• Korean Journal of Crystallography
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• v.3 no.2
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• pp.120-128
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• 1992

Single crysals of BaTiO3 were grown by TSSG technique at various cooling rates. Morpolo girts, defects and domain structures of the grown crystals were investigated. At the cooling rates below 0.5℃/hr, equant single crystals were obtained and the 11111 faces were dominantly developed. If the cooling rate was much faster or if the vortical temperature gradient in the so lotion was very large, the solution became unstable and the needle formed BasTil04 o crystals were precipitated. Two sets of parallel lamella domains are arranged perpendicular to each other and the irregularly shaped boundaries are fixed between them. These sets of domains show remarkable orientation contrast in x-ray topography. Heating the crystal above 127℃, the phase transition from tetragonal to cubic occurs. The phase transition front (PTF) moves in the direction of temperature gradient. Domains in the tetragonal phase are successively rearranged and regular strain patterns appear in the cubic phase. The habit plane of PTF in BaTi03 is found to deviate from a l1101 lattice plane by app roximately 9°.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.3 no.1
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• pp.37-43
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• 1992

KTiOP04 is a nonlinear optical crystal which is most widely used for frequency doubling of the radiation of Nd : YAG laser. In the experiment, sin ale crystals of KTiOP04 were grown by TSSG technique using 3K2W04·P2O5 flux. Low temperature gradient furnace suitable for KTP single crystal growth was used. Seed crystal was placed at the surface of the solution for the purpose of better observation of the growing crystals and the possibility of diameter control. Solution included 66.7mol% KTiOP04 for all experiments and its saturation temperature was 1020℃. The conditions of single crystal growth were as follows: cooling rate 0.2℃/h, crystal rotation rate 50rpm, c -axis seed. Using these conditions, single crystals up to 23 ×25×25mm3 have been groan from about 100cc solution. We have also observed a change in the crystal growth habit which resulted in the formation of large (201) faces and small (100) faces. And some crystals have (101) faces.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.4
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• pp.180-183
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• 2001

$YVO_{4}$ and Nd:$YVO_{4}$ single crystals have been grown developed Edge-defined film-fed growth (EFG) method and the crystals were measured on optical properties. $YVO_{4}$ and Nd:$YVO_{4}$ single crystal were transparent, high quality due to homogeneity of surface temperature of the melt and stability of meniscus during crystal growth. In transmittance and absorption spectra, Nd:$YVO_{4}$ single crystals had absorption peaks at wavelengths of 532, 593, 753, 808, 888 though $YVO_{4}$ single crystal had a broad transmittance at wavelength ranging from 340 to 1000nm. Also, Nd:$YVO_{4}$ single crystals had emissions of energy at range of 800~900 nm in photoluminescence (PL) spectrum.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.14 no.6
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• pp.262-266
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• 2004

Rutile single crystals were grown by the skull melting method. Ti metal ring was used for initial RF induction heating. The grown crystals were cut into wafer of 5.5 mm diameter and 1mm thickness. The wafers were annealed in air at $1300^{\circ}C$ up to 15 hours and their transmittance spectra $(\lambda= 200~25000 nm)$ were obtained.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.1 no.1
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• pp.74-81
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• 1991

The temperature profile of Czochralski single crystal growth system was simulated considering the fluid flow and surface radiation heat transfer. View factors of surface elements were calculated for radiation heat transfer. Two phases(solid and liquid) were treated as a continuous phase by assigning artificial large viscosity to the solid phase and latent heat was accounted by iterative heat revolution method. The solidification model was applied to solid front of the pure Ga during the melting to verify the model. The whole simulation model of CZ system was applied to the growth Al single crystal.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.164.1-164.1
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• 2016

본 연구에서 지지체로 사용된 단결정 형태의 수산화인회석(Hydroxyapatite)은 칼슘과 인산염으로 구성된 무기물이다. 염기 조건 (10 M NaOH)에서 수열합성법 (Hydrothermal method)을 이용하여 단결정 형태의 수산화인회석을 합성하였다. 합성된 단결정 수산화인회석의 표면에 이온 교환 반응을 통하여 은 원자를 도입하였으며, 아르곤 및 수소 기류 (96% Ar, 4% $H_2$) 조건에서 가열하는 온도를 조절하는 것으로 은 나노 입자를 생성시켰다. 합성된 샘플은 XRD 패턴 및 TEM 이미지 분석을 통하여, 수산화인회석의 합성 및 은 나노 입자가 형성된 것을 확인하였다. 합성된 샘플을 유기 반응 촉매로 사용하여 여러 가지 알코올 (1차, 2차 알코올)의 산화 반응에 응용하였으며, UV-Visble light 영역에서의 메틸렌 블루 분해 반응 실험에 광촉매로서 사용하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.96-96
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• 2003

벌크 형태의 CaN 단결정 성장은 매우 곤란한 관계로 아직까지 관련 기술의 개발이 미흡한 실정이다 오랜 기간동안 승화 (sublimation)법으로 대구경 벌크 GaN 단결정을 성장시키고자 하는 노력이 지속되었지만 최근까지도 만족할 만한 결과가 보고되지 않고 있다. 본 논문에서는 종래의 방법과는 달리 출발물질로서 GaOOH 분말을 채택하고, 이를 NH$_3$ 분위기에서 가열 반응시켜 GaN 결정을 성장시켰다. 반응온도와 반응시간 및 NH$_3$ 유량 등의 성장조건에 따른 GaN 결정의 성장거동과 광학적 특성을 조사하였다. 원료인 GaOOH 분말 1g을 석영 용기에 담아 직경이 35mm인 석영 보호관에 위치시키고, 1000~l17$0^{\circ}C$의 온도에서 NH$_3$ 가스를 100~1000 sccm으로 공급하면서 96시간 동안 반응시켰다. 실험이 종료되면 전기로의 온도를 상온까지 냉각시킨 후 석영 보호관 내벽에 성장된 Ga 결정을 채집하였다. 이와 같이 채집된 결정의 형태와 크기를 광학현미경을 사용하여 조사하였고, 결정표면의 상태를 전자현미경을 사용하여 관찰하였다. 시료의 결정성을 알아보기 위하여 X선 회절 분석을 하였고, 저온에서의 광루미네센스 (PL; photoluminescence) 특성을 조사하였다.

• KIPE Magazine
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• v.14 no.1
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• pp.21-25
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• 2009

전력반도체소자는 1947년 트랜지스터의 출현으로 반도체시대가 도래한 이후 사이리스터, MOSFET 및 IGBT 등으로 발전하였다. 개발당시에는 10A 정도의 전류처리 능력과 수백V 정도의 진압저지능력을 가지고 있었지만, 현재에는 정격전류로는 약 8,000A, 정격전압으로는 무려 12kV 급까지 발전되었다. 그러나 전력반도체 소자의 대부분은 실리콘을 윈료로 제작되고 있으며 현재 실리콘의 물성적 한계에 직면하여 고전압, 저손실 및 고속 스위칭화에 대한 새로운 도전이 시작되고 있다. SiC 전력용 반도체는 실리콘 반도체의 이론적 물성한계를 극복할 수 있는 소재로서 80년대 이후 각광받아 왔다. 하지만 대구경의 단결정 웨이퍼 및 저결함의 에피박막의 부재로 90년대 중반까지는 가능성 있는 재료로서만 연구되었다. 90년대 중반 단결정 웨이퍼가 상용화된 이후 단결정 웨이퍼의 대구경화 및 저결함화가 급속히 진전되어 전력용 반도체 소자의 개발도 활기를 띄게 되었다. 본 기고에서는 탄화규소 반도체소자의 기술동향에 대해 소개하고자 한다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.1
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• pp.1-5
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• 2001

SiC single crystals were grown in the various condition of growth pressure and temperature in the sublimation growth. We observed the growth step morphology and the shapes on the surface of as-grown crystals using an optical microscope, and characterized the co-relations among the growth parameters by adapting the Burton, Carbera and Frank theory(BCF theory)for nucleation and crystal growth.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.10 no.1
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• pp.71-75
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• 1999

융액인상법에 의하여 Nd3+ 이온이 15 at% 주입된 LaSc3(BO3)4 단결정을 성장하였다. 최적의 결정성장 조건하에서 성장된 결정은 결정형이 잘 발달되고 보라색 투명하였다. 편광 현미경에 의한 결정결함 분석결과 성장된 결정 중심부에서 0.1 mm 크기의 기포가 검출되었고, B2O3가 증발하여 결정에 증착된 shoulder 부위에서는 균열이 발생되었으나 body에서는 결함이 검출되지 않았다. X선 회절에 의하여 cell parameter를 측정한 결과 a=7.73 , b=9.85 , c=12.05 , β=105.48o 및 공간군 C2/c의 monoclinic 구조로 분석되었다. 양질의 단결정을 성장하기 위한 결정성장 요소는 회전속도 10 rmp, 인상속도 1.5 mm/h이었다. 성장된 결정은 808 nm에서 강하고 넓은 흡수대와 1050∼1080 nm에 걸친 형광 방출대가 관찰되었다. 성장된 결정을 이용하여 직경 3 mm, 두께 1mm 크기의 micro-chip laser 소자의 제조기술을 확립하였다.