• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.162-162
• /
• 2016

비전도체를 피도금체로 하여 전기 도금을 하는 경우 우선 피도금체 상에 시드 층을 형성 시키고 이후 여러 번의 전기도금을 거치게 된다. 이때 접점의 위치와 전류 인가 방법은 도금 특성에 영향을 미치게 된다. 이를 고찰하기 위하여 접점간 거리에 따른 도금 두께 분포 계산을 하였다. 본 연구에서는 도금 분포 계산을 위해 Elsyca社의 PlatingMaster를 사용하였다. 방향별 도금 두께 분포의 변화를 극명하게 관찰하기 위하여 종횡비 10:1로 음극과 양극 모델링을 하였고 접점의 개수는 1 ~ 3개, 접점의 위치는 10 mm 간격으로 이동하는 것을 변수로 하였다. 피도금체의 시드 층은 니켈 층으로 두께 $0.4{\mu}m$로 설정하고 유산동 도금 용액을 이용하여 용액 데이터베이스 측정하고 반영하였다. 계산을 위한 전류 밀도는 $50mA/cm^2$, 도금시간은 10분으로 모든 모델에서 동일하게 적용하였다. 도금이 성장한 면의 두께를 폭과 길이 방향으로 비교 관찰한 결과 전극간의 거리는 시드 층이 얇을수록 두께 분포에 큰 영향을 미쳤다. 하지만 하지 도금 층의 두께가 충분히 두꺼운 경우 전극간의 거리는 큰 영향을 미치지 않는다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
• /
• 제26권3호
• /
• pp.569-580
• /
• 2015

두 집단의 생존분포의 비교를 위한 방법으로는 로그-순위 검정법이 널리 쓰이고 있다. 그러나 이는 두 집단의 생존분포 간에 비례위험모형 가정이 성립하는 경우에 적합한 것으로써, 두 집단의 생존분포가 교차하는 상황 하에서는 해당 검정법의 유효성을 장담할 수 없다. 그러나 두 집단의 생존분포가 교차하는 상황은 빈번히 발생하며, 이 같은 상황에서 두 생존분포의 동일성 검정을 위한 여러 연구가 진행되어왔다. 본 논문에서는 두 집단 간 생존분포가 교차하는 상황 하에서의 동일성 검정을 위한 방법들을 고려한다. 나아가 교차하는 상황을 위치에 따라 세분화하고 모의실험을 통해 각 상황에서 다양한 검정법들의 검정력을 비교하였으며, 그 결과를 토대로 주어진 상황에서 적절한 방법의 선택에 유용한 정보를 제공하고자 한다.

• 한국결정학회:학술대회논문집
• /
• 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
• /
• pp.44-44
• /
• 2002

방사광 X-선 반사도를 이용하여 나노 스케일의 두께를 가진 oxynitride 박막의 계면 구조 및 두께를 측정하였다. Oxynitride 박막에서 nitrogen 분포의 분석은 두께가 극도로 얇아지는 요즘의 반도체 제작에서 매우 중요한 과제로 대두되고 있다. (1) X-선 반사도 측정을 분석하여 박막 깊이에 따른 전자밀도분포와 계면에서의 거칠기 및 각 층의 두께가 결정되었다. X-선 반사도 측정 분석으로부터 Nitrogen은 SiO₂와 Si substrate 계면에 위치하며, 화학조성분포와 층 구조의 상관성을 SIMS를 이용한 조성분포 측정과 비교하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
• /
• pp.863-865
• /
• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
• /
• pp.765-768
• /
• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• 한국가구학회지
• /
• 제21권6호
• /
• pp.449-458
• /
• 2010

본 연구는 중밀도섬유판(MDF)의보드두께에 따른 수평밀도분포(HDD: horizontal density distribution)를 조사하기 위해 수행하였다. 생산공장에서 제조된 보드두께가 다른 5 종류 즉 2 mm, 4.5 mm, 9 mm, 18 mm 및 30 mm의 원판을 두 가지 다른 시편크기 즉 $500{\times}500\;mm$와 $120{\times}120\;mm$로 제작하여 수평밀도분포를 측정하였다. 전체적으로MDF의 밀도는 보드두께가 증가할수록 감소하는 경향을 보였으며, 가장 얇은 보드두께의 MDF가 가장높은 밀도를 나타내었다. 수평밀도분포의 변이는 작은 크기 즉 $120{\times}120\;mm$의 시편에서 큰 차이를 보여 MDF의 보드두께가 수평밀도분포에 큰 영향을 미치는 것으로 나타났으며 보드두께가 클수록 감소하는 경향을 나타내었다. 또 보드두께가 적을수록 수평밀도분포의 밀도분포는 컸으나 보드두께가 클수록 밀도범위가 좁게 나타났다. 수평밀도분포의 변이계수(COV)는 보드두께가 증가함에 따라 감소하는 경향을 보였다. 요약하면 MDF 보드두께는 수평밀도분포에 매우 큰 영향을 미치며시편의 크기 또한 상당한 영향을 미치는 것으로 나타났다.

• 응용통계연구
• /
• 제11권1호
• /
• pp.113-127
• /
• 1998

생존자료의 분석에 있어 두 집단간의 생존분포의 비교는 자주 관심의 대상이 되고 있다. 중도절단(censoring)이 존재하는 생존자료에 있어 두 생존분포의 동일성을 검정하는 방법으로 log-rank 통계량과 Gehan의 일반화된 Wilcoxon 통계량에 근거한 검정법이 주로 사용되어 왔다. 그러나 이 두 가지 검정통계량이 어떤 상황에서나 적절한 것은 아니고, 두 생존분포의 여러가지 형태와 중도절단의 정도에 따라 통계량의 검정력은 크게 달라진다. 따라서 본 논문에서는 두 생존분포의 비교를 위해 제안된 몇 가지 검정통계량들을 여러가지 상황에서 모의실험을 통하여 비교하고, 그 결과를 토대호 주어진 상황에서 적절한 통계량을 선택하는데 대한 유용한 정보를 제공하였다.

• 한국터널지하공간학회 논문집
• /
• 제21권5호
• /
• pp.717-733
• /
• 2019

본 연구에서는 3개의 공용중인 NATM터널에서 수행된 정밀안전진단 GPR탐사 결과로 라이닝 두께분포 및 배면상태 특성을 분석하였다. 라이닝 천장에서 실시한 GPR 자료분석으로 라이닝 콘크리트와 1차지보재 사이에 공간이 대부분 존재하는 것으로 분석되었다. 다수의 라이닝 종단탐사로 분석된 횡단 두께의 좌 우 불균형은 8.6~253.5 mm로 확인되었으며 급격한 두께편차 주변에서 종방향균열 발생을 확인하였다. 라이닝 천단 중앙에서 실시된 종단 두께 분포는 3개의 적합도 검증을 통해 터널별 최적의 분포함수가 선정되었다. 종방향 라이닝 두께의 평균이 설계기준 이상인 경우 정규분포 및 이와 유사한 분포 특성을 나타내고 있으며, 설계두께 이하의 터널에서는 Gamma, Inverse Gauss분포함수가 해당터널의 라이닝을 대표하기 위한 최적함수로 적합할 것으로 판단하였다. NATM터널(무근) 라이닝의 두께분포는 터널의 상태평가 및 안전성평가를 전반적으로 분석하기 위한 중요한 지표가 될 수 있으며, 향후 기존의 일정한 설계 두께를 적용하기 보다는 GPR탐사를 반영한 라이닝의 현실적인 평가 방법의 연구가 필요할 것으로 판단된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.230-230
• /
• 2014

디지털 홀로그램 이미징 장치를 이용하여 박막과 웨이퍼 간의 두께 및 하전입자의 분포를 모니터링하는 센서의 성능을 보고한다. 이 센서는 웨이퍼와 SiN 박막 간의 경계를 구분하였으며, 경계에서의 하전입자의 분포의 분석도 가능함을 보였다. 이 센서는 다양한 종류의 계면 내지 박막 내부의 하전입자의 분포의 측정을 가능하게 하며, 또한 두께 변이의 실시간 측정도 가능하게 하여 향후 대량 생산현장에서의 광범위한 응용이 예상된다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제17권11호
• /
• pp.2621-2626
• /
• 2013

비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 해석학적 해를 구하였다. 대칭 DGMOSFET는 3단자 소자로서 상하단의 게이트단자가 상호 연결되어 있어 상하단 동일한 제어능력을 가지고 있으나 비대칭 DGMOSFET 소자는 4단자 소자로서 상하단 게이트단자의 전류제어능력을 각각 설정할 수 있다는 장점이 있다. 전위분포를 구할 때 포아송방정식을 이용하였으며 도핑분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 근사하게 해석하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 게이트 단자전압 및 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑의 변화에 따라 전위분포의 변화를 관찰하였다. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포를 관찰한 결과, 게이트단자 전압 및 게이트 산화막 두께 등에 따라 전위분포는 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트 산화막 두께가 증가하는 단자에서 전위분포의 변화가 더욱 크게 나타나고 있었으며 채널도핑이 증가하면 드레인 측보다 소스 측 전위분포가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다.