• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.162-162
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• 2016

비전도체를 피도금체로 하여 전기 도금을 하는 경우 우선 피도금체 상에 시드 층을 형성 시키고 이후 여러 번의 전기도금을 거치게 된다. 이때 접점의 위치와 전류 인가 방법은 도금 특성에 영향을 미치게 된다. 이를 고찰하기 위하여 접점간 거리에 따른 도금 두께 분포 계산을 하였다. 본 연구에서는 도금 분포 계산을 위해 Elsyca社의 PlatingMaster를 사용하였다. 방향별 도금 두께 분포의 변화를 극명하게 관찰하기 위하여 종횡비 10:1로 음극과 양극 모델링을 하였고 접점의 개수는 1 ~ 3개, 접점의 위치는 10 mm 간격으로 이동하는 것을 변수로 하였다. 피도금체의 시드 층은 니켈 층으로 두께 $0.4{\mu}m$로 설정하고 유산동 도금 용액을 이용하여 용액 데이터베이스 측정하고 반영하였다. 계산을 위한 전류 밀도는 $50mA/cm^2$, 도금시간은 10분으로 모든 모델에서 동일하게 적용하였다. 도금이 성장한 면의 두께를 폭과 길이 방향으로 비교 관찰한 결과 전극간의 거리는 시드 층이 얇을수록 두께 분포에 큰 영향을 미쳤다. 하지만 하지 도금 층의 두께가 충분히 두꺼운 경우 전극간의 거리는 큰 영향을 미치지 않는다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• v.26 no.3
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• pp.569-580
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• 2015

Log-rank is widely used for testing equality of two survival functions, and this method is efficient only under the proportional hazard assumption. However, crossing survival functions are common in practice. Therefore, many approaches have been suggested to test equality of them. This study considered several methods; Renyi type test, modified Kolmogorov-Smirnov and Cramer-von Mises test, and weighted Log-rank test, which can be applied when the survival functions cross, and simulated power of those methods. Based on the simulation results, we provide the useful information to choose a suitable approach in a given situation.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.44-44
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• 2002

방사광 X-선 반사도를 이용하여 나노 스케일의 두께를 가진 oxynitride 박막의 계면 구조 및 두께를 측정하였다. Oxynitride 박막에서 nitrogen 분포의 분석은 두께가 극도로 얇아지는 요즘의 반도체 제작에서 매우 중요한 과제로 대두되고 있다. (1) X-선 반사도 측정을 분석하여 박막 깊이에 따른 전자밀도분포와 계면에서의 거칠기 및 각 층의 두께가 결정되었다. X-선 반사도 측정 분석으로부터 Nitrogen은 SiO₂와 Si substrate 계면에 위치하며, 화학조성분포와 층 구조의 상관성을 SIMS를 이용한 조성분포 측정과 비교하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.863-865
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2014.10a
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• pp.765-768
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• Journal of the Korea Furniture Society
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• v.21 no.6
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• pp.449-458
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• 2010

This study attempted to investigate the effect of panel thickness on the horizontal density distribution (HDD) of medium density fiberboard (MDF) in a destructive way. Full size MDF panels with five different thicknesses such as 2 mm, 4.5 mm, 9 mm, 18 mm and 30 mm were cut into two different specimen sizes, i.e., $500{\times}500\;mm$ and $120{\times}120\;mm$ to measure the HDD. In general, the overall density of MDF panel diminished as the thickness increased, showing the highest density for the thinnest MDF panels. The HDD variation was significant for the samples of smaller specimen size ($120{\times}120\;mm$). MDF panel thickness significantly influenced to the HDD, which increased as the thickness decreased. In addition, the thinner panels showed much wider range in the HDD than those of thicker panels. The coefficient of variation (COV) of HDD also followed a similar trend to the panel density as the thickness increased. In summary, MDF panel thickness had a significant impact on the HDD within a panel. The sample size also showed a considerable effect to the HDD of MDF panels.

• The Korean Journal of Applied Statistics
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• v.11 no.1
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• pp.113-127
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• 1998

There have been a great deal of interests in comparing two survival distributins in clinical trials. This paper compares some well-known statistical methods for testing the equality of two survival distributions. Simulation studies also provide some insights into the properties of these test statistics across several types of survival distributions and degrees of censorship.

• Journal of Korean Tunnelling and Underground Space Association
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• v.21 no.5
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• pp.717-733
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• 2019

In this study, lining thickness distribution and its behind state (particularly, its void state) were analyzed using the GPR survey data performed on three currently operating NATM tunnels. Results of GPR analysis showed that void areas were mostly detected between concrete lining and primary support, particularly, near the crown of the tunnels. The lining thickness in the left-hand side of the tunnel was different from that of the right-hand side by 8.6~253.5 mm when measured in transverse direction. It was also found that longitudinal cracks were prevailed in the area lining thickness was sharply changed. Longitudinal thickness distribution at the crown was also studied and tested by performing 3 goodness-of-fit tests in order to find the most suitable thickness distribution. Normal distribution (or similar distribution) fit most suitably to the measured data if the measured average thickness was larger than designed one; Gamma and/or Inverse Gauss distribution fit to the measured data reasonably well if the measured average thickness was less than the designed value of thickness. Since actual lining thickness can be a potential index when assessing the state and safety of the unreinforced NATM tunnel lining, measuring of the lining thickness with GPR survey might be needed rather than assuming the thickness is always constant and same with the designed value.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.230-230
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• 2014

디지털 홀로그램 이미징 장치를 이용하여 박막과 웨이퍼 간의 두께 및 하전입자의 분포를 모니터링하는 센서의 성능을 보고한다. 이 센서는 웨이퍼와 SiN 박막 간의 경계를 구분하였으며, 경계에서의 하전입자의 분포의 분석도 가능함을 보였다. 이 센서는 다양한 종류의 계면 내지 박막 내부의 하전입자의 분포의 측정을 가능하게 하며, 또한 두께 변이의 실시간 측정도 가능하게 하여 향후 대량 생산현장에서의 광범위한 응용이 예상된다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.11
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• pp.2621-2626
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• 2013

This paper has presented the potential distribution for asymmetric double gate(DG) MOSFET, and sloved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential distribution. The symmetric DGMOSFET where both the front and the back gates are tied together is three terminal device and has the same current controllability for front and back gates. Meanwhile the asymmetric DGMOSFET is four terminal device and can separately determine current controllability for front and back gates. To approximate with experimental values, we have used the Gaussian function as doping distribution in Poisson equation. The potential distribution has been observed for gate bias voltage and gate oxide thickness and channel doping concentration of the asymmetric DGMOSFET. As a results, we know potential distribution is greatly changed for gate bias voltage and gate oxide thickness, especially for gate to increase gate oxide thickness. Also the potential distribution for source is changed greater than one of drain with increasing of channel doping concentration.