• 제목/요약/키워드: 동성반도체

검색결과 5건 처리시간 0.019초

업계소식

  • 한국전자산업진흥회
    • 전자진흥
    • /
    • 제11권5호
    • /
    • pp.51-57
    • /
    • 1991
  • PDF

업계소식

  • 한국전자산업진흥회
    • 전자진흥
    • /
    • 제4권12호
    • /
    • pp.96-100
    • /
    • 1984
  • PDF

GaAs/A1GaAs HEMT구조의 2DEC 측정

  • 이재진;맹성재;박효훈;김진섭;마동성
    • ETRI Journal
    • /
    • 제11권4호
    • /
    • pp.67-74
    • /
    • 1989
  • n-GaAs/A1GaAs계의 화합물 반도체 접합에 형성되는 이차원 전자 가스를 캐패시턴스-전압(C-V), 각도 의존 자기저항(SdH), 전자 빔 반사(EBER)등의 측정 방법을 통하여 A1GaAs 조성비(x)는 0.281, 전도대와 가전도대의 밴드 불연속은 각각 밴드 갭($E_g$)의 69%와 31%임을 알았고, 여기에 존재하는 이차원 전자가스의 면농도는 $5.4\times10^11cm^-2, 페르미 준위 $E_F$는 25mev임을 알았다. 또한 도핑 된 A1GaAs층에서 흔히 나타나는 Franz-Keldysh진동은 불순물의 활성화도가 작으면 형성되는 전기장의 약화로 나타나지 않는다는 것을 발견하였다.

  • PDF