본 논문은 태양광발전 시스템에서 태양광 모듈의 출력 저하 특성을 야기하는 PID (Potential Induced Degradation) 현상의 발생원인 및 출력회복을 위한 PID 저감 기법을 연구하였다. 태양광 모듈의 프레임과 셀 간에 발생하는 전위차로 인한 PID 현상의 직접적인 원인인 분극현상에 대해 분석하였으며, PID 현상이 태양광 모듈의 출력특성에 미치는 영향을 I-V 특성곡선 변화를 통해 해석하였다. PID 현상의 발생 원인을 기반으로 태양광 모듈의 전극 출력단인 양극과 음극을 단락시키고 접지된 프레임을 기준으로 양의 전압을 인가함으로써 태양광모듈의 출력특성을 회복하는 PID 저감 기법을 제안하였다.
765kV 송전선로와 선하 건조물은 최하단 도체의 높이 28m를 적용하고 대지저항률은 $100{\Omega}m$, IEEE 변전소 설계지침인 Std-80에 따라 건조물에 접촉하는 사람의 인체저항은 $1000{\Omega}m$, 대지를 딛고 있는 사람의 한쪽 발 접지저항은 직경 8cm의 원판 접지저항을 적용한다. 이렇게 구성된 모델에서 선로중심에서 건조물까지 이격거리 변동에 따라 인체 유도전류를 측정하고자 한다. 본 연구에서는 전기안전 실증시험을 위해 765kV 가공송전선로 직하에 목조 및 샌드위치 판넬 2가지 시험용 가옥을 설치하였다. 전기설비기술기준에 의거하여 선하직하 이격거리가 28m일 때 발생할 수 있는 전자계 특성과 재질에 따른 전자계가 미치는 영향을 비교 분석하고 장기 유도장해 실측 데이터를 확보하고자 그림 1과 같이 구축 설계하였다. 이를 통해 송전선로에 의해 선로중심으로부터 구축된 모의가옥까지 이격거리에 따라 유도되는 전류를 측정하고 그 크기가 인체에 미치는 유도전류 한계치 초과 여부에 대해 검토함으로써 안전성 여부에 대해 측정 및 검토하고자 시험게획을 수립하였다. 또한 선로 고장 시 대지전위상승에 의한 선하 건조물 안정성 검토 및 낙뢰서지 유입에 의한 전기안전 시험 구성을 하였다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.11
no.1
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pp.84-92
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2000
A GaAs MESFET MMIC transmitter for 2.4 GHz wireless local loop handset is designed and fabricated. The transmitter consists of a double balanced active mixer and a two stage driver amplifier with voltage negative feedback. In particular, a pair of CS-CG(common source-common gate) structure compensates the reduction in dynamic range caused by unbalanced complementary IF input signals. And to suppress the leakage local power at RF port, the mixer is designed by using phase characteristic between the ports of MESFET. At the bias condition of 2.7 V and 55.2 mA, the fabricated MMIC transmitter with chip dimensions of $0.75\times1.75 mm^2$ obtains a measured conversion gain of 38.6 dB, output $P_{idB}$ of 11.6 dBm, and IMD3 at -5 dBm RF output power of -31.3 dBc. This transmitter is well suited for WLL handset.
Park, Chun-Seon;Han, Sang-Min;Lim, Jong-Sik;Ahn, Dal;An, Chong-Chul;Park, Ung-Hee
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.9
no.5
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pp.1193-1200
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2008
This paper describes a developed 5Watt power amplifier module fer mobile communication system using Gallium Nitride (GaN) devices. Three amplification stages such as pre-amplifier, driver amplifier, and power amplifier have been fabricated and measured separately in advance for incorporating the total power amplifier module and estimating the performances. In addition, a defected ground structure is combined with the output stage of the power amplifier module for improving harmonic rejection and adjacent channel power (ACP) characteristics. The measured performances of the GaN power amplifier module include 58dB,min of gain, 37dBm,min of output power, 50dBc,min of harmonic rejection, 35dBc,min of IMD3 for 2-tone input, and 35dBc,min of ACP at 2.1GHz frequency band.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.18
no.9
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pp.1039-1046
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2007
In this paper, a coupled-defected ground structure(C-DGS) using negative inductive coupling is proposed and a bandstop filter(BSF) using C-DGS is designed and fabricated. The proposed C-DGS is the closely-located DGS cells for the negative coupling, the negative coupling of ground currents between adjacent DGS cells greatly improves the stopband characteristics. The proposed BSF utilizing the sharp cutoff response of the C-DGS has a -10 dB rejection band from 4 GHz to 11.3 GHz. A maximum attenuation rate is -64.3 dB/GHz in 3 cell structure, -108 dB/GHz in 5 cell structure. The C-DGS BSF shows the improved attenuation rate 3.8 times in 3 cell structure, 2.4 times in 5 cell structure, Also, the C-DGS BSF is reduced to 35.2 % and 40 % of the DGS BSF, respectively, due to the closely-located DGS cells. We fabricated the single gate mixer using C-DGS BSF. The single gate mixer has 6.6 dB conversion gain.
Journal of Satellite, Information and Communications
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v.10
no.2
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pp.80-85
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2015
In this paper, we present, an indstrial RFID layered microstrip patch antenna is designed using an inset feed method in order to improve recognition rates in a long distance as tags are attached to metal object by improving a problem of feeding power in fabricating metal tags and reducing effects of metallic object. The inset feed shows a distinctive characteristic that has no separation between emitters and feed lines differing from a structure with the conventional inductive coupling feed. This structure makes possible to produce a type that presents a low antenna height and enables impedance coupling for tag chips. Although it shows a difficulty in the impedance coupling due to increases in the parasite capacitance between a ground plane and an emitter in an antenna according to decreases in the height of a tag antenna, it may become a merit in designing the tag antenna because the antenna impedance can be determined as an inductive manner if a shorted structure is used for feeding power. Therefore, in this paper the microstrip patch antenna is designed as a modified type and applies the inset feed in order to reduce effects of metallic objects where the antenna is be attached. Also, the antenna uses a multi-layer structure that includes a metal plate between radiator and ground instead of using a single layer.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.6
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pp.682-690
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2012
In this paper, a highly linear self oscillating mixers(SOM) using second harmonic injections are presented. The H-slot defected ground structure(DGS) is designed as a balanced resonator for oscillation in the proposed SOM. Since the H-slot DGS resonator achieves a high Q factor, it is a suitable structure to provide low phase noise for the oscillator. The single balanced mixer is utilized in this work and it provides good LO-RF isolation since balanced LO signals are suppressed at the RF input port. In order to inject the second harmonic of the IF, we propose two different methods using feedback loops. In the first method, IF achieves a 3.08 dB conversion gain at 226 MHz with input power of -20 dBm at 5 GHz RF input signal. The IF achieves 2 dB conversion gain at 423 MHz with the input power of -20 dBm at 5.2 GHz RF input signal in the second method. The measured IMD3s are 61.8 dB and 65 dB for the each method. These SOMs present improved linearity compared to that without the second harmonic injection because IMD3s are improved by 18. dB and 21 dB for each method.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.20
no.8
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pp.22-29
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2006
According to the recent revision of KS on the basis of the IEC, equipotential grounding systems has been come into focus and the use of surge protective devices(SPD) has been increased radically in order to operate the power system stably. $Z_nO$ varistor with non-linear resistance, which has an outstanding voltage-current(V-I) characteristic, is mainly used in power system to limit surge voltage and divert surge current. $Z_nO$ varistors are packaged several types based on the circuit assembly to be connected to a.c. power line. When the user assemble the $Z_nO$ varistors into parallel or series circuit package, there are my things to be taken into consideration including functions and thermal stability because they are directly related to the safety. We compare stabilities of each assembly type by measuring residual voltage, discharge current, leakage current and surface temperature concerned to the protection performances between a single device with a 40[kA] of current capacity and parallel or series circuits type of varistor package.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.12
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pp.71-79
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2013
This paper describes a 12.5 Gb/s low-power receiver design with equalizer adaptation. The receiver adapts to channel and chip process variation by adaptation circuit using sampler and serializer. The adaptation principle is explained. It describes technique receiving ground referenced differential signal of voltage-mode transmitter for low-power. The CTLE(Continuous Time Linear Equalizer) having 17.6 dB peaking gain to remove long tail ISI caused channel with -21 dB attenuation. The voltage margin is 210 mV and the timing margin is 0.75 UI in eye diagram. The receiver consumes 0.87 mW/Gb/s low power in 45 nm CMOS technology.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.12
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pp.1367-1374
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2008
A new high-gain Fabry-$P{\acute{e}}rot$ cavity antenna for wireless broadband internet(Wibro) base station antennas, which is covered with metamaterial superstrate presenting simultaneous negative values of permittivity and permeability, is proposed. To facilitate the fabrication process using the printed circuit board(PCB) technology of today, a new planar-type metamaterial superstrate is designed, which shows negative and low positive values of a refractive index near the Wibro service frequency band. And the principle of antenna gain enhancement is analyzed from the two different view points of effectively low refractive index and of the Fabry-$P{\acute{e}}rot$ resonance condition. Single square patch antenna is used as a feeder. The separation distance is determined by considering the reflection phases of the metamaterial superstrate and the substrate satisfying Fabry-$P{\acute{e}}rot$ resonance condition, respectively. Comparison between the prediction and the measurement shows good agreement, which verifies the validity of our design approach.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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