The Raman scattering was studied from the porous silicons which were made by changing anodization current and time. As the current density was increased, it was observed that Raman peak was red shift and the full width half maximum increased, and was analyzed theoretically.
The crystallographic site dependent substitution of $^{18}O$ for $^{16}O$ in $Bi_{2}Sr_{2}Ca_{0.8}Y_{0.2}Cu_{2}^{16}O_{8+\delta}$ has heen investigated. In the Kaman spectra of $Bi_{2}Sr_{2}Ca_{0.8}Y_{0.2}Cu_{2}^{16}O_{8+\delta}$ three prominent Raman bands are observed at 297. 464, and $623cm^{-1}$. As the $^{16}O$ arc replaced hy $^{18}O$, all the three bands shift to lower wavewnumbers. The rate of this isotopic shift is similar for the hands at 397 and $464cm^{-1}$. whereas it is quite slower for the hand at $623cm^{-1}$ '['his implys that the $^{16}O-^{18}O$ exchange reaction is crystallographic sites dependent. .Assuming a tetragonal symmetry, we assign the bands at 623. 464, and $297cm^{-1}$ to the vibrations of $O_{pl}(A_{g}),\;O_{ap}\;and\;O_{Bi}$ respectively.
Kim Byung-Jun;Choi Hyun-Beom;Seo Dea-Dong;Lee Dong-Han;Jeon Jeoung-U;Lee Yung-Tark
한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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2003.08a
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pp.163-164
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2003
현재의 OTDR 기술은 150km 이상의 광선로를 감시하기 어렵다. 이 문제를 해결하기 위하여 라만 증폭기를 사용하여 장거리의 기간 전송망을 감시할 수 있는 바이패스 모듈을 구성하였다. 1625nm 파장에서 11dB 이득을 갖는 라만 증폭기가 포함된 바이패스 모듈을 사용하여 300km의 광전송라인을 감시할 수 있는 기술을 확보하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.382-382
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2011
이차원 결정인 그래핀(graphene)은 전하도핑(charge doping)과 기계적 변형에 민감하기 때문에 기판의 물리 및 화학적 구조 및 특성에 따라 그래핀의 물성이 크게 영향을 받는다고 알려져 있다. 특히 널리 사용되고 있는 산화실리콘($SiO_2$/Si) 기판에 존재하는 나노미터 크기의 굴곡과 전하 트랩(charge trap)은 전하 이동도 및 화학적 안정성 등의 면에서 그래핀 고유의 뛰어난 물성을 제한하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 비정질 산화실리콘 기판을 대조군으로 삼아 편평도가 높은 결정성 h-BN (hexagonal boron nitride) 기판이 그래핀에 미치는 영향을 관찰하였다. 화학기상증착법(chemical vapor deposition 또는 CVD)으로 성장시킨 그래핀을 각 기판에 전사시킨 후 라만 분광법을 통해 전하 도핑 및 기계적 변형 정도를 측정하였다. h-BN 위에서는 외부 환경에서 기인하는 전하 도핑 정도가 산화실리콘 기판보다 적게 관찰되었다. 또한 h-BN 위에 고착된 그래핀 시료에서는 기판-그래핀 상호작용에서 기인하는 것으로 보이는 새로운 라만 분광 특성이 관찰되었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.211-211
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2013
나노 크기의 공간에서의 물질의 이동은 표면의 환경에 의해 영향을 받을 수 있다. 소수성그래핀과 친수성 실리콘 기판 사이의 계면에서의 물의 확산은 호기심을 자극할 뿐만 아니라 그래핀 소자의 특성을 좌우하는 전하도핑(charge doping) 현상을 이해하는데 중요한 모델이 된다. 본 연구에서는 라만 분광법과 원자 힘 현미경을 사용하여 그래핀/SiO2 계면 사이의 물의 확산 현상과 그에 따른 정공 밀도 변화를 탐구하였다. 열처리 된 그래핀은 기판과의 상호 작용에 의해 높은 밀도의 정공(electron hole)으로 도핑 되어 있으며, 이를 물에 담지 하였다. 본 실험에서는 이차원 라만 분광법을 통해 물 속에 담겨진 그래핀의 정공 밀도의 공간적인 분포를 확산 시간에 따라 조사하였다. 물의 확산은 시료에 따라 수 시간에서 수 일의 시간대에 걸쳐 그래핀 가장자리에서 중앙으로 이루어진다는 사실을 확인하였다. 또한 물의 계면 확산으로 인하여 전하 밀도가 감소한다는 사실은 열처리 된 그래핀의 정공 도핑을 유발하는 산소가 계면에 존재한다는 것을 증명한다.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.27
no.1
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pp.113-118
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2010
A straight pipe is used after complicated bending work in a mechanical system. In this work process, the plastic deformation of the pipe produces residual stress in the pipe. This residual stress significantly affects the behavior of pipe fracture. For this reason, residual stress must be evaluated. Measuring the residual stress of a U-shaped pipe is difficult with existing destructive and nondestructive measurement methods. In this paper, the residual stress of a U-shaped aluminum pipe (99.7% pure aluminum) was evaluated from the Raman shift by Raman spectroscopy and FEM(Finite Element Method, FEM) analysis. The results of the stiffness test by FEM analysis are compared with those by experiments. The analyzed results of the Raman spectra showed a similar tendency with the results of the FEM analysis with respect to the residual stress distributions in U-shaped pipes. Also, the results of the bending tests showed resemblance to each other.
Park, Cheol-Ung;Park, Seung-Nam;Han, Jae-Won;Park, Bu-Min;Sin, Hyeon-Dong
한국연소학회:학술대회논문집
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1997.06a
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pp.33-44
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1997
연소상태의 온도를 이동하면서 측정할 수 있는 광대역 코헤런트 반스톡스 라만 분광기를 제작하였다. 분광기의 온도 측정 정확도를 향상시키기 위하여 무모드레이저를 제작하여 스톡스광으로 사용하였다. 이동형 CARS 분광기에 적합하도록 CARS신호 측정용 단색기를 제작하여 분광기 내부에 설치 하였다. CARS 분광기의 온도 측정의 정확도를 알아보려고 흑연관 전기로를 이용하여 표준 복사온도계와 CARS 분광기로 측정한 온도의 차이를 측정하였다. 장치의 온도 정확도는 1000 K - 2400 K 사이의 온도영역에서 2%이내 였다. 무모드 색소레이저의 출력 스펙트럼의 시간에 따른 안정도를 측정하여 온도측정에 미치는 오차를 조사한 결과 1500 K에서 5 시간 동안 1.5 %이내 였다. 평면 화염 버너에서 프로판공기 예혼합 화염의 온도 분포를 측정하여 이 장치의 응용 가능성을 확인하였다.
Atomistic origins of carbon solubility into silicates are essential to understand the effect of carbon on the properties of silicates and evolution of the Earth system through igneous and volcanic processes. Here, we investigate the atomic structure and NMR properties of dissolved carbon in enstatite using Raman spectroscopy and quantum chemical calculations. Raman spectrum for enstatite synthesized with 2.4. wt% of amorphous carbon at 1.5 GPa and $1,400^{\circ}C$ shows vibrational modes of enstatite, but does not show any vibrational modes of $CO_2$ or ${CO_3}^{2-}$. The result indicates low solubility of carbon into enstatite at a given pressure and temperature conditions. Because $^{13}C$ NMR chemical shift is sensitive to local atomic structure around carbon and we calculated $^{13}C$ NMR chemical shielding tensors for C substituted enstatite cluster as well as molecular $CO_2$ using quantum chemical calculations to give insights into $^{13}C$ NMR chemical shifts of carbon in enstatite. The result shows that $^{13}C$ NMR chemical shift of $CO_2$ is 125 ppm, consistent with previous studies. Calculated $^{13}C$ NMR chemical shift of C is ~254 ppm. The current calculation will alllow us to assign potential $^{13}C$ NMR spectra for the enstatite dissolved with carbon and thus may be useful in exploring the atomic environment of carbon.
We have examined Raman spectra of cis-peptide model complex, diketopiperazine in water and $D_2O$ with 320 nm through 218 nm excitation. Our study examines assignment of the resonance enhanced amide vibrations and characterizes their enhancement mechanism. Three resonance enhaned cis-peptide marker bands were observed in aqueous solution at 1676, 1533 and $806cm^{-1}$, which were assigned to the cis-amide I, II and S band, respectively. The $1533cm^{-1}$ amide II band, which is almost pure C-N stretching, was most dominant in water and shifted to $1520cm^{-1}$ upon N-deuteration. This band will be probably a potential probe band for cis-peptide moieties in proteins. The excitation profile data and an Albrecht A-term fit indicated that the cis-peptide vibrations derive their intensities from the 188 nm cis-peptide ${\pi}-{\pi}^*$ electronic transition. We Propose that the geometry of cis-peptide ${\pi}^*$ excited state is C-N bond displacement relative to that of electronic ground state.
The Raman stretching frequency of nitrile group was affected by change of solvents and its in concentration in same solvent. In the case of acetonitrile, nitrile group stretching frequencies were observed in the region of 2247.3∼2254.9 cm-1 with various solvents. While in benzonitrile, they were found in the region of 2226.1∼2230.3$ cm^{-1}. With the addition of water in acetonitrile,νC≡N was shifted to high frequency from 2250.1 cm^{-1} in pure acetonitrile to 2257.7 cm^{-1} in 90% water forwhich had with higher volume % of water caused higher hydrogen-bonded equilibrium between methyl protons and water. The νC≡N frequency for nitrile group was shifted to high frequency by solvent inductive effect with the increasing mixed solvent (CHCl_3/CCl_4)$mole% ratio.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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