• Title/Summary/Keyword: 등가회로 모델

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Dynamic Characteristic Analysis by using Electric Circuit Parameter Extracted from Distributed Electromagnetic Systems (분포정수 전자기시스템에서 추출된 전기회로 상수를 이용한 동특성 해석)

  • Shin, Yu-Jeong;Han, Sang-Joon;Lee, Se-Hee;Park, Il-Han
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2002.11d
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    • pp.103-105
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    • 2002
  • 전기-기계 결합시스템에서의 동특성을 정확히 해석하기 위해서는 해석모델의 전기회로 방정식과 운동방정식이 함께 고려되어야 한다. 이때 시스템의 다양한 입력과 기하학적인 구조 등에 대한 등가회로 상수는 시스템의 전반적인 특성에 매우 민감하게 작용하므로 중요하게 고려 되어야한다. 본 논문에서는 전자기시스템의 회로상수를 미리 계산한 다음 이를 기계 역학시스템에 적용하여 다양한 전기적 입력과 외부 부하특성에 대하여 어떻게 동작하는지를 알아보았다. 전자기시스템의 회로상수 추출을 위해 전자장해석은 유한요소법을 이용하였으며 전기회로 방정식과 운동방정식이 함께 고려된 상태 미분방정식은 4차 Runge-Kutta 미분방정식 해법을 이용하여 운동특성을 해석하였다. 계산된 결과는 수학적으로 검증된 미분방정식과 비교하여 검증하였다.

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A New Extraction Method of GaAs/InGaP HBT Small-signal Equivalent Circuit Model Parameters (GaAs/InGaP HBT 소신호 등가회로 모델 파라미터의 새로운 추출방법)

  • 이명규;윤경식
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2000.11a
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    • pp.357-360
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    • 2000
  • This paper describes a parameter extraction method for HBT(Heterojunction Bipolar Transistor) equivalent circuit model without measurements of special test structures or numerical optimizations. Instead, all equivalent circuit parameters are calculated analytically from small-signal S-parameters measured under different bias conditions. These values being extracted from the cutoff mode can be used to extract intrinsic parameters at the active mode. This method yields a deviation of about 1.3 % between the measured and modeled S-parameters.

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An equivalent Circuit Model of Transformer Coupled Plasma Source (축전 용량이 고려된 평판형 유도 결합 플라즈마 원의 등가회로 모델)

  • Kim, Jeong-Mi;Kwon, D.C.;Yoon, N.S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2002.07c
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    • pp.1760-1762
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    • 2002
  • In this work we develop an equivalent circuit model of TCP(transformer coupled plasma) source and investigate matching characteristic. The developed circuit model includes transmission line, standard-type impedance matching network and displacement current in the plasma source. The impedance of TCP is calculated by previously developed program for various source parameters and dependance of components of matching impedance on the value of source impedance is investigated.

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Composition the Equivalent Circuit of Linear Homopolar Synchronous Motor for Integrated Suspension/Propulsion System (자기부상 및 추진일체형 LHSM의 등가회로 모델 구성)

  • Jang, S.M.;Jeong, S.S.;Yang, H.S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1998.07a
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    • pp.49-51
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    • 1998
  • The 4-pole LHSM was composed of the figure-of-eight shaped 3-phase armature windings. DC field windings, and the segmented secondary with the transverse bar track. These parameters were computed from the analytical expressions and examined from FEM analysis.

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Li-ion Battery Charateristics for Electric Scooters (전기 스쿠터를 위한 Li-ion 배터리 특성)

  • Kim, Seunghwan;Kim, Hyosung
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2015.07a
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    • pp.71-72
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    • 2015
  • 배터리의 랜들 등가회로 모델은 기본적으로, 전달 저항 Rct, 전기 이중층 커패시턴스 Cdl, 내부저항 Ri, 그리고 개방회로전압 Voc의 4가지 파라미터로 구성 된다. 본 논문은 실험에 의해 리튬이온 배터리의 모델링을 위한 기본적 4가지 파라미터를 추출하고 운전조건에 따른 특성을 분석한다. 분석 결과를 이용하여 본 연구자에 의하여 제작된 전기 스쿠터의 SOC(State of Charge)를 추정하는 알고리즘을 제안한다.

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고감쇠 면진베어링을 이용한 지진응답 감소

  • Koo, Gyeong-Hoe;Lee, Jae-Han;Yoo, Bong
    • Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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    • 1995.05b
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    • pp.987-992
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    • 1995
  • 본 논문에서는 복잡한 Hysteretic 복원력-변형률 특성을 갖는 고감쇠 면진베어링에 대한 Hysteretic bi-linear 모델을 사용하여 비교적 해의 정확성을 보장할 수 있는 Runge-Kutta 방법으로 지진해석을 위한 공식을 유도하였다. 그리고 Hysteretic bi-linear 모델을 사용한 면진베어링의 응답해석결과로부터 등가선형모델을 구하여 각각의 모델에 대한 지진응답 특성들을 비교분석하였다. 고감쇠 면진베어링을 전형적인 경수로원자로모델에 적용한 결과 면진구조물은 비면진 구조물에 비하여 가속도응답이 크게 감소함을 알 수가 있었다. 또한 면진베어링의 Hysteretic bi-linear 모델을 사용한 지진응답해석은 등가선형모델에 비하여 최대 변위응답특성은 유사하나 가속도응답은 크게 나타났다.

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Hybrid Vehicle Battery Modeling using Boundary Condition (경계조건을 반영한 하이브리드 자동차 배터리 모델링)

  • Lee, Jae-Joong;Lee, June-Sang;Bae, Hyun-Ju;Kim, Mi-Ro;Kweon, Hyck-Su;Nah, Wan-Soo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1678-1679
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    • 2011
  • 고속/고전압으로 동작하는 자동차 전장품에 대한 EMI/EMC(Electromagnetic Interfere / Electromagnetic Compatibility) 문제는 기존의 PCB(Printed Circuit Board)에서의 문제와 다르며 하이브리드/전기 자동차에서 중요하게 다뤄지는 배터리에 대한 최적화 된 모델링 방법이 본 논문에 소개 되어있다. 기존의 단순한 저항과 커패시터의 연결로 표현 된 모델링이 아닌 고주파를 반영 할 수 있는 모델링 방법을 사용하였다. 이를 분석하기 위해 ANSYS사의 Simplorer와 Matlab을 사용해서 결과를 보았다. 본 논문에서는 DOD(Depth Of Discharge)에 따른 통합 등가회로 모델을 구현하면서 기존의 단순한 지수함수 곡선적합(Curve fitting)이 아닌 SOC(State Of Charge)의 경계조건을 반영하여 정확성을 높였다. 이로써 실험 데이터를 이용해 배터리 등가회로 모델링을 하여 정확한 배터리 동작의 해석을 할 수 있고 이에 따른 전도성 방사(CE : Conducted Emission)문제에 보다 쉽게 접근 할 수 있다.

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A Gap Coupled NRD-Guide Filter Designed with an Equivalent Circuir Model of Evanescent Waveguide (차단주파수 영역 도파관 등가회로 모델을 이용한 Gap-Coupled NRD Guide 대역통과 여파기의 설계)

  • 김소영;이정해
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.11 no.6
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    • pp.990-995
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    • 2000
  • As the interest in the millimeter wave frequency (30 ~300 GHz) increases, Nonradiative Dielectric (NRD) guide is being more attractive due to its low loss characteristics. Most of millimeter wave components, which can be realized with waveguide, can also be realized with NRD guide since NRD guide has similar dispersion characteristics and field patterns to waveguide. Previously, Variational Method was applied to the gap discontinuity problem to design a gap-coupled NRD bandpass filter. In this paper, the design procedure was simplified by replacing the air gap region with an equivalent circuit model of an evanescent waveguide using the fact that the NRD guide has a similar structure with a dielectric-filled metal waveguide. Prior to applying this design method to the bandpass filter of millimeter wave frequency range, a bandpass filter of which center frequency is 10 GHz(3-Pole, 0.1 dB ripple, 2% fractional bandwidth) was designed and fabricated. The measured result agrees with one simulated with HFSS within an error range of a fabrication.

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A Study on Applicability of Equivalent Continuum Flow Model in DFN Media (DFN 매질에 대한 등가연속체 유동모델의 적용 가능성 평가에 관한 연구)

  • Lee, Dahye;Um, Jeong-Gi
    • Tunnel and Underground Space
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    • v.27 no.5
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    • pp.303-311
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    • 2017
  • The correlation analysis between the results obtained from DFN flow model and equivalent continuum flow model were conducted on total of 72 DFN blocks having various fracture geometry and domain size. A strong linear relation seems to exist between the two approaches under condition that normalized relative error for continuum behavior (ER) is less than 0.2, and the results from both methods are found to almost identical. To explore the field applicability of equivalent continuum flow model in DFN media, a total of 48 numerical schemes related to inflow of underground circular openings were implemented under various DFN configurations. The equivalent continuum flow model in DFN media with a constant hydraulic aperture was evaluated as valid. However, as the anisotropy increases due to variation of the hydraulic aperture, the results are likely to be overestimated compare to the DFN flow model.

Design of MMIC SPST Switches Using GaAs MESFETs (GaAs MESFET을 이용한 MMIC SPST 스위치 설계)

  • 이명규;윤경식;형창희;김해천;박철순
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.27 no.4C
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    • pp.371-379
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    • 2002
  • In this paper, the MMIC SPST switches operating from DC to 3GHz were designed and implemented. Prior to the design of switches, the small and large-signal switch models were needed to predict switch performance accurately. The newly proposed small-signal switch model parameters were extracted from measured S-parameters using optimization technique with estimated initial values and boundary limits. In the extraction of large-signal switch model parameters, the current source was modeled by fitting empirical equations to measured DC data and the charge model was derived from extracted channel capacitances from measured S-parameters varying the drain-source voltage. To design basic series-shunt SPST switches and isolation-improved SPST switches, we applied this model to commercial microwave circuit simulator. The improved SPST switches exhibited 0.302dB insertion loss, 35.762dB isolation, 1.249 input VSWR, 1.254 output VSWR, and about 15.7dBm PldB with 0/-3V control voltages at 3GHz.