• Electrical & Electronic Materials
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• v.16 no.11
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• pp.11-17
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• 2003

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.10 no.3 s.37
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• pp.151-163
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• 1995

최근 이동통신, 위성통신 등 통신시스템의 급속한 발달과 더불어 마이크로파대에서 이용될 수 있는 통신기기의 개발이 시급히 요구되고 있다. 더우기 주파수자원의 활용범위가 고주파 광대역화되어 감에 따라 새로운 부품의 개발이 대두되고 있다. 그중 페라이트 자성체를 이용한 마이크로파 부품은 가용주파수 대역을 고주파화 및 광대역화할 수 있으므로 이동통신, 위성통신 시스템 등에 활용가능성이 새로이 제안되고 있다. 본 고는 자성체를 이용한 마이크로파 부품들인 칩인덕터, 박막인덕터, 정자파소자, 위상변위기 등의 개발현황에 대해 조사분석한 것이다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.3 no.1
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• pp.11-19
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• 1992

To design of Ultra-wideband amplifier, we analyzed the inductor peaking to reduce the capacitance effect of GaAs MESFET in upper frequency edge. And we deduced an optimun inductor peaking element from transfer function of GaAs MESFET small-signal equivalent circut and realized the Feedback Amplifier Module (FAM) having flat gain. We design the imput and output impe dance matching networks by Real-Frequency Method. It show that the gain of designed amplifier has a 6.38dB with gain variation 0.56 at 0.1~12 GHz frequency gand by computer simu-lation.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.05a
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• pp.22-23
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• 1994

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.6
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• pp.528-537
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• 2002

In this paper, the extended FDTD is used for the analysis of microwave circuits including active elements. Lumped elements such as R, L, C which are inserted into a microstrip line are analyzed with the FDTD lumped element modeling. Parasitic capacitance and inductance could be obtained using network modeling and so it is sure that FDTD lumped element modeling makes it possible to get more accurate data which include parasite components. Moreover, a balanced mixer using two diodes that are modeled by an extended FDTD is designed and the more exact characteristic of the mixer is acquired than in current circuit simulator.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.3
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• pp.45-54
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• 2004

Microwave characteristics of ridge type CPW traveling-wave(TW) electroabsorption modulator and photodetector are affected by the thickness of intrinsic layer, width of guiding layer, and the separation of signal and ground electrodes. These factors are determined effective index of microwave and characteristic impedance due to changing of capacitance(C) and inductance(L) of device. However, conventional equivalent circuit of TW-structure is approximated to microstrip and CPW transmission line by distribution of electric and magnetic fields, respectively. In this paper, we analyzed microwave characteristics of TW-structure and found more accurate value of C and L by using finite difference time domain (FDTD) method. These values are adopted circuit element of equivalent circuit. Microwave characteristics obtained by the FDTD and equivalent circuit model show good agreement.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2000.11a
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• pp.130-134
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• 2000

본 논문에서는 확장된 시간영역 유한차분법(Extended finite difference time domain method)을 이용하여 마이크로파 중폭기를 해석하였다. 회로에 포함되어 있는 능동 소자는 고주파 등가 회로를 이용하여 모델링 하였다. 고주파 등가 회로를 통하여 계산한 게어트와 드레인의 전류를 FDTD의 전계 계산식에 첨가향으로개 마이크로스트립 회로의 전자기파와 능동 소자와의 상호 작용을 특성 지었다. 해석 결과는 주파수 영역 회로 해석법(Frequency-domain circuit analysis)을 이용한 결과와의 비교를 통하여 정확성을 입증했다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.5
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• pp.863-871
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• 2003

In this paper, we design a high stable Ku-band phase-locked dielectric resonant microwave oscillator with the gate voltage controls of p-HEMT. By adapting the nonlinear equivalent elements which affects phase noise of microwave oscillator, we optimize the nonlinear elements of p-HEMT to have low phase noise operation. Using the scattering parameters according to bias voltages, we designed the gate voltage control microwave dielectric resonant oscillator and phase-locked loop circuits is applied to have the high stable operations. Designed microwave oscillator as a local oscillator of digital microwave communication shows that output power is 9.17dBm at 10.75GHz and it's phase noise is -88dBc/Hz at 10KHz offset frequency.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.11
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• pp.1113-1120
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• 1996

다이아몬드 박막을 이용한 반도체소자를 실현시키기 위해서는 다이아몬드가 아닌 다른 재료의 기판위에 대면적에 걸쳐 다이아몬드막을 에피텍셜 성장시키는 것이 필수적이다. 그러나 이 분야의 연구는 아직 초보상태로 그 목표가 실현되지 못하고 있다. 본 논문에서는 저압의 ECR 마이크로파 플라즈마 CVD에 의하여 대면적의 Si(100)기판상에 방향성을 갖는 다이아몬드막을 성공적으로 성장시킨 결과를 보고자한다. 지금까지 얻어진 최적 핵생성 공정조건은 다음과 같다 : 반응압력 10Pa, 기판온도 80$0^{\circ}C$(마이크로파 전력이 3kW일 때), 원료가스 CH4/He 계로 농도비 3%/97%, 가스총유량 100sccm, 바이어스 전압 + 30V, 마이크로파 전력(microwave power)4kW, 바이어스 처리 시간 10분간이며, 성장단계에서의 증착공정 조건은 기판온도 80$0^{\circ}C$, 원료가스 CH4/CO2/H2계로 농도비 5%/15%/85%, 가스 총유량 1000sccm, 바이어스 전압 +30V, 마이크로파 전력 5kW, 성막시간 2시간으로 일정하게 유지하였다. 이 조건하에서 기판 면적 3x4$\textrm{cm}^2$의 대면적에 대해서 약 2x109cm-2의핵생성 밀도를 균일하게 재현성있게 얻었다. 원료가스로 CH4/H2를 사용한 경우보다 CH4/H2를 사용할 경우에 라디칼밀도의 증가에 의하여 더 높은 핵생성밀도를 얻을 수 있었다. 또한 저압의 ECR플라즈마 CVD의 경우에는 양의 바이어스전압이 막의 손상이 없어 다이아몬드 핵생성에 더 적합하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.105-105
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• 2000

현재 급격히발전하는 이동통신기술로 미루어 보아 앞으로는 모든 정보통신이 무선통신으로 이루어질 것이다. 그런데 무선통신은 이동성과 대용량의 정보전송에 초점을 맞추어 발전하고 있다. 많은 정보량을 전달하기 위해서 현재 사용되는 주파수 대역보다 고주파의 전파가 사용되어야 한다. 또한 이동성을 향상시키기 위해서는 통신기기의 소형화를 이루어야 하고 그러기 위해서 궁극적으로 모든 소자를 하나의 칩(chip)으로 집적화하는 것이 필요하다. 따라서 벌크상태로 사용되고 있는 유전체 공진기를 소형화, 즉 박막화해야만 한다. 결국 유전체 박막의 마이크로파 대역에서의 유전특성을 연구하고 그 특성을 향상시켜야만 한다. 통신기기에서 사용되는 유전체 공진기는 소형화를 위해 높은 유전율과 낮은 유전손실(tan$\delta$), 즉 높은 품질계수 (Q)를 가져야 한다. 마이크로파 대역에서 사용되고 있는 유전체 중에서 TiO2는 벌크 상태의 rutile 상에서 100정도의 높은 유전율과, 4 GHz에서 10,000 정도의 높은 품질계수를 나타낸다고 보고되어 있다. 따라서 본 연궁서는 TiO2 박막의 마이크로파 유전특성을 연구하였고 anatase 박막의 유전특성도 측정하였다. TiO2 박막을 RF magnetron reactive sputtering 방법으로 Ar (15 sccm)과 O2 (1.5 sccm) 기체를 사용하여 상온에서 증착하였다. 4mTorr의 증착압력에서 안정한 rutile 박막을 얻었고, 15 mTorrdo서 준안정한 anatase 박막을 얻을 수 있었다. 그리고 그 중간의 압력에서 두 상이 혼합된 박막이 증착되었다. 위와 같은 방법으로 형성한 TiO2 박막의 마이크로파 유전특성을 측정하기 위해 마이크로스트립 링공진기 (microstrip ring resonator)를 제작하였다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.