The Behaviour of Ru Based Thick Film Resistor as a Component of LCR Network

LCR Network을 구성하는 RU계 저항체의 거동

동시 소성으로 LCR network을 구성하기 위한90$0^{\circ}C$ 소성용 Ru계 저항체를 제조하 였다. 동시 소성에 요구되는 최종온도에 이르기 위해서는 90$0^{\circ}C$에서 용융되는 유리상을 제 조하는 것이 필수적이다. 이 90$0^{\circ}C$소결용 저항 페이스트는 가장 낮은 용융온도를 갖는 PbO 의 양을 감소시키고 알루미나와 실리카의 양을 증가시켜 제조하였다. 본 연구에서는 ferrite 로 이루어진 inductor 그린쉬트 위에 ruthenate 저항체를 인쇄하여 동시소성한후 그 복합체 의 저항 특서에대하여 고찰하였다. PbO의 양이 감소될수록 복합 기판의 면적저항은 증가 되었고 inductor 기판 위에 잔류되는 저항페이스트의 양도 함께 증가하였다.