Si nanowire/multiwalled carbon nanotube nanocomposite arrays were synthesized. Vertically aligned Si nanowire arrays were fabricated by Ag nanodendrite-assisted wet chemical etching of n-type wafers using $HF/AgNO_3$ solution. The composite structure was synthesized by formation of a sheath of carbon multilayers on a Si nanowire template surface through a thermal CVD process under various conditions. The results of Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and high resolution transmission electron microcopy demonstrate that the obtained nanocomposite has a Si nanowire core/carbon nanotube shell structure. The remarkable feature of the proposed method is that the vertically aligned Si nanowire was encapsulated with a multiwalled carbon nanotube without metal catalysts, which is important for nanodevice fabrication. It can be expected that the introduction of Si nanowires into multiwalled carbon nanotubes may significantly alter their electronic and mechanical properties, and may even result in some unexpected material properties. The proposed method possesses great potential for fabricating other semiconductor/CNT nanocomposites.
Two-dimensional photonic quasicrystal (PQCs) template patterns have been fabricated on a 1.1 ${\mu}m$-thick DMI-150 photoresist using a multiple-exposure holographic method. A 442-nm HeCd laser was utilized as a light source and the holographic exposure was carried out at a fixed angle of ${\theta}$ = 6$^{\circ}$. After the first holographic exposure, the sample was rotated to a proper angle and the second exposure was performed to the same manner. This exposure process was repeated n/2 times to obtain n-fold symmetric PQC patterns and then the sample was developed. The diffraction patterns of the fabricated PQC template were observed using a 632.8-nm HeNe laser. The fabricated PQCs exhibited 8, 10 and 12-fold rotational symmetry, which was in a good agreement with the interference simulation results. In addition, the diffraction patterns with n-rotation symmetry were observed for the corresponding n-fold PQCs. We believe that the multiple-exposure holography is a good method to fabricate the mesoscale PQCs with a high rotational symmetry.
In this paper a new conductivity modulated power transistor called the Lateral Insulated Gated Bipolar Transistor which included n+ ring and p-channel gate is presented. A new lateral IGBT structure is proposed to suppress latch-up and to improve turn off time by imploying n+ ring and p-channel gate and verified by MEDICI. The simulated I-V characteristics at $V_{G}$=15V show that the latch up occurs at $V_{A}$=18V and 6.9$\times$10$^{-5}$ A/${\mu}{\textrm}{m}$ for the proposed LIGBT while the conventional LIGBT latches at $V_{A}$=1.3V and 1.96${\mu}{\textrm}{m}$10$^{-5A}$${\mu}{\textrm}{m}$. It is shown that turn off characteristic of new LIGBT is 8 times than that of conventional LIGBT. And noble LIGBT is not n+ buffer layer because that It includes p channel gate and n+ ring. Therefore Mask for the buffer layer isn’t needed. The concentration of n+ ring is and the numbers of n+ ring and p channel gate are three for the optimal design.n.n.n.n.
This paper is investigated about the effect of carrier gas type and the humidity for generating hydrogen gas. The vibration of the water surface is more powerful with increasing applied voltage. In this experimental reactor which is made of multi-needle and plate, the maximum acquired hydrogen production rate is about 3500 ppm. In the experimental result of generating hydrogen gas by non-thermal plasma reactor, the rate of generating hydrogen gas is different with what kind of carrier gas is. We used two types of carrier gas, such as $N_2$ and He. $N_2$ as carrier gas is more efficient to generate hydrogen gas than He because $N_2$ is reacted with $O_2$, which is made from water dissociation. In comparison with water droplet by humidifier and without water droplet by humidifier, the generation of hydrogen gas is decreased in case of water droplet by humidifier. That is the result that the energy for water dissociation is reduced on water surface because a part of plasma energy is absorbed at the small water molecular produced from humidifier.
There has been increasing interest in the applications of synthesized molecules of nanometer scale in recent years due to their potential utilization in various fields such as biology, optoelectronics and molecular electronics. In this study, the terpyridine-platinum (II) complex on the periphery of the dendritic carbosilane has been prepared from the reaction of Pt(COD)Cl2 and the 4'-functionalized-(2,2':6',2"-terpyridine) on dendrimers. The self-assembly process was carried out to obtain indivially dispersed dendrimer on Au (111) substrate. It was found that STM was unsuitable to obtain a obvious image of dendrimers. Tapping-mode atomic force microscopy(AFM) has been used to investigate the shape and size of dendrimers individually dispersed on Au (111)substrate. As a result, the imaged single dendrimer show that dendrimer is dome shaped and its size can be measured by tapping-mode AFM.
Hot filament 플라즈마 화학기상 증착법(HFPECVD)를 사용하여 질산화철의 농도에 따른 탄소나노튜브의 성장 특성을 관찰하기 위해 실험을 진행하였다. 암모니아($NH_3$)를 희석가스로 사용하였고, 아세틸렌($C_2H_2$)를 탄소 원료가스로 각각 사용하였다. 암모니아 가스 플라즈마를 사용하여 전처리 된 질산화철 촉매층의 SEM(Scanning Electron Microscopy) 이미지를 관찰하여 본 결과, 나노 사이즈의 촉매 그레인(grain)을 발견할 수 있었다. 그리고 탄소 나노튜브의 직경과 성장 밀도 또한 전처리 된 촉매 층에 따라 다른 양상을 보였다. TEM(Transmission Electron Microscopy)를 사용하여 탄소나노튜브를 관찰한 결과 bamboo 구조를 한 다중벽 탄소 나노튜브(MWCNT)를 관찰할 수 있었다.
New material design has obtained tremendous attention in material science community as the performance of new materials, especially in nano length scale, could be greatly improved to applied in modern industry. In certain conditions limiting experimental synthesis of these new materials, new approach by computer simulation has been proposed to be applied, being able to save time and cost. Recent development of computer systems with high speed, large memory, and parallel algorithms enables to analyze individual atoms using first principle calculation to predict quantum phenomena. Beyond the quantum level calculations, mesoscopic scale and continuum limit can be addressed either individually or together as a multi-scale approach. In this article, we introduced current endeavors on material design using analytical theory and computer simulations in multi-length scales and on multi-physical properties. Some of the physical phenomena was shown to be interconnected via a cross-link rule called 'cross-property relation'. It is suggested that the computer simulation approach by multi-physics analysis can be efficiently applied to design new materials for multi-functional characteristics.
This work focuses on improving the light-harvesting efficiency of thin-film silicon solar cells through innovative multi-architecture surface modifications. To create a regular optical structure, a lithographic process was performed to form it on a glass substrate through various etching processes, from Etch-1 to Etch-3. AZO was deposited on top of the structures and re-etched to create a multi-architectural surface. These surface-modified structures improved the light absorption and overall performance of the solar cell through changes in optical and physical properties, which we will analyze. In addition, we investigated the effect of post-cleaning on the etched glass structures through EDX analysis to understand the mechanism of the etching action. The results of this study are expected to provide important guidelines for the design and fabrication of solar cells and other photovoltaic devices.
Physically Unclonable Functions (PUFs) provide a high level of security for private keys using unique physical characteristics of hardware. However, fabricating PUF chips requires numerous semiconductor processes, leading to high costs, which limits their applications. In this work, we introduce a low-cost manufacturing method for PUF security chips. First, surface roughening through wet-etching is utilized to create random variables. Additionally, physical vapor deposition is added to further enhance randomness. After PUF chip fabrication, both Hamming distance (HD) and Hamming weight (HW) are extracted and compared to verify the fabricated chip. It is confirmed that the PUF chip using two different multiple process variables demonstrates superior uniqueness and uniformity compared to the PUF security chip fabricated using only a single process variable.
중간주응력을 고려한 마찰재료의 파괴거동에 대한 확고한 이해는 대심도 보어홀 안정성 및 단층해석 등과 관련된 현장 적용의 고도화를 위한 필수적인 과정이다. 본 연구는 진삼축압축 조건을 물리적으로 구현하는 장비를 설계·제작하였으며 마찰재료로 제작된 석고 시료에 대한 진삼축압축시험을 통하여 재료의 파괴거동 특성을 논의하고 삼차원파괴함수의 적용성을 검토하였다. 진삼축압축시험을 위한 석고 재료는 52(w) × 52(l) × 104(h) mm의 직육면체 시료로 성형하였으며 다양한 조합의 𝜎3, 𝜎2의 조건으로 총 24회의 진삼축압축시험이 수행되었다. 또한, 삼차원 파괴기준식의 파라미터로 사용되는 석고의 강도정수 측정을 위하여 전통적인 일축압축시험 및 삼축압축시험이 수행되었다. 석고 재료의 응력-변형 특성은 중간주응력과 최소주응력의 차이가 클수록 취성거동이 더욱 강하게 나타났으며, 시료의 강도 및 변형은 중간주응력의 변화를 반영하는 것으로 평가되었다. 주응력 좌표계에서 시험 데이터에 대한 비선형 다중회귀분석을 수행한 결과 수정 Wiebols-Cook 파괴기준 및 수정 Lade 파괴기준이 석고 시료에 대한 삼차원 파괴기준으로 가장 적합하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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