Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.11a
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pp.147-147
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2015
물리기상증착을 이용하여 알루미늄(Al)과 마그네슘(Mg)의 조성이 다른 2층 구조를 갖는 박막을 강판 위에 코팅한 후 열처리를 실시하여 박막의 미세구조 변화와 합금상을 관찰하였다. Al-Mg 코팅강판의 내부식성을 평가하여 Al-Mg 코팅층의 미세구조와 합금상 변화가 내부식 특성에 미치는 영향을 확인하였다. Al-Mg 박막의 조성은 Al 박막과 Mg 박막의 증착율과 두께 변화를 이용하여 조절하였다. 대기 중에서 350, 400, $450^{\circ}C$의 온도로 2, 3, 10분 동안 열처리를 실시하였다. Al-Mg 코팅 강판은 열처리를 실시하면 치밀한 구조로 변화하였으며 Al-Mg 코팅층 내부에 작을 알갱이 구조가 나타나는 것을 확인하였다. 열처리를 통해서 Al-Mg 합금상이 생성되었다. 합금상의 생성으로 Al-Mg 코팅강판의 내식성에도 영향을 미친 것으로 판단된다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.05a
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pp.174-174
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2015
아연 도금 강판은 우수한 내식성으로 인해 널리 사용되고 있지만 최근 아연의 자원 고갈 및 지속적인 가격 상승문제로 인해 아연의 사용량을 줄이기 위한 연구 들이 진행 중이다. 최근 마그네슘이 첨가 된 아연 박막이 기존 아연 도금 강판에 비해 우수한 내식성을 갖는 결과들이 보고 된 바 있다. 본 연구에서는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 방식을 활용해 합성된 Zn-Mg 박막을 전기화학적 임피던스 분광법 (EIS)을 통해 침지시간에 따른 전하이동저항의 변화를 분석하였다. EIS와 XRD 분석 결과에서 Zn-Mg 박막이 부식되면서 형성되는 안정한 simonkolleite 상이 전하이동저항의 증가에 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다.
Ni/MH 박막전지의 전극으로 사용될 수 $Mg_{2}Ni$박막을 스퍼터링방법으로 제조하였다. $Mg_{2}Ni$합금박막은 Mg, Ni타?을 이용하여 동시에 스퍼터링함으로서 제조하였다. KOH 액체전해질 및 $Ni(OH)_2$전극을 이용하여 전기화학실험을 하였다. $Mg_2Ni$ 박막의 초기 싸이클 특성에 미치는 열처리 효과를 조사하기 위하여, $200-550^{\circ}C$로 변화시키면서 진공중에서 열처리를 하였다. 열처리온도가 $300^{\circ}C$ 이하에서는 초기방전용량이 증가하였으며, $400^{\circ}C$ 열처리시에는 활성화시의 방전용량이 약 160mAh/g으로 가장 크게 나타났다.
Kim, Dong-Chan;Bae, Yeong-Suk;Lee, Ju-Ho;Jo, Hyeong-Gyun;Lee, Jeong-Yong
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.29.2-29.2
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2010
최근 박막형 LED 및 박막형 태양전지등의 기존 마이크로 소자들의 효율향상을 위한 개선으로 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 관심을 받고 있다. 이는 가능성으로만 여겨져왔던 나노기술이 기존 박막형 소자에서 포화된 효율상향 접근방식의 한계에 따른 것으로 생각되며, 나아가 나노기술로 제작된 나노소자가 우리 생활을 채우게 될 날이 얼마남지 않은 것을 의미한다. 특히, 디스플레이 소자에서의 나노기술은 더욱 더 중요시 되고 있다. 그로 인해 투명성과 우수한 광전기적 특성을 지닌 산화물 반도체와 그 나노구조 대한 관심이 날로 높아지고 있으며, 그 가운데 산화아연계(ZnO, MgZnO등) 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 많이 연구되고 있다. 산화아연은 c축으로 우선 배향성을 가지는 우르짜이트 구조로써, 나노선 성장이 다른 산화물에 비해 용이하고 그 물리적, 화학적 특성이 안정 우수하다. 이러한 산화아연 나노선 제작법 가운데, 유기금속화학기상증착법은 다른 성장법에 비해 결정학적 광학적 특성이 우수하고 성장속도가 빨라 고품질 나노선 성장에 용이한 장비로 각광받고 있다. 하지만 bottom-up 공정을 기반으로 한 나노소자제작에서 몇 가지 문제점을 가지고 있다. 1) 수직형 대면적 성장, 2) 나노선 밀도 조절의 어려움, 3) 기판과의 계면층에 자발적으로 생성되는 계면층의 제거, 4) 고온성장시 precursor의 증발 문제 등이 그것이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 산화아연 나노구조 성장 시, 마그네슘(Mg)을 도입하여, 각 원소의 조성 차이에 따라 기판 표면에 30nm 두께 미만의 상분리층(단결정+비정질층)을 자발적으로 형성시켰다. 성장이 진행됨에 따라, 아연이 rich한 단결정 층에서는 나노선이 선택적으로 성장하게 하였고, 마그네슘이 rich한 비정질 층에서는 성장이 이루어지지 않게 하였다. 따라서 산화아연이 증발되는 온도영역에서 10nm 이하 직경을 가지는 나노선을 자발적으로 계면층 없이 수직 성장하였다. 또한, 표면의 단결정, 비정질의 사이즈를 Mg 유량으로 적절히 조절한 결과, 산화아연계 나노월 구조성장이 가능하였다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.29
no.1
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pp.98-106
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2005
The chemical conversion film formed on magnesium alloy was investigated by using the colloidal silica with some parameters such as solution pH. temperature, solution conditions, and treatment time. Moreover. the solutions consisted of colloidal silica titanium sulfate, and cobalt ions were used for the colloidal silica film to having a good corrosion resistance and adhesion properties. It was thought that the film at 298K was made with combination of Si-O. The quantity of film formed at high temperature such as 333K and 353K is smaller than dissolved quantity during chemical conversion treatment. Adding $CoSO_4$ to the colloidal silica solution enhanced the adhesion force between the silica film and magnesium substrate, The optimum conditions for the chemical conversion treatment solution were PH 2.90 s treatment, and 298K.
Park, Yeong-Hui;Lee, Gyeong-Hwang;Jeong, Jae-In;Yang, Ji-Hun
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2007.11a
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pp.36-36
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2007
AZ31 Mg alloy plate 표면에 대기압 플라즈마 처리, MgO 코팅, 유기단분자막 형성, sol-gel 코팅등의 표면 처리를 한 후 내식성의 변화를 조사하였다. 대기압 플라즈마는 O2, Ar 개스를 사용하여 처리하였고, MgO 코팅은 sputter를 사용하였으며, 유기 단분자막으로는 Octadecyltrimethoxy silane을 기상유기박막 코팅하였으며, sol-gel 코팅은 dipping 방법을 이용하여 샘플을 제작하였다. 마그네슘 판재는 buffing 공정으로 표면 처리된 것을 사용하였으며, 아세톤 및 에탄올을 이용하여 초음파 세척하여 사용하였다. 표면처리된 시험편을 염수분무법으로 내식성을 평가하였으며, sol-gel 코팅 층의 젖음성 특성 및 xps를 이용하여 내식 특성에 미치는 표면 효과를 분석하였다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.4
no.2
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pp.119-130
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1994
To deposit silicon on borosilicate glass substrates, 18 different substrate combinations were investigated because of the difficulty of direct deposition of silicon. Sucessful results were obtained from Al-and Mg-treated glass and furnace annealed sputtered silicon deposited glass substrates. A continuous silicon thin film on a large area substrates was obtained in the temperatures ranges from $420^{\circ}C to 520^{\circ}C$. These thin films might be applied to lower the cost of solar cells and solar cell modules.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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