• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.9
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• pp.26-34
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• 1998

This paper presents a characterization method for faults of circuit patterns on MCM(Multichip Module) or PCB(Printed Circuit Board) substrates with electron beams of a SEM(Scanning Electron Microscope) by inducing voltage contrast on the signal line. The experimentation employes dual potential electron beams for the fault characterization of circuit patterns with a commercial SEM without modifying its structure. The testing procedure utilizes only one electron gun for the generation of dual potential electron beams by two different accelerating voltages, one for charging electron beam which introduces the yield of secondary electron $\delta$ < 1 and the other for reading beam which introduces $\delta$ > 1. Reading beam can read open's/short's of a specific net among many test nets, simultaneously discharging during the reading process for the next step, by removing its voltage contrast. The experimental results of testing the copper signal lines on glass-epoxy substrates showed that the state of open's/short's had generated the brightness contrast due to the voltage contrast on the surface of copper conductor line, when the net had charged with charging electron beams of 7KV accelerating voltages and then read with scanning reading electron beams of 2KV accelerating voltages in 10 seconds. The experimental results with Au pads of a IC die and Au plated Cu pads of BGA substrates provided the simple test method of circuit lines with 7KV charging electron beam and 2KV reading beam. Thus the characterization method showed that we can test open and short circuits of the net nondestructively by using dual potential electron beams with one SEM gun.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.22 no.3
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• pp.19-23
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• 2015

In this study, two types of Au/TiW bump samples were fabricated by the electroplating process onto Al/Si and SiN/Si wafers for the COG (Chip On Glass) packaging. TiW was used as the UBM (Under Bump Metallurgy) material of the Au bump and it was deposited by a sputtering method under the sputtering powers ranges from 500 to 5000 Watt. We investigated the delamination phenomenas for the prepared samples as a function of the input sputtering powers. The stable interfacial adhesion condition was found to be 1500 Watt in sputtering power. In addition, the SAICAS (Surface And Interfacial Cutting Analysis System) measurement was used to find the adhesion strength of Au bumps for the prepared samples. TiW UBM films were deposited at the 1500 Watt sputtering power. As a results, there was a similar adhesion strengths between TiW/Au interfacial films on Al/Si and SiN/Si wafers. However, the adhesion strength of TiW UBM sputtering films on Al and SiN under films were 2.2 times differences, indicating 0.475 kN/m for Al/Si wafer and 0.093 kN/m for SiN/Si wafer, respectively.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.18 no.9
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• pp.92-100
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• 2017

The Helicopter MRA Control Rod System has the important function of controlling the speed, height, and direction of helicoptersby adjusting the main rotor disc. However, the ingress of water into the inner control rod can cause ice damage in the rod during winter operation and also corrosion;these defects need to be rectified. The water flowed into the control rod through the upper side space, and the rod was cracked during icing expansion occurring at low temperature. The corrosion occurred due to the lack of coating process during the manufacturing process. To resolve these problems, the upper rod was sealed to prevent water inflow and a coating process was added to prevent corrosion. These solutions were verified by awaterproof test and a salt fog test. The phenomena, causes and measures were reviewed and the methods of improvement were established and proven. This proposed technology to prevent water infiltration and corrosion will contribute to the safety of rotary wing aircraft.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.25 no.2
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• pp.41-48
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• 2018

The quantitative interfacial adhesion energy measurement method of copper redistribution layer and WPR dielectric interface were investigated using $90^{\circ}$ peel test, 4-point bending test, double cantilever beam (DCB) measurement for FOWLP Applications. Measured interfacial adhesion energy values of all three methods were higher than $5J/m^2$, which is considered as a minimum criterion for reliable Cu/low-k integration with CMP processes without delamination. Measured energy values increase with increasing phase angle, that is, in order of DCB, 4-point bending test, and $90^{\circ}$ peel test due to increasing roughness-related shielding and plastic energy dissipation effects, which match well interfacial fracture mechanics theory. Considering adhesion specimen preparation process, phase angle, measurement accuracy and bonding energy levels, both DCB and 4-point bending test methods are recommended for quantitative adhesion energy measurement of RDL interface depending on the real application situations.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• v.29 no.1
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• pp.209-231
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• 1999

Even though titanium(Ti) and its alloys are the most used dental implant materials, there are some problems that Ti wears easily and interferes normal osteogenesis due to the metal ions. Ti coated with bioactive ceramics such as hydroxyapatite has also such problems as the exfoliation or resorption of the coated layer, Recent studies on implant materials have been proceeding to improve physical properties of the implant substrate and biocompatibility of the implant surfaces. The purpose of the present study was to examine the physical property and bone tissue compatibility of bioinert nitrides ion plated Ti, Button type specimens(14mm in diameter, 2.32rrun in height) for the abrasion test and cytotoxicity test and thread type implants(3.75mm in diameter, 6mm in length) for the animal experiments were made from Ti(grade 2) and 316LVM stainless steel. Ti specimens were ion plated with TiN, ZrN by the low temperature arc vapor deposition, and the depth profile of the TiN/Ti, ZrN/Ti ion plated surface was examined by Auger Electron Spectroscopy. Three kind of button type specimens .of TiN/Ti, ZrN/Ti and Ti were used for abrasion test, and HEPAlClC7 cells and CCD cells were cultivated for 4 days with the specimens for cytotoxicity test. Thread type implants of TiN/Ti, ZrN/Ti, Ti, 316LVM were implanted on the femur of 6 adult dogs weighing 10kg-13kg. Two dogs were sacrified for histological examination after 45 days and 90 days, and four dogs were sacrified for the removal torque test of the implant') after 90 days. The removal torque force was measured by Autograph (Shimadzu Co., AGS-1000D series, Japan). Abrasion resistance of TiN/Ti was the highest, and that of ZrN/Ti and Ti were followed. The bioinert nitride ion plated Ti had much better abrasion resistance, compared with Ti, In the cytotoxicity test, the number of both cells were increased in all specimens, and there were no significant difference in cytotoxic reaction among all groups (p>0.1), In histological examination, 316LVM showed the soft tissue engagement in interface between the implant and bone, but the other materials after 45 days noted immature new bone formation in the medullary portion along the implant surface, and those after 90 days showed implant support by new bone formation in both the cortical and the medullary portion, The removal torque force of Tilv/Ti showed significantly higher than that of Ti(p(O,05). The difference in removal torque force between TiN/Ti and ZrN/Ti was not significant(p>0.05), and that of 316LVM was lowest among all groups(p<0.05). These results suggest that bioinert nitrides ion plated Ti can resolve the existing problems of Ti and bioactive ceramics, and it may be clinically applicable to human.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.19 no.2
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• pp.61-67
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• 2009

Electrolessly deposited Co (Re,P) was investigated as a possible capping layer for Cu wires. 50 nm Co (Re,P) films were deposited on Cu/Ti-coated silicon wafers which acted as a catalytic seed and an adhesion layer, respectively. To obtain the optimized bath composition, electroless deposition was studied through an electrochemical approach via a linear sweep voltammetry analysis. The results of using this method showed that the best deposition conditions were a $CoSO_4$ concentration of 0.082 mol/l, a solution pH of 9, a $KReO_4$ concentration of 0.0003 mol/l and sodium hypophosphite concentration of 0.1 mol/L at $80^{\circ}C$. The thermal stability of the Co (Re,P) layer as a barrier preventing Cu was evaluated using Auger electron spectroscopy and a Scanning calorimeter. The measurement results showed that Re impurities stabilized the h.c.p. phase up to $550^{\circ}C$ and that the Co (Re,P) film efficiently blocked Cu diffusion under an annealing temperature of $400^{\circ}C$ for 1hr. The good barrier properties that were observed can be explained by the nano-sized grains along with the blocking effect of the impurities at the fast diffusion path of the grain boundaries. The transformation temperature from the amorphous to crystal structure is increased by doping the Re.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.11 no.3 s.32
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• pp.37-45
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• 2004

Electroless Ni(P) has been widely used for under bump metallization (UBM) of flip chip and surface finish layer in microelectronic packaging because of its excellent solderability, corrosion resistance, uniformity, selective deposition without photo-lithography, and also good diffusion barrier. However, the brittle fracture at solder joints and the spatting of intermetallic compound (IMC) associated with electroless Ni(P) are critical issues for its successful applications. In the present study, the mechanism of IMC spatting and microstructure change of the Ni(P) film were investigated with varying P content in the Ni(P) film (4.6,9, and $13 wt.\%$P). A reaction between Sn penetrated through the channels among $Ni_3Sn_4$ IMCs and the P-rich layer ($Ni_3P$) of the Ni(P) film formed a $Ni_3SnP$ layer. Thickening of the $Ni_3SnP$ layer led to $Ni_3Sn_4$ spatting. After $Ni_3Sn_4$ spatting, the Ni(P) film directly contacted the molten solder and the $Ni_3P$ phase further transformed into a $Ni_2P$ phase. During the crystallization process, some cracks formed in the Ni(P) film to release tensile stress accumulated from volume shrinkage of the film.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.4
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• pp.7-15
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• 2000

The purpose of this work is to evaluate the solderahility and characteristics of solder joints. Bridge defect of solder joint was examined in natural atmosphere and $N_2$ condition. Consequently, wettability was excellent for each of Sn-Pb plated Cu specimen, Sn plated Cu specimen, and Cu polished in $N_2$ condition. The wetting time in $N_2$ condition was shorter than that of natural atmosphere condition, showing the decreasing values of about 0.2~0.45 seconds. The max. wetting force under the $N_2$ condition was more increasing that of natural atmosphere condition, showing the increasing values of about 1.8~2.8 N. With the result of wetting balance test, the wetting time ($t_2$) and wetting farce according to increasing amount of $N_2$ from 10 1/min to 30 1/min, the wetting time ($t_2$) was reduced about 0.25 second and wetting force was increased about 2.3 N. In non-cleaning flux, when $N_2$ gas is applied, it is compensated to decrease of wettability. In the case of using the $N_2$ gas, the wettability was improved. The reason for improving wettability is due to preventing the formation of dross. The generation rate of bridge in $N_2$ condition decreased than that of natural atmosphere, and when the specimen had a fine pitch, the rate of bridge defects was considerably decreased in $N_2$ condition, showing the decreasing rate of 25~75%.

• Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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• 2001.11a
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• pp.127-127
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• 2001

종이의 공극은 도공용 원지 또는 인쇄 용지로 사용될 때 도공액과 잉크 조성분의 침 투 거동에 영향을 미침으로써 여러 가지 물리적 성질에 변화를 가져온다. 도공 공정의 경우, 도공액에 포함되어 있는 물과 수용성 고분자 물질의 원지 침투는 도공 작업성과 도공층의 구조에 변화를 가져 올 수 있다. 이러한 변화는 물을 포함한 수용성 물질의 원지 침투가 빨라질 때 도공액의 고형화점 상승에 의한 원지 피복력 저하에 따른 도공 지의 평활성 감소를 가져온다. 또한 높은 전단력이 가해지는 블레이드 도공에서는 도피 직전 도공액의 수분 이탈이 급격하게 일어날 경우 블레이드에서 도공액의 유동성 저하 가 발생됨으로써 여러가지 문제점을 나타낸다고 보고 된 바 있다. 인쇄 공정의 경우에 는 도공층이 잉크의 직접적인 기질(substrate)로 작용되어 잉크 성분의 잔류 및 침투 거동에 영향을 미친다. 즉 지나치게’발달된공극 특성을 지닌 도공층에서는 잉크 안료가 적절한 결합력을 가지고 도공층에 정착되기 전에 잉크 속의 레진과 용제가 도공층의 공극으로 소실됨으로써 인쇄 완료 후 작은 외력에도 잉크 층이 파괴되는 효킹 ( (chalking) 현상이 일어난다. 그러나 과도한 바인더의 적용과 미세한 안료의 사용에 따 라 도공층의 공극이 폐쇄될 경우에는 인쇄 후 잉크의 건조가 늦어져 인쇄 작업성의 저 해 요인으로써 작용한다. 종이의 공극성과 인쇄적성은 주지하는 바와 같이 불가분의 관계에 있으며, 본 연구에 서는 피인쇄체로서 공극성을 달리한 세 종류의 도공지를 제조하고 실험실적으로 제조 된 잉크를 사용하여 각각의 특성에 따른 잉크의 잔류 특성에 대하여 고찰해 보고자 하 였다. 특히 인쇄 전 피인쇄체의 공극 특성에 따른 인쇄 전후의 공극율 변화와 주요 인 쇄 적성간의 관계에 대해 초점을 맞추었다.시아노에틸화한 PYA용액의 점탄성 평가를 위하여 storage modulus와 loss modulus 를 분석하였다. 일반적 유변특성 평가 결과 PYA용액은 shear-thinning, pseudoplastic 한 특성을 나타내어 표면사이즈 공정에서의 적용 가능성을 확인할 수 있었다. 사용하는 통계기법 중의 하나인 주성분회귀분석을 실시하였다. 주성분 분석은 여러 개의 반응변수에 대하여 얻어진 다변량 자료의 다차원적인 변 수들을 축소, 요약하는 차원의 단순화와 더불어 서로 상관되어있는 반응변수들 상호간 의 복잡한 구조를 분석하는 기법이다. 본 발표에서는 공정 자료를 활용하여 인공신경망 과 주성분분석을 통해 공정 트러블의 발생에 영향 하는 인자들을 보다 현실적으로 추 정하고, 그 대책을 모색함으로써 이를 최소화할 수 있는 방안을 소개하고자 한다.금 빛 용사 둥과 같은 표면처리를 할 경우임의 소재 표면에 도금 및 용 사에 용이한 재료를 오버레이용접시킨 후 표면처리를 함으로써 보다 고품질의 표면층을 얻기위한 시도가 이루어지고 있다. 따라서 국내, 외의 오버레이 용접기술의 적용현황 및 대표적인 적용사례, 오버레이 용접기술 및 용접재료의 개발현황 둥을 중심으로 살펴봄으로서 아직 국내에서는 널리 알려지지 않은 본 기 술의 활용을 넓이고자 한다. within minimum time from beginning of the shutdown.및 12.36%, $101{\sim}200$일의 경우 12.78% 및 12.44%, 201일 이상의 경우 13.17% 및 11.30%로 201일 이상의 유기의 경우에만 대조구와 삭제 구간에 유의적인(p<0.05) 차이를 나타내었다.는 담수(淡水)에서 10%o의 해수(海水)로 이주된지 14일(日) 이후에 신장(腎臟)에서 수축된 것으로

• Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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• 2001.11a
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• pp.59-59
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• 2001

전보에서 발표한 바와 같이, 대상 라이너지 제조공장의 습부 운전조건이 지극히 악화되어 있으며 초지 시스템이 지종교체 등의 충격에 전혀 완충작용을 못하는 이유로 는 용수를 포함한 지료의 전하특성을 조절해주지 못하기 때문인 것으로 판단되었다. 특 히 양이온성 고분자로서 유일하게 사용하고 있는 보류향상제가 적절히 작용하지 못하 기 때문에 보류도가 저하되고, 제품내에 보류되지 못한 다량의 미세분이 백수 중에 존 재함으로서 결과적으로 지료의 전기적 특성을 더욱 악화시키는 악순환이 되풀이 되는 것으로 판단되었다. 이와 같이 강하게 음으로 하전된 지료의 전기적 특성을 조절하기 위해서는 양이온성 고분자의 사용량을 증가시키거나 고분자의 전하밀도 또는 분자량을 변화시켜 보는 것이 일반적인 습부첨가제 사용방법이라고 할 수 있다. 따라서 대상 습부공정의 조업조건을 호전시키기 위해서는 적절한 보류향상시스 템의 적용이 가장 시급한 현안이라고 판단되어 선규 보류제의 현장적용시험을 수행한 결과, 백수의 COD와 미세분이 격감하고 탈수성이 향상되어 습부공정의 운전조건이 호 전됨을 관측할 수 있었다. 그러나 2달 이상에 걸친 보류제 현장적용시험 기간 중에 생 산된 라이너지의 제반 물성들은 별다른 변화를 관측할 수 없었다. 이는 적용된 보류제 의 상당 부분이 계내의 미세분과 작용하여 소모되기 때문으로 판단되었다. 본 연구에서는 보류제의 투입 이전에 보류제와는 상대적으로 저분자량과 고 전 하밀도를 가진 고분자 전해질 4종을 사용하여 라이너지 지료의 전하를 중화시키고자 하였으며, 이러한 공정으로 생산된 라이너지의 물성변화를 관측하였다. 물성으로는 파 열강도, 압축강도, 습윤인장강도 및 염료 고착능력 등을 살펴보았다.시아노에틸화한 PYA가 안정된 분자구조를 유지하고 있음을 확인할 수 있었다. 시아노에틸화한 PYA용액의 점탄성 평가를 위하여 storage modulus와 loss modulus 를 분석하였다. 일반적 유변특성 평가 결과 PYA용액은 shear-thinning, pseudoplastic 한 특성을 나타내어 표면사이즈 공정에서의 적용 가능성을 확인할 수 있었다. 사용하는 통계기법 중의 하나인 주성분회귀분석을 실시하였다. 주성분 분석은 여러 개의 반응변수에 대하여 얻어진 다변량 자료의 다차원적인 변 수들을 축소, 요약하는 차원의 단순화와 더불어 서로 상관되어있는 반응변수들 상호간 의 복잡한 구조를 분석하는 기법이다. 본 발표에서는 공정 자료를 활용하여 인공신경망 과 주성분분석을 통해 공정 트러블의 발생에 영향 하는 인자들을 보다 현실적으로 추 정하고, 그 대책을 모색함으로써 이를 최소화할 수 있는 방안을 소개하고자 한다.금 빛 용사 둥과 같은 표면처리를 할 경우임의 소재 표면에 도금 및 용 사에 용이한 재료를 오버레이용접시킨 후 표면처리를 함으로써 보다 고품질의 표면층을 얻기위한 시도가 이루어지고 있다. 따라서 국내, 외의 오버레이 용접기술의 적용현황 및 대표적인 적용사례, 오버레이 용접기술 및 용접재료의 개발현황 둥을 중심으로 살펴봄으로서 아직 국내에서는 널리 알려지지 않은 본 기 술의 활용을 넓이고자 한다. within minimum time from beginning of the shutdown.및 12.36%, $101{\sim}200$일의 경우 12.78% 및 12.44%, 201일 이상의 경우 13.17% 및 11.30%로 201일 이상의 유기의 경우에만 대조구와 삭