기존의 사용되는 Cl2/Ar plasma와 대안 gas인 CO/NH3, CH4/Ar plasma에서의 식각을 진행하였으며 실험 조건(gas 비율 변화, Bias power 변화, 식각 시간)에 따른 식각 속도의 변화나 식각 후의 profile에 대하여 관찰하였다. 이에 따라 식각후에 어떠한 차이점이 있는 지를 알아보았으며 CO/NH3나 CH4/Ar plasma에서 식각시 나타나는 문제점에 대하여도 조명해 보았다.