반도체 소자의 제조에 있어 실리콘 표면에 성장한 자연산화막을 제거하기 위해 일반적으로 습식 세정 기술이 이용되어 왔다. 하지만 소자의 최소 선폭(design rule)이 nano급으로 고집적화 됨에 따라 contact hole 바닥의 자연산화막을 깨끗이 제거하는데 있어서 그 한계를 나타나고 있다. 이에 대한 효과적인 대안 공정으로 가스 건식 세정 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 한 번에 50매 이상의 웨이퍼를 처리함으로써 생산성 측면에서 월등한 배치식 설비에서 원거리 플라즈마(remote plasma) 장치에서 2.450Hz의 마이크로웨이브(${\mu}$-wave)에 의해 형성시킨 수소라디칼과 $NF_3$ 가스를 이용하여 실리콘에 결함을 주지 않고 자연산화막을 선택적으로 제거하는 공정에 대해 고찰하였다. AFM을 이용한 표면분석, TEM을 이용한 물성분석, 그리고 ToF-SIMS 및 XPS를 이용한 화학 분석을 습식 및 건식 세정을 비교 평가한 결과, 건식 세정 공정이 실리콘 표면에 결함을 주지 않고 자연산화막을 제거 할 수 있음을 확인하였다. 산화막$(SiO_2)$, 질화막$(Si_3N_4)$, 그리고 다결정 실리콘(Poly-Si) 등의 각 막질별 식각 특성을 고찰하였으며, $NH_3$의 캐리어 가스인 $N_2$의 주입량을 조절함으로써 수소라디칼 형성 효율의 개선이 가능하였으며, 이로부터 게이트와 소스/드레인 사이를 절연하기 위해 이용되는 질화막의 식각 선택비를 2배 정도 개선할 수 있었다. nano급 소자에 실장하여 평가한 결과에서 불산(HF)에 의한 습식 세정 방식에 비하여 약 $20{\sim}50%$ 정도의 contact 저항 감소 효과가 있음이 확인되었다.두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기법에 의해서 개선되었다. 답이 없는 문제, 문제 만들기, 일반화가 가능한 문제 등으로 보고, 수학적 창의성 중 특히 확산적 사고에 초점을 맞추어 개방형 문제가 확
The growth of the high-quality GaN epilayers is of significant technological importance because of their commercializedoptoelectronic applications as high-brightness light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in the visible and ultraviolet spectral range. The GaN-based heterostructural epilayers have the polar c-axis of the hexagonal structure perpendicular to the interfaces of the active layers. The Ga and N atoms in the c-GaN are alternatively stacked along the polar [0001] crystallographic direction, which leads to spontaneous polarization. In addition, in the InGaN/GaN MQWs, the stress applied along the same axis contributes topiezoelectric polarization, and thus the total polarization is determined as the sum of spontaneous and piezoelectric polarizations. The total polarization in the c-GaN heterolayers, which can generate internal fields and spatial separation of the electron and hole wave functions and consequently a decrease of efficiency and peak shift. One of the possible solutions to eliminate these undesirable effects is to grow GaN-based epilayers in nonpolar orientations. The polarization effects in the GaN are eliminated by growing the films along the nonpolar [$11\bar{2}0$] ($\alpha$-GaN) or [$1\bar{1}00$] (m-GaN) orientation. Although the use of the nonpolar epilayers in wurtzite structure clearly removes the polarization matters, however, it induces another problem related to the formation of a high density of planar defects. The large lattice mismatch between sapphiresubstrates and GaN layers leads to a high density of defects (dislocations and stacking faults). The dominant defects observed in the GaN epilayers with wurtzite structure are one-dimensional (1D) dislocations and two-dimensional (2D) stacking faults. In particular, the 1D threading dislocations in the c-GaN are generated from the film/substrate interface due to their large lattice and thermal coefficient mismatch. However, because the c-GaN epilayers were grown along the normal direction to the basal slip planes, the generation of basal stacking faults (BSFs) is localized on the c-plane and the generated BSFs did not propagate into the surface during the growth. Thus, the primary defects in the c-GaN epilayers are 1D threading dislocations. Occasionally, the particular planar defects such as prismatic stacking faults (PSFs) and inversion domain boundaries are observed. However, since the basal slip planes in the $\alpha$-GaN are parallel to the growth direction unlike c-GaN, the BSFs with lower formation energy can be easily formed along the growth direction, where the BSFs propagate straightly into the surface. Consequently, the lattice mismatch between film and substrate in $\alpha$-GaN epilayers is mainly relaxed through the formation of BSFs. These 2D planar defects are placed along only one direction in the cross-sectional view. Thus, the nonpolar $\alpha$-GaN films have different atomic arrangements along the two orthogonal directions ($[0001]_{GaN}$ and $[\bar{1}100]_{GaN}$ axes) on the $\alpha$-plane, which are expected to induce anisotropic biaxial strain. In this study, the anisotropic strain relaxation behaviors in the nonpolar $\alpha$-GaN epilayers grown on ($1\bar{1}02$) r-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVO) were investigated, and the formation mechanism of the abnormal zigzag shape PSFs was discussed using high-resolution transmission electron microscope (HRTEM).
CdTe as an absorber material is widely used in thin film solar cells with the heterostructure due to its almost ideal band gap energy of 1.45 eV, high photovoltaic conversion efficiency, low cost and stable performance. The deposition methods and preparation conditions for the fabrication of CdTe are very important for the achievement of high solar cell conversion efficiency. There are some rearranged reports about the deposition methods available for the preparation of CdTe thin films such as close spaced sublimation (CSS), physical vapor deposition (PVD), vacuum evaporation, vapor transport deposition (VTD), closed space vapor transport, electrodeposition, screen printing, spray pyrolysis, metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), and RF sputtering. The RF sputtering method for the preparation of CdTe thin films has important advantages in that the thin films can be prepared at low growth temperatures with large-area deposition suitable for mass-production. The authors reported that the optical and electrical properties of CdTe thin film were closely connected by the thickness-uniformity of the film in the previous study [1], which means that the better optical absorbance and the higher carrier concentration could be obtained in the better condition of thickness-uniformity for CdTe thin film. The thickness-uniformity could be controlled and improved by the some process parameters such as vacuum level and RF power in the sputtering process of CdTe thin films. However, there is a limitation to improve the thickness-uniformity only in the preparation process [1]. So it is necessary to introduce the external or additional method for improving the thickness-uniformity of CdTe thin film because the cell size of thin film solar cell will be enlarged. Therefore, the authors firstly applied the chemical mechanical polishing (CMP) process to improving the thickness-uniformity of CdTe thin films with a G&P POLI-450 CMP polisher [2]. CMP process is the most important process in semiconductor manufacturing processes in order to planarize the surface of the wafer even over 300 mm and to form the copper interconnects with damascene process. Some important CMP characteristics for CdTe were obtained including removal rate (RR), WIWNU%, RMS roughness, and peak-to-valley roughness [2]. With these important results, the CMP process for CdTe thin films was performed to improve the thickness-uniformity of the sputtering-deposited CdTe thin film which had the worst two thickness-uniformities of them. Some optical properties including optical transmittance and absorbance of the CdTe thin films were measured by using a UV-Visible spectrophotometer (Varian Techtron, Cary500scan) in the range of 400 - 800 nm. After CMP process, the thickness-uniformities became better than that of the best condition in the previous sputtering process of CdTe thin films. Consequently, the optical properties were directly affected by the thickness-uniformity of CdTe thin film. The absorbance of CdTe thin films was improved although the thickness of CdTe thin film was not changed.
Landsat TM 영상을 이용, 명암차가 높은 산악 지역에 적용해왔던 알고리즘을 개선하여 비교적 명암차가 낮고 충적층이 넓게 분포하는 지역의 선구조를 추출하는 알고리즘을 개발하였다. 수치지형모델에 대하여 Local Enhancement를 이용, 평탄한 지역으로부터 충적층을 추출하였다. Zevenbergen & Thorno's Method를 3×3moving windowing을 통해서 최대 경사방향과 경사를 이용하여 충적층을 지나는 선구조 요소를 추출하고 다시 Hough 변환을 이용해서 1차 선구조를 추출하였다. 이로부터 충적층의 직각방향의 지형단면의 경사를 유추해서 spline 보간법을 이용해 단면의 최저점을 구하고 이 구해진 점들을 다시 Hough 변환을 이용해서 최종 선구조를 추출하였다. 본 연구에서 사용한 알고리즘은 기존 알고리즘에서 사용된 소창문보다 훨씬 큰 충적층이 분포하는 지역의 지형 경사가 수렴하는 부분에 선구조가 뚜렷이 나타남을 볼 수 있다. 최대경사방향과 경사를 구해서 얻어진 1차 선구조와 최종선구조에서 선구조 방향이 다소 차이를 보인다. 1차 선구조의 수직방향 지형단면의 자료를 이용함에 있어, 지형 단면의 시작점과 끝지점을 임의적으로 결정하는 것이 아니라, 충적층을 가로질러 최고점까지 또는 다음 충적층이 나을 때까지의 자료를 이용해서 보간법을 사용하였고, 충적층의 넓이에 따라 보간할 자료량의 차이에 의한 오차가 발생할 수 있다. 넓은 충적층에서 선구조가 잘 추출되는 반면에 좁은 충적층이 분포하거나 계곡에 해당하는 지역에서는 경사수렴부와 일치하지 않는 선구조가 추출되었다. 이는 향후 계속적으로 연구해서 보완되어야 할 것으로 사료된다. 차원에서 기준치 설정 및 주기적인 측정을 통해 지속적으로 관리를 해야 한다. 그리고 정기적인 특수건강진단의 실시와 같은 근본적인 해결방안을 찾아야겠다.l rectangular type to a wed농e type. The Proposed wedge shape makes the absorption length longer for obliquely incident photons, thus increasing the detection efficiency and suppressing leakage coefficient. For the BGO detectors of 4-8mm width, the computer simulation result of the system using wedge detectors reveals resolution improvement to the system using conventional detectors. For the system composed of 200 BGO detectors of 8mm width with 2 point sampling motion, the simulation resolution system using conventional detectors. For the very high resolution system of 3-7mm FWHM, the characteristics of the detector shape and size is studied by computer simulation.n, but also such efficient a parameter as to perform almost like entropy.소한 1대
본 연구는 치과위생사의 의료사고 및 분쟁에 대한 경험을 파악하여 치과위생사의 권익보호차원 및 조정을 통한 의료분쟁 해결방안의 기초자료로 삼고자 실시되었으며, 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 응답자의 32.5%가 의료분쟁 경험이 있는 것으로 나타났고, 이 중 55%는 치과위생사와 관련된 의료분쟁 경험이 있는 것으로 나타났다. 또한 일반적인 특성과 의료분쟁 경험 차이를 검정해 본 결과 나이, 임상경력, 근무지에 따라 유의한 것으로 나타났다. 2. 치과위생사와 관련된 의료사고 및 분쟁 유형은 환자 상담 및 예약이 27.3%로 가장 빈도가 높았다. 3. 의료분쟁시 치과위생사의 책임여부를 조사한 결과 전체 응답자 중 66.3%가 치과위생사에게 책임이 있다고 응답하였고, 책임이 있다고 응답한 대상자에게 책임 비율을 조사한 결과 응답자의 57.1%가 11-30%라고 하였다. 4. 치료전 관련 질환과 치료에 대해 모든 환자에게 충분히 설명한다는 경우는 55.3%였고, 모든 치과진료에 있어서 사전 동의를 구한 후 치료를 시행한 경우는 84.1%였다. 또한 의료분쟁 발생시 진료에 대한 설명이나 동의여부가 매우 중요한 역할을 한다는 경우는 78.0%로 나타났다. 5. 모든 환자의 진료기록을 충실히 작성하고 보관하는 경우가 82.1%로 나타났고, 의료분쟁 발생시 의무기록 관련 자료가 매우 중요한 역할을 한다고 생각하는 경우가 86.6%로 나타났다. 6. 향후 의료사고나 분쟁에 대한 의구심 정도를 조사한 결과 가끔 그렇다는 72.4%로 나타났고, 치과위생사의 업무 중 의료분쟁 및 의료사고가 우려되는 항목으로 교정용 브라켓 장착이라는 경우가 45.1%로 가장 높게 나타났다. 7. 의료분쟁에 대한 예방 및 대책과 관련된 교육이 필요하고 시급하다고 응답한 경우가 64.2%로 나타났고, 의료분쟁에 대한 예방 및 대책과 관련된 교육 시행시기에 대해 학교 교육과정과 보수교육 및 종합학술대회 모두라고 응답한 경우가 40.7% 였다. 본 연구의 결과를 통해 치과에서의 의료사고와 분쟁을 예방하기 위한 진료시 주의의무, 설명 및 동의의무 등 의무를 다할 수 있도록 하며 가장 기본적인 의무기록부 작성에 관심을 갖도록 한다. 또한 의료법에 따른 직무범위를 정확하게 인식하고 의료분쟁 예방과 대책에 관한 교육의 필요성을 인식시켜 앞으로 정규교과과정은 물론 대한치과위생사협회를 중심으로 학회 및 세미나를 통한 보수교육시 일정시간을 의료분쟁에 관련한 사항을 접할 수 있는 기회가 만들어져야 할 것으로 사료된다.
생활수준 및 사회환경의 개선에 힘입어 부식성 약물인 식초, 염산, 쥐약및 농약으로 인한 식도 부식증은 현저히 감소되었다. 식도부식증으로 초래된 합병증인 식도 협착은 즉각적인 응급처치 및 입원치료로 그 발생빈도가 현저히 감소되었으나, 아직도 의사의 부적절한 치료 및 부주의, 환자 및 보호자의 비협조로 가끔 식도 협착을 만나게 된다. 고도의 식도 협착증 환자 7례중 18∼51 French Sippy esophaglal dilating bougie로 식도확장이 가능했던 6 례와 전식도부 협착으로 흉부외과로 전과된 1 례을 경험하였기에 보고하는 바이다. 증례 1 : 23세된 가정주부로 자살목적으로 염산을 섭취후 2개월후, 연하곤란으로 위루술 시행후 즉시 내원하여 제 1 생리적 협착부 확장이 가능했던 예. 증례 2 : 51세 남자로 가성소다를 오연하여, 2개월후 제 2 및 제 3 생리적 협착부 협착증을 일으켰는데, 성공적으로 확장이 가능했던 예. 증례 3 : 43세 남자로 빙초산을 술로 오연하여 부적절한 치료로 제 3 생리적 협착부에 협착을 일으켜 내원하여, 부지술로 식도 확장을 시도하고 있는 1예. 증례 4 : 58세된 여자로 염산쥐약을 섭취후 제 1 생리적 협착부 및 유문부 협착으로 위십이지장 문합술을 시행하여 2개월후에 내원하여 식도 확장이 성공한 예. 증례 5 : 47세 여자로 내원 4개월전 자살목적으로 염산을 섭취후 Tube 삽관을 1달 가량 하였으나, 제 1 및 3 생리적 협착부에 식도 협착이 와서 치료중인 예. 증례 6 : 21세 남자 운동선수로 14 개월간 3일에 2숟갈씩 뼈를 부드럽게 하기위해 빙초산을 섭취하여 연하곤란으로 일반 외과적 수술을 시행후 내원하여, 식도 엑스선촬영상 전식도부 폐색을 보여 흉부외과로 전과 시킨 예. 증례 7 : 3살된 여하로 가성소다를 오연해 전식도 부협착으로 전신마취하에 16개월간식도 부지법으로 확장중 식도 하부 천공이 생겨 치유시킨 예.l(20mg/kg)을 정맥마취 시킨후 수술현미경하에서 고막천공을 시켜 중이강점막에서 도말표본과 세균배양을 시행하였으며 실험군은 마취후 앙와위로 하고 연구개 정중선 부위에 약1 cm 정도로 종절개하여 이관의 인두측 개구부를 노출시킨 다음 2 $\times$ 3 $\times$ 2 mm의 silastic piece 2개와 이어서 2 $\times$ 3 $\times$ 2 mm의 Gel_foam (absorbable gelatine sponge) piece 2개를 이관내로 보충삽입시키고 전기소작하여 완전폐쇄시킨 후에 연구개를 봉합하여 삼출성중이염 유발을 시도하였다. 또한 술후 창상감염을 방지하기 위하여 앰피실린(100mg/kg)을 2일간 근육 주사 하였으며 술후 12시간, 18시간, 1 일, 3 일, 5 일, 7 일, 10일, 30 일 및 60 일에 각각 3마리 (6이)씩 수술현미경 하에서 고막을 절개하여 삼출액의 형성 시기를 관찰하고, 삼출액이 형성된 경우에는 도말표본을 통한 세포학적 분석과 세균배양을 하였으며 시기별로 중이강 점막의 수술현미경 및 광학현미경적 변화를 관찰하여 다음과 같은 결과를 얻었기에 문헌고찰과 함께 보고하는 바이다. 1) 이관폐쇄술후 18시간에 최초로 삼출액이 확인되었으며 그 이후는 전실험군에서 삼출성중이염이 유발되다. 2) 도말표본의 세포학적 검사에서 호산구는 전혀 발견되지 않았으며 초기에는 호중구가 주종을 이루었으나 제14 일이후에는 단핵구가 증가하는 경향을 보였다. 3) 삼출액의 세균배양검사에서는 전예에서 세균이 배양되지 않았다. 4) 수술현미경적 소견은 이관폐쇄 후 제 14 일에 점막비후가 가장 심하였으며 삼출액의 양도 가장 많았다. 5) 중이강점막의 병리학적 소견에서는 상피세포, 배세포 및 혈관의 증식과 염증세포의 침윤이 관찰되었으며 특히 염증세포는 도말표본에서와 같이 제 14 일 이
근래에 기도 협착의 발생빈도는 수술요법의 괄목할만한 진전과 Low pressure cuff가 개발된 후 현저히 감소하고 있으나 호흡부전으로 Ventilator를 사용하는 경우와 심한 상기도 감염이나 손상이 있을 때 또는 장기간 삽관을 함으로서 발생하는 기관 협착증은 아직도 이비인후과 영역에 있어서 난제라고 하겠다. 이러한 기도 협착증의 치료로는 기계적으로 확장을 하거나 협착 부위를 수술적으로 제거하고 조직을 이식하는 여러 방법들이 있어서 그적응증에 따라 각각 사용되어 오고 있으나 아직까지도 만족할만한 결과를 얻지 못하는 때가 많은 실정이다. 1959년 Lester가 우연히 늑골의 잔존 연골피막으로부터 신생 연골이 재생된 것을 발견한 이후 Skoog(1972), Sohn(1974), Ohlsen(1975)등은 동물 실험을 통하여 연골 피막으로 부터의 연골 재생에 관하여 다각적인 보고를 하였다. 임상적으로 이개, 비중격, 늑골 및 피부편등 여러 가지 다양한 조직들이 기관의 결손 또는 협착 부위의 재생에 사용되어 왔으나 기관의 정상적인 지지 조직의 연골이며 또한 연골피막이 연골의 재생을 가능케 한다는 점에 입각하여 기관의 재건에 연골피막의 사용가능성을 알아 보고저 다음의 실험을 하였다, 가토의 이개연골에서 연골피막을 취한후 인위적으로 만든 가토의 기관 결손부위에 이식한 다음 2주부터 8주경과 할때 까지의 재생 변화를 관찰하여 다음과 같은 결론을 얻었다. (결론) 1) 기관결손 부위의 재생은 대조군에서는 결손부위에 섬유질 및 혈관으로 구성되었으나 이식군에서는 비후된 연골피막과 섬유질로 구성되었다. 2) 점막의 재생은 대조군과 이식한군 모두에서 2주경과 표본부터 정상점막으로 완전히 재생 되었다. 3) 이식 부위의 변화를 보면 2주-모세혈관의 확장과 염증반응을 동반하며 섬유조직의 증식시작이 관찰되었다. 4주-점차 모세혈관의 확장이 감소하며 염증반응의 감소가 있으며 점막하층의 섬유조직의 증식이 있고 1개의 표본에서 연골피막내에 미숙연골 세포군이 존재. 6주-경도의 모세혈관의 확장과 만성염증반응이 존재하며 점막하층의 섬유조직화가 존재하였으며 2개의 표본에서 연골피막내에 연골 세포군 및 골화현상이 존재하였다. 8주-경미한 모세혈관의 확장이 존재하였으나 염증반응은 소실되었고 점막하층에 심한 섬유화를 동반하였다. 표본 2개에서 연골 피막내에 연골 세포군의 존재가 관찰되었다. 4 ) 이식방법을 달리한 경우에도 연골 및 점막의 재생에는 유의한 차이를 발견할 수 없었다. 5) 연골피막 이식부위에서 미숙연골 세포군과 endo-chondrial ossification을 관찰할 수 있었으나 대조군에서는 결손부위의 섬유화만이 관찰되었다. 이상의 결과로 볼때 연골피막은 기관결손부위의 재진에 적합한 조직이라할 수 있었다. 그러나 40 례의 표본중 5례의 표본에서만 연골의 세포군을 관찰할 수 있어 이로 미루어 볼때 연골피막으로 부터 신생 연골이 재생된다 확인하기는 불충분하다고 생각되며 앞으로의 추시가 요망된다 하겠다.
인두의 임파조직중 해부학적, 기능적 구조상 가장 중요한 것이 구개편도로서 이는 소화기와 기도의 관문에 위치하고 있으며 외부로부터 끊임없이 세균을 비롯한 각종 항원의 자극을 받고 있는 장기로 알려져 있다. 이 편도의 기능에 대하여서는 종내 조혈기능설, 내분필기능설, 소화기능설, Vitamin 생성설, 세균침입구설등이 언급되어 왔으나 1860년 Virchow가 주로 방어기관으로서의 기능을 담당하고 있다는 소위 방어기능설을 제창한 이래, 다른 임파장기와 동일하게 면역방어에 관연할 것이라는 설이 가장 유력하게 대두되고 있다. 최근 면역학의 진보로 생체 내에는 흉농유내 임파구인 T 임파구에 의한 세포성 면역과 골구유내 임파구인B 임파구에 의한 액체성 면역의 양대 면역기구가 존재하여 각각의 고유한 면역반응이 수행됨을 알게 되었다. 저자는 상기한 편도의 면역방어기능설에 입각하여 편도의 면역학적 역할의 일면을 추궁해 보기위하여 1981년 5월에서 동년 10월까지 인제의과대학 부속 부산백병원 이비인후과에서 편도적출술을 시행받은 만성편도염 환자 30예와 건강대조군 29예를 선정하고, 만성편도염 환자의 술전과 술후에 각각 혈청 면역글로부린량과 말초혈야의 총 임파구 수 및 T 임파구, B 임파구, Null 임파구의 분포를 Single radial immuno-diffsion및 Higgy의 조직화학적 검사방법에 의해서 검색하고 이들을 건강대조군과 비교, 검토함으로서 다음과 같은 결과를 얻었기에 보고하는 바이다. 1) 혈청 IgM 양은 건강대조군보다 만성편도염 환자에서 의의있게 높았으나 만성편도염 환자의 술전과 술후 사이에는 의의있는 차이가 없었다. 2) 말초혈야 T 임파구의 분포는 대조군보다 만성편도염 환자의 술전과 술후 사이에는 의의있는 차가 없었다. 3) 말초혈청 B 임파구의 분포는 대조군보다 만성편도염 환자에서 의의있게 증가였으나 만성편도염 환자의 술전과 술후 사이에는 의의있는 차가 없었다. 증식이 있고 1개의 표본에서 연골피막내에 미숙연골 세포군이 존재. 6주-경도의 모세혈관의 확장과 만성염증반응이 존재하며 점막하층의 섬유조직화가 존재하였으며 2개의 표본에서 연골피막내에 연골 세포군 및 골화현상이 존재하였다. 8주-경미한 모세혈관의 확장이 존재하였으나 염증반응은 소실되었고 점막하층에 심한 섬유화를 동반하였다. 표본 2개에서 연골 피막내에 연골 세포군의 존재가 관찰되었다. 4 ) 이식방법을 달리한 경우에도 연골 및 점막의 재생에는 유의한 차이를 발견할 수 없었다. 5) 연골피막 이식부위에서 미숙연골 세포군과 endo-chondrial ossification을 관찰할 수 있었으나 대조군에서는 결손부위의 섬유화만이 관찰되었다. 이상의 결과로 볼때 연골피막은 기관결손부위의 재진에 적합한 조직이라할 수 있었다. 그러나 40 례의 표본중 5례의 표본에서만 연골의 세포군을 관찰할 수 있어 이로 미루어 볼때 연골피막으로 부터 신생 연골이 재생된다 확인하기는 불충분하다고 생각되며 앞으로의 추시가 요망된다 하겠다.출액이 형성된 경우에는 도말표본을 통한 세포학적 분석과 세균배양을 하였으며 시기별로 중이강 점막의 수술현미경 및 광학현미경적 변화를 관찰하여 다음과 같은 결과를 얻었기에 문헌고찰과 함께 보고하는 바이다. 1) 이관폐쇄술후 18시간에 최초로 삼출액이 확인되었으며 그 이후는 전실험군에서 삼출성중이염이 유발되다. 2) 도말표본의 세포학적 검사에서 호산구는 전혀 발견되지 않았으며 초기에는 호중구가 주종을 이루었으나 제14 일이후에는 단핵구가 증가하는 경향을 보였다. 3) 삼출액의 세균배양검사에서는 전예에서 세균이 배양되지 않았다. 4) 수술현미경적 소견은 이관폐쇄 후 제 14 일에 점막비후가 가장 심하였으며 삼출액의 양도 가장 많았다. 5) 중이강점막의 병리학적 소견에서는 상피세포, 배세포 및 혈관의 증식과 염증세포의 침윤이 관찰되었으며 특히 염증세포는 도말표본에서와 같이 제 14 일 이
삼출성 중이염은 이 질환중 가장 많은 도를 차지하는 질환의 하나로서 1869 년 Politzer가 최초로 기술하고 치료법을 소개한 이후로 현재까지 그 병인 및 다양한 치료법이 연구 개발되어 왔으며 이중 중이내 통기관 유치술은 1954년 Armstrong에 의해 성공적으로 시행된 이후 여러 학자들에 의해 변형 발전되어 최근에 이르러서는 삼출성 중이염의 치료에 있어서 가장 보편적인 방법으로 사용되고 있으나 또한 그에 따른 합병증 때문에 논란의 대상이 되고 있다. 연자 등은 삼출성중이염의 임상적 측면을 재검토하고 중이내 통기관유치술의 치료효과 및 합병증을 조사하여 그 유용성을 확인 하고자 1981. 1. 1부터 1982. 2. 28 까지 1년 2 개월 동안 본원 이비인후과에서 중이내 통기관유치술을 시행한 환자 97명 (157이)을 대상으로 하여 삼출성중이염의 증상, 연령분포, 동반질환, 고막의 이학적 소견, 청력손실의 정도와 술후의 청력증진, 합병증 등을 분석하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 사용한 통기관으로는 Sheehy의 collar button tube와, Per Lee tube였다. 1) 증상의 빈도는 29례중 청력소실 29례(100%) 이명 19례 (65.6%) 자성강청(Autophony), 12례 (44.4%) 이충만감 10례 (34.5%)의 순이었다. 2) 연령분포는 6∼10세가 42례 (43.3%)로 제일 많은 비율을 차지하였고 20세 이상의 성인도 23례(23.5%)나 있었다. 3) 소아에서는 주로 양측성으로, 성인에서는 일측성으로 발생하는 경향을 보여주었다. 4) 동반질환으로는 편도 및 아데노이드비후가 49례 (50.5%). 부비동염 15례 (15.5%), 비알레르기 4례 (4.1%)등의 순이었다. 5) 술전 고막소견은 함몰 62귀 (42.7%), 팽윤 37귀 (23.6%), 변색(21.7%)등의 순이었으며 특별한 병적 소견이 없는 경우고 29귀 (18.5%)나되었다. 6) 삼출액의 특성은 15세이하의 소아에서는 점액성이 84.2%로 많았고 성인에서는 장액성이 62.5%로 많았다. 7) 술전 기골도차는 21∼30dB가 48귀 (30.6%)로 제일 많은 비율을 차지하고 있었으며 평균 25.3dB이었다. 8) 술후 청력증지은 10dB 이상 증가한 경우가 24귀 (72.7%)로서 평균 17.2dB였다. 9) 합병증으로는 감염이 37귀 (23.6%) 무기화 3귀(1.9%)과립조직의 증식 2귀 (1.3%) 영구천공 2귀 (1.3%)의 순이었다. 10) 술후 감염증이 있었던 37 귀중 수술직후부터 계속되었던 경우가 19 귀(51.4%), 도중에 발생한 경우가 18 귀(48.6%)였으며 이들중 26귀(70.3%)에서는 대증요법으로서 치유되었으며 11귀 (29.7%)에서는 통기관을 제거한 후에야 감염증이 치유되었다.
1965년 Rosenberg등은 platinum electrode가 platinum 복합물을 형성함으로써 E-coli의 세포분열과 성장을 억제할 뿐아니라 항암작용도 갖고 있다는 보고를 하였으며 그 후 Welsch (1971), Speer (1972), Rossof(1972), Hill (1974), 그리고 Wittes등(1975)에 의하여 동물 및 임상실험을 통하여 Cis-platinum이 악성종양 특히 두경부악성종양에 탁월한 효과가 있다는 것이 밝혀짐에 따라서 Cis-platinum은 단독투여제 또는 Bleomyun, MTX등 다른 항암제와 함께 병용투여제로써 각광을 받게 되었다. 그러나 Cis-platinum은 항암효과이외에 때때로 내이에 영향을 미쳐 회화영역이상의 고주파에서 청력장애를 초래할 뿐만아니라 renal tubule에도 불가역적인 병변을 초래 할 수 있다는 보고들이 있어서 우수한 항암효과에 도 불구하고 임상에서 사용제한을 받는 경우가 많다. 특히 청력장애에 대하여는 Kohonen등(1965), Stadnacki등(1974)이 guinea pig에서 Cis-platinum을 투여한 후에 와우각의 기저부에 중독작용을 보고한 이래 많은 연구가 있었으나 사람에서의 이 중독작용은 Piel(1974)과 Hong등(1979)의 보고등을 찾아볼 수 있을 정도이다. 이에 저자들은 1979년 7월부터 1982년 3월까지 2년 6개월간 두경부악성종양으로 이비인후과에 입원하였던 환자중 30례에서 Cis-platinum의 투여전과 투여후의 청력상을 비교해 이중독증의 여부와 그 정도를 규명하고 그 결과를 임상적적응에 이용하고저 본 검사를 시행하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1) Cis-platinum 투여전과 투여후 pure tone average, 4000Hz와 8000Hz의 hearing threshold, speech reception threshold, PB score, SISI를 측정한 결과 변화는 볼 수 없었다. 2)Cis-platinum총 투여량에 따른 청력상에도 변화가 없었다. 3) 투여전에 전음성난청과 감음성난청이 있었던 환자에게 Cis-platinum을 투여한 후의 청력상을 투여전에 청력이 정상이었던 환자와 비교한 결과 차이가 없었다. 4) Cis-platinum투여로 인한 혈색소, 백혈구수, 혈소판수는 변화가 없었다. 5) Creatinine Clearance, Creatinine, Uric acid의 변화를 본 결과 Cis-platinum 투여후에 변화는 없었으나 100mg을 1 회투여하였던 한 환자에게서 creatine clearance가 25ml/min로써 신중독증을 나타냈다. 6) Cis-platinum 투여시 hydration에 따른 전해질 특히 혈청내의 $K^{+}$치를 측정한 결과 투여전과 차이가 없었다. 7) 이상의 결과로 볼때 Cis-platinum 사용으로 인한 이중독증은 신장기능이 정상일때는 충분한 hydration으로써 예방이 가능하며 동시에 금기로 알려져왔던 감음성난청이 있는 두경부악성종양환자에서도 세심한 주의하에 적절히 사용한다면 좋은 결과를 얻을 수 있을 것으로 사려된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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