• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.4.2-4.2
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• 2011

본 발표에서는 고분자나 탄소나노튜브, 그래핀 등 탄소소재의 분자배열을 다양한 형태로 조절할 수있는 분자조립공정을 통해 비교적 저비용으로 대면적에서 나노구조체를 제작할 수 있는 다양한 기술들을 소개할 것이다. 특히 블록공중합체의 분자조립현상을 기존에 반도체나 디스플레이에 쓰이고 있는 ArF 리소그라피나 I-line 리소그라피와 융합하여 대면적에서 분자조립 나노패턴을 제작할 수 있는 기술들을 소개할 것이다. 또한 탄소나노튜브와 그래핀등 탄소소재를 용액공정이나 촉매나노패턴공정을 통해 3차원적인 다양한 형태로 조직화하는 신기술들도 소개할 것이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.54.2-54.2
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• 2010

최근까지는 주로 비정질 실리콘이 디스플레이의 채널층으로 상용화 되어왔다. 비정질 실리콘 기반의 박막 트랜지스터는 제작의 경제성 및 균일성을 가지고 있어서 널리 상용화되고 있다. 하지만 비정질 실리콘의 구조적인 문제인 낮은 전자 이동도(< $1\;cm^2/Vs$)로 인하여 디스플레이의 대면적화에 부적합하며, 광학적으로 불투명한 특성을 갖기 때문에 차세대 디스플레이의 응용에 불리한 점이 있다. 이런 문제점의 대안으로 현재 국내외 여러 연구 그룹에서 산화물 기반의 반도체를 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용하려는 연구가 진행중이다. 산화물 기반의 반도체는 밴드갭이 넓어서 광학적으로 투명하고, 상온에서 증착이 가능하며, 비정질 실리콘에 비해 월등히 우수한 이동도를 가짐으로 디스플레이의 대면적화에 유리하다. 특히 Zinc Oxide의 경우, band gap이 3.4eV로써, transparent conductors, varistors, surface acoustic waves, gas sensors, piezoelectric transducers 그리고 UV detectors 등의 많은 응용에 쓰이고 있다. 또한, a-Si TFTs에 비해 ZnO-based TFTs의 경우 우수한 소자 성능과 신뢰성을 나타내며, 대면적 제조시 우수한 균일성 및 낮은 생산비용이 장점이다. 그러나 ZnO-baesd TFTs의 경우 일정한 bias 아래에서 threshold voltage가 이동하는 문제점이 displays의 소자로 적용하는데 매우 중요하고 문제점으로 여겨진다. 특히 gate insulator와 channel layer사이의 interface에서의 defect에 의한 charge trapping이 이러한 문제점들을 야기한다고 보고되어진다. 본 연구에서는 Zinc Oxide 기반의 박막 트랜지스터를 DC magnetron sputtering을 이용하여 상온에서 제작을 하였다. 또한, $Si_3N_4$ 기판 위에 electron cyclotron resonance (ECR) $O_2$ plasma 처리와 plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)를 통하여 $SiO_2$ 를 10nm 증착을 하여 interface의 개선을 시도하였다. 그리고 TFTs 소자의 출력 특성 및 전이 특성을 평가를 하였고, 소자의 field effect mobility의 값이 향상을 하였다. 또한 Temperature, Bias Temperature stability의 조건에서 안정성을 평가를 하였다. 이러한 interface treatment는 안정성의 향상을 시킴으로써 대면적 디스플레의 적용에 비정질 실리콘을 대체할 유력한 물질이라고 생각된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1223_1224
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• 2009

광센서가 내장된 새로운 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 터치 디스플레이를 제시하였다. 16 인치 AMLCD의 모델을 구현하여 터치 패널을 성공적으로 작동시켰다. 본 시스템은 입력된 이미지로부터 실시간으로 정보를 추출해야 하는 복잡한 기존의 방식을 사용하지 않으면서 터치 포인트의 위치를 제공한다. 이 시스템의 간단한 구조를 통하여 대면적 터치 패널 디스플레이를 구현할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.02a
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• pp.125-125
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• 2004

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.63-71
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• 2007

현재 반도체 산업에서 플라즈마는 다양한 공정에 적용되고 있으며, 고집적 대면적 공정을 위한 다양한 플라즈마원들이 개발 중에 있다. 이 중 ICP는 현재 고밀도 플라즈마를 요구하는 공정에서 널리 쓰이고 있는 플라즈마원이다. 그러나 ICP는 안테나와 플라즈마 사이의 결합이 낮아 안테나의 전압과 전류가 높으며, 대면적에 적용하기 어려운 디자인 등의 여러 가지 문제점 들을 가지고 있는데, 이러한 ICP의 문제를 해결하기 위한 방법으로 강자성체를 ICP에 응용하는 플라즈마원이 연구되어 왔고 일부 장치에 쓰이고 있다. 이것은 ICP의 많은 문제들을 해결하면서도 여러 가지 장점을 가지는 것으로 평가되고 있다. 강자성체를 이용한 ICP는 플라즈마와 안테나의 결합계수가 1에 가깝기 때문에 강자성체 ICP에서는 간편한 변압기 임피던스 매칭이 적용 가능하다. 이 논문에서는 릴레이를 이용하여 변압기의 권선수를 제어하는 방식을 통해 새로운 임피던스 매칭이 제안되었다. 간단한 매칭 시스템을 구현하여 권선비가 바뀌었을 때 특성을 분석하였다. 2-채널 릴레이를 사용할 때 임피던스 매칭이 가능하였고, 디지털 회로와 마이크로콘트롤러를 사용하여 디지털 임피던스 매칭 시스템을 구현하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.3 no.4
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• pp.1-4
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• 2004

21세기에 접어들면서 Digital시험방송의 시작과 다양한 Contents의 유입으로 평판디스플레이 (Flat Panel Display)에 관한 관심과 수요가 증가하고 있다. 이 중 PDP는 90년대 후반부터 양산 및 개발을 시작하여 현재는 40 inch에서 60 inch 화면 크기의 제품을 시장에서 구입할 수 있으며, 03년도에는 80 inch 크기의 Proto-type Model을 공개한 바 있다. PDP는 40 inch 이상의 대면적 구현이 용이하다는 점, CRT와 동등 수준의 화상 구현이 가능하다는 점, 제조공법이 간단하고 제조원가가 저렴하다는 점 등을 특징으로 시장을 확대하고 있으나, 좀 더 대중적인 디스플레이가 되기 위해서는 고휘도 및 고효율화, 화질개선 그리고 저가격화 등과 같은 과제를 해결하여야 한다. 본 논문에서는 PDP의 개발역사 및 시장현황, 구조 및 구동 방법 그리고 해결과제 및 전망에 대해서 포괄적으로 살펴보기로 한다.

• The Optical Journal
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• s.135
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• pp.26-30
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• 2011

디스플레이 산업은 우리나라의 대표적인 주력산업으로서 일본, 대만 등의 경쟁국들을 압도하고 있으며, 특히 LCD 분야는 우리나라가 최근의 대형화 및 고급화 경향을 선도하고 있다. LCD의 핵심 모듈인 BLU(Back Light Unit)에 사용되는 프리즘시트를 생산하기 위해 대면적 롤금형이 가장 많이 사용되고 있으며, 향후 도광판, 확산판 등으로 그 응용처가 확산될 것으로 기대되고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.02a
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• pp.93-93
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.08a
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• pp.207-207
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• 2003

• Electrical & Electronic Materials
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• v.25 no.6
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• pp.12-21
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• 2012