• Title/Summary/Keyword: 동시소성

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LTCC and LTCC-M Technologies for Multichip Module (Multichip module 개발을 위한 LTCC 밀 LTCC-M 기술)

  • 박성대;강현규;박윤휘;문제도
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.6 no.3
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    • pp.25-35
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    • 1999
  • LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic) or LTCC-M (Low Temperature Cofired ceramic on Metal) technology is one of MCM-C (Multichip Module on Ceramic) technologies and becomes to be widely used in consumer, RF and automotive electronics. As green sheets for LTCC are cofired below $1000^{\circ}C$ in comparison with those for HTCC (High Temperature Cofired Ceramic), high conductivity metal traces such as gold, silver and copper can be used. The dimensional stability in LTCC-M technology enables embedded passives to be integrated inside modules, which enhances the electrical performance and increases the reliability of the modules. Coefficient of thermal expansion and dielectric constant can be controlled by changing composition and heating profile for cofiring. In this technical review, LTCC and LTCC-M technologies are introduced and advantages of those technologies are explained.

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PDP용 Ag 전극과 유전체의 동시소결

  • Kim, Jeong-Hun;Sin, Hyo-Sun;Yeo, Dong-Hun;Hong, Yeon-U;Yun, Ho-Gyu
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.200-200
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    • 2009
  • 상용의 디스플레이로 널리 사용되고 있는 PDP(Plasma Display Panel)는 LCD와의 시장 경쟁으로 인하여 극한의 원가 경쟁 하에 있다. 따라서 각 공정에 대한 공정단가를 낮추기 위한 다양한 공정 및 소재 연구가 진행되고 있다. 그 가운데 하나가 Address와 Bus 전극으로 사용되고 있는 Ag 전극의 저온 소결이다. 이 공정은 저온소결 소재의 개발과 전극에 접촉하는 유전체 층과 matching이 중요하기 때문에 이들 소재의 동시 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 Ag 전극의 저온 소성을 위한 다양한 가능성을 검토하였다. 또한, 유전체와 동시 소결 가능한 소재의 특성 향상 및 저온 소성 연구를 동시에 수행하였다. Glass에 대한 유전체 층의 인쇄와 유전체 위에 전극 입자의 크기제어를 통한 기본 조성의 matching 특성을 비교하고 입자 크기가 전극의 소결 온도에 미치는 영향을 비교 평가 하였다. 유전체 층과의 matching 특성을 향상하기 위하여 유전체 조성의 일부를 전극에 첨가하여 두 소재간의 결합력을 증대시키기 위한 실험을 진행하였다. 그 결과를 바탕으로 저온 동시소성이 가능한 전극 소재의 최적화 실험을 실시하고 그 결과 최적의 전극 소재를 제시하였다.

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Control of Shrinkage on the Behavior of Co-firing of Ferrite and Varistor with Binder Content (Ferrite/Varistor 이종재료 동시소성 시 binder 함량에 따른 수축률 제어)

  • Han, Ik-Hyun;Myoung, Seong-Jae;Chun, Myoung-Pyo;Cho, Jeong-Ho;Kim, Byung-Ik;Choi, Duck-Kyun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.11a
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    • pp.34-34
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    • 2006
  • Ferrite/Varistor 이종재료 동시소성에서 소성 시 두 재료간의 서로 다른 수축률에 의한 휠 거동을 ferrite 하소온도와 sheet 제조 시 binder 함량에 따라 제어하였다. Ferrite의 하소온도를 $750^{\circ}C{\sim}900^{\circ}C$로 변화시켰을 때 하소온도가 $900^{\circ}C$ 일 때 수축률이 varistor의 수축률과 악 1%미만의 차이로 가장 유사하였다. $900^{\circ}C$에서 하소한 ferrite의 slurry 제조 시 binder의 함량을 40wt%~50wt%로 변화시키면서 sheet를 제조하여 varistor와 적층하여 $900^{\circ}C{\sim}1000^{\circ}C$에서 소결하였다. Binder 함량이 40wt%에 ferrite와 varistor를 교대로 적층된 시편에서 동시소성 시 휨을 제거할 수 있었다.

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The Behaviour of Ru Based Thick Film Resistor as a Component of LCR Network (LCR Network을 구성하는 RU계 저항체의 거동)

  • 박지애
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.3 no.1
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    • pp.41-48
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    • 1996
  • 동시 소성으로 LCR network을 구성하기 위한90$0^{\circ}C$ 소성용 Ru계 저항체를 제조하 였다. 동시 소성에 요구되는 최종온도에 이르기 위해서는 90$0^{\circ}C$에서 용융되는 유리상을 제 조하는 것이 필수적이다. 이 90$0^{\circ}C$소결용 저항 페이스트는 가장 낮은 용융온도를 갖는 PbO 의 양을 감소시키고 알루미나와 실리카의 양을 증가시켜 제조하였다. 본 연구에서는 ferrite 로 이루어진 inductor 그린쉬트 위에 ruthenate 저항체를 인쇄하여 동시소성한후 그 복합체 의 저항 특서에대하여 고찰하였다. PbO의 양이 감소될수록 복합 기판의 면적저항은 증가 되었고 inductor 기판 위에 잔류되는 저항페이스트의 양도 함께 증가하였다.

Sintering Behavior and Dielectric Properties of Cordierite Ceramics for LTCC Substrate (저온동시소성 기판용 Cordierite계 세라믹스의 소결거동 및 유전특성)

  • Hwang, Il-Sun;Yeo, Dong-Hun;Shin, Hyo-Soon;Kim, Hyo-Tae;Kim, Jong-Hei
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.06a
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    • pp.280-281
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    • 2006
  • Cordierite 결정상을 LTCC공정 적용온도에서 소결하기 위한 glass 조성을 조사하였다. 상용의 glass중 Pb-B-Si-O계, Na-Zn-B-O계 glass를 선택하였고 LTCC용 기판소재로서의 가능성을 확인하기 위하여 저온 동시소성이 가능한 소결온도인 $850^{\circ}C$$1000^{\circ}C$ 사이에서 소재의 소결실험을 진행하였다. 소결조건에 따른 상변화, 유전특성을 확인한 결과 glass상, 결정상, 용융에 의한 glass상으로 상의 변화가 있음을 확인 할 수 있었으며, LTCC 소결 조건에서 Pb-B-Si-O계 glass의 경우 2.9~3.7의 낮은 유전율과 0.0027의 우수한 dielectric loss, 내전압 특성을 가지고 있음을 확인하였다.

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Photolithographic Properties of Photosensitive Ag Paste for Low Temperature Cofiring (저온동시소성용 감광성 은(Ag)페이스트의 광식각 특성)

  • Park, Seong-Dae;Kang, Na-Min;Lim, Jin-Kyu;Kim, Dong-Kook;Kang, Nam-Kee;Park, Jong-Chul
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.41 no.4
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    • pp.313-322
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    • 2004
  • Thick film photolithography is a new technology in that the lithography process such as exposure and development is applied to the conventional thick film process including screen-printing. In this research, low-temperature cofireable silver paste, which enabled the formation of thick film fine-line using photolithographic technology, was developed. The optimum composition for fine-line forming was studied by adjusting the amounts of silver powder, polymer and monomer, and the additional amount of photoinitiator, and then the effect of processing parameter such as exposing dose on the formation of fine-line was also tested. As the result, it was found that the ratio of polymer to monomer, silver powder loading, and the amount of photoinitiator were the main factors affecting the resolution of fine-line. The developed photosensitive silver paste was printed on low-temperature cofireable green sheet, then dried, exposed, developed in aqueous process, laminated, and fired. Results showed that the thick film fine-line under 20$\mu\textrm{m}$ width could be obtained after cofiring.