• Proceedings of the KWS Conference
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• 2007.11a
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• pp.251-253
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• 2007

현재 다이아몬드 공구에서 극세선에 브레이징 공정을 이용하여 다이아몬드를 접합하는 기술은 국내외 적으로 전무한 상태이다. 이 연구는 금속 와이어에 다이아몬드를 브레이징을 실시하여 최적의 와이어 브레이징 공정법을 개발 하는데 있다. 다이아몬드와 금속필러메탈 접합 계면에서의 금속성분과 탄화물의 거동을 분석하며, 브레이징에 따른 와이어의 물성 변화를 관찰하였다. 금속필러로는 Ag-Cu-5Ti(wt.%)을 사용하였으며, 와이어는 스테인리스를 이용하였다. 브레이징 공정은 진공 접합 장치를 이용하여 $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 유지시간 $5{\sim}30$분로 실시하였다. 브레이징된 다이아몬드는 $900{\sim}950$도, 유지시간 10분 사이에서 각각 건전한 계면과 표면을 얻을 수 있었으며, 계면에서 Ti-rich상과 화합물이 확인되었다. 또한 열처리 따른 와이어의 최적의 건전한 상태를 고찰 하였다. 다이아몬드와 Ag계 브레이징 필러의 계면에서의 미세조직 및 화학반응의 메커니즘은 SEM, EPMA, XRD를 이용하여 분석하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.4
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• pp.322-329
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• 1997

ECR 마이크로 플라즈마 CVD법에 의하여 단결정 Si기판위에서 대면적에 걸쳐 방향성을 가진 다이아몬드박막을 성공적으로 성장시키고, 막 증착공정을 바이어스처리 단계와 성막단계의 2단계로 나누어 실시할 때 바이어스처리 단계에서 여러 공정 매개변수들이 다리아몬드 핵생성밀도에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. 기판온도$600^{\circ}C$, 압력 10Pa, 마이크로파 전력 3kW, 기판바이어스 +30V의 조건으로 바아어스 처리할 때, 핵생성에 대한 잠복기간은 5-6분이며, 핵생성이 완료되기 까지의 시간은 약 10분이다. 10분 이후에는 다이아몬드 결정이 아닌 비정질 탄소막이 일단 형성된다. 그러나 성장단계에서 이러한 비정질 탄소막은 에칭되어 제거되고 남아있는 다이다몬드 핵들이 다시 성장하게 된다. 또한 기판온도의 증가는 다이아몬드 막의 결정성을 높이고 핵생성 밀도를 증가시키는 데에 별로 효과가 없다. ECR플라즈마 CVD법에서 바이어스처리 테크닉을 사용하면, 더욱 효과적임을 확인하였다. 총유량 100 sccm의 CH$_{3}$OH(15%)/He(85%)계를 사용하여 가스압력 10Pa, 바이어스전압 +30V마이크로파 전력 3kW, 온도 $600^{\circ}C$의 조건하에서 40분간 바이어스처리한 다음 다이아몬드막을 성장시켰을 때 일시적으로나마 제한된 지역에서 완벽한 다이아몬드의 에피성장이 이루어졌음을 SEM으로 확인하였다. 이것은 Si기판상에서의 다이아몬드의 에피성장이 가능함을 시사하는 것이다. 그밖에 라만분광분석과 catodoluminescence 분석에 의한 다이아몬드의 결정질 조사결과와 산소방전 및 수소방전에 의한 챔버벽의 탄소오염효과 등에 관하여 토의하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.288-288
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• 2003

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.11a
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• pp.3-5
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• 2005

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 항복전압이 증가하고 누설 전류가 감소한 수평방향 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. 산화 과정 후, 턴-온 전압이 미세하게 증가하였으며 높은 애노드 전압하에서 애노드 전류가 증가하였다. 5분과 10분의 산화 과정 후, 누설 전류는 1nA 이하 수준으로 현저히 감소하였다. Edge Termination 방법으로 Floating Metal Ring을 사용하고, 산화 과정을 적용하여 제안된 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 항복전압은 750볼트의 큰 값을 얻을 수 있었다. 상온과 $125^{\circ}C$ 에서 제작한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 회복 파형도 측정하였으며, 제작한 소자는 매우 빠른 역방향 회복 특성을 보였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.7 s.361
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• pp.1-8
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• 2007

The DC characteristics of GaAs Gunn diode are investigated as a preliminary study on the planar grade gap injector GaAs Gunn diode which is the transferred electron device with high output power and dc-rf conversion efficiency. The Gunn devices we fabricated were confirmed to have the DC characteristics of negative differential resistance(NDR). We discussed the nature of the NDR effect, including the electron intervalley transfer; the NDR effect was examined for six different cathode radii.

• Clean Technology
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• v.22 no.4
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• pp.281-285
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• 2016

Cu wire catalyst was highly reactive toward catalytic wet peroxide oxidation of the highly refractory 1,4-dioxane. While complete removal of 1,4-dioxane could be achieved with the catalyst, the removed 1,4-dioxane could not totally mineralized into $CO_2$ and $H_2O$. In accordance with the disappearance of 1,4-dioxane, formaldehyde and oxalic acid were formed gradually with reaction time and they went through maxima. At around the time of maximum concentrations of these two intermediates acetaldehyde concentration was increased drastically and showed maximum value. With the disappearance of these three intermediates, formic acid together with ethylene glycol diformate began to increase gradually. The Cu wire catalyst was proved also to be highly stable against deactivation during the reaction.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.49 no.9
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• pp.270-275
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• 2012

This paper describes design of a variable-N frequency synthesizer for RF PLL with $0.13{\mu}m$ silicon CMOS technology being used as an application of the UWB system like MBOA. To get good performance of speed and noise super dynamic circuits was used, and to get variable-N division ratio MOSFET switching circuits was used. Especially to solve narrow bandwidth problem of the dynamic circuits load resistance value of unit divider block was varied. Simulation results of the designed circuit shows very fast and wide operation characteristics as 5~26GHz frequency range.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.1
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• pp.56-61
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• 2011

This paper describes design of a programmable frequency synthesizer for RF PLL with $0.18{\mu}m$ silicon CMOS technology being used as an application of the UWB system like MBOA. To get good performance of speed and noise super dynamic circuits was used, and to get programmable division ratio switching circuits was used. Especially to solve narrow bandwidth problem of the dynamic circuits load resistance value of unit divider block was varied. Simulation results of the designed circuit shows very fast and wide operation characteristics as 1~14GHz frequency range.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1986.06a
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• pp.39-39
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• 1986

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.13 no.8
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• pp.3301-3306
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• 2012

In LED chip packaging, die bonding is a very important process which fixes the LED chip on the lead frame to provide enough strength for the next process. Conventional pick-up device of the die bonder is simply operated by up and down motion of a collet and an ejector pin. However, this method may cause undesired problems such as position misalignment and/or severe die damage when the pick-up device reaches the die. In this study, to minimize the position alignment error and die damage, a die bonder is developed by adopting a new pick-up head for precise alignment and high speed feeding. To evaluate structural stability of the designed system, required finite element model of the die bonder is generated, and structural analysis is performed. Vibration analysis of the pick-up head is also performed using developed finite element model at operation frequency range. As a result of the analysis, deformation, stress, and natural frequency of the die bonder are investigated.