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Optoelectronic Properties of Semiconductor-Atomic Superlattice Diode for SOI Applications (SOI 응용을 위한 반도체-원자 초격자 다이오드의 광전자 특성)

  • 서용진
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.10 no.3
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    • pp.83-88
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    • 2003
  • The optoelectronic characteristics of semiconducto-atomic superlattice as a function of deposition temperature and annealing conditions have been studied. The nanocrystalline silicon/adsorbed oxygen superlattice formed by molecular beam epitaxy(MBE) system. As an experimental result, the superlattice with multilayer Si-O structure showed a stable photoluminescence(PL) and good insulating behavior with high breakdown voltage. This is very useful promise for Si-based optoelectronics and quantum devices as well as for the replacement of silicon-on-insulator (SOI) in ultra-high speed and lower power CMOS devices in the future, and it can be directly integrated with silicon ULSI processing.

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Java-based AgentX for Dynamic eXtension of SNMP Agent (SNMP에이전트의 동적 확장을 위한 Java기반 AgentX)

  • 박성진;박용;차시호;이병기;조국현
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2001.04a
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    • pp.253-255
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    • 2001
  • 본 논문은 SNMP 에이전트이 동적인 확장을 위하여 Java를 사용하는 AgentX의 설계와 프로토타입의 구현에 대해 설명한다. AgentX는 SNMP 에이전트이 구조를 마스터 에이전트와 서브 에이전트로 분리하여 SNMP 에이전트를 동적으로 확장할 수 있는 구조를 갖는다. 기존의 SNMP 환경에서는 새로운 관리 기능의 추가가 어려웠다. 이미 배치된 장비 내의 SNMP 에이전트를 확장하기 위해서는 기존은 SNMP 에이전트를 새로운 SNMP 에이전트로 대체시키는 방법을 사용하였다. 그러나 이런 방법은 수행 중인 장비를 셧 다운 시키지 않는 상태에서 동적으로 새로운 관리 기능을 추가할 수 있도록 하기 위한 자바 기반 AgentX를 설계하고 프로토타입을 구현하였다.

An Implementation of ID-based Authentication Service on Smart Card (스마트카드상에서의 ID 기반 인증서비스 구현)

  • 이윤호;장청룡
    • Proceedings of the Korea Institutes of Information Security and Cryptology Conference
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    • 1994.11a
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    • pp.91-98
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    • 1994
  • 기존의 인증과정에서 이용되는 토큰으로는 자기카드가 많이 쓰이고 있으나 앞으로는 스마트카드가 이를 대체할 전망이다. 그러나 우리나라의 실정은 차세대카드로 불리는 스마트카드의 활용이 극히 부진한 실정이다. 스마트카드는 초기의 단순 메모리형 카드에서 점차 복잡한 형태의 카드로 발전하고 있으며 DES나 RSA 암호계를 내장하였을 뿐만 아니라 근래에는 현대 암호학의 고속계산 모듈을 담고 있는 카드까지 등장하고 있다. DRS를 이용한 인증은 빠른 속도와 구현의 용이성으로 인한 장점이 있는 반면, 카드 인증에 필요한 키를 단말기가 모두 관리해야 하는 문제가 있었다. 본 논문에서는 DE5 내장형 스마트카드에 ID 개념을 적용하여 키관리가 필요없는 사용자 인증 및 카드와 단말기간의 양방향 인증을 구현하였다. 사용된 스마트카드는 8-bit CPU를 내장하고 2kbytes의 EEPROM을 이용하며 프로그램의 다운로드수행은 고려하지 않았다.

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Adaptive Server Selection Algorithm for High Availability based on DSV (DSV 기반 서버 고가용성을 위한 적응적 서버 선정 알고리즘)

  • Kim, Hyun-Woo;Byun, HwiRim;song, Eun-Ha;Jeong, Young-Sik
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2015.04a
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    • pp.118-120
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    • 2015
  • 현재, 급격한 IT 기술 발전의 산물인 스마트 디바이스에서 발생되는 데이터의 양이 기하급수적으로 증가함에 따라 효율적으로 저장하기 위한 다양한 연구 및 기술 개발이 진행되고 있다. 이 중에 Desktop Storage Virtualization(DSV)은 비가용 데스크톱 스토리지 자원을 하나의 통합된 스토리지로 만들고 이를 스토리지 사용자 니즈에 따라 스토리지를 제공한다. DSV는 분산된 데스크탑의 비가용 자원을 통합함에 따라 신뢰성이 매우 중요시된다. 그러나 DSV 환경에서 산발적 서버다운 및 기타 장애시 대응체계가 미흡하다. 본 논문에서는 이러한 상황을 고려한 Server Selection Algorithm(SSA)를 제시한다. SSA는 서버 장애 발생시 대체 서버를 분산된 데스크탑이 적응적 인지 및 서버를 변경함으로써 고가용성을 제공한다.

Applet Security Technique against Hostile Applet's Attack (유해 애플릿 공격에 대한 애플릿 보안 기술)

  • Park, Sang-Kil;Noh, Bong-Nam
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2000.04a
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    • pp.491-496
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    • 2000
  • 웹상의 자바 애플릿은 클라이언트의 웹 브라우저에 다운로드 되어서 브라우저 내부에 있는 자바가상기계(JVM : Java Virtual Machine)내에서 실행된다. 각 자바가상기계에는 실행 전에 바이트 코드 검증기와 바이트 코드 인터프리터를 통하여 오류문법을 점검한다. 애플릿을 이용한 잠재적인 공격형태는 시스템 수정, 개인정보의 침해, 서비스 거부공격, 강한 거부감을 느끼게 하는 공격이 있다. 이러한 유해한 애플릿의 공격에 대응하기 위한 방법으로 코드분석, 행위분석, 위치정보등을 이용한 보안기법이 제시되었지만 효율적인 대응을 하지 못하고 있다. 이 논문에서는 자바의 특성을 이용하여 자바클래스 내부의 바이트 코드 수정을 통한 애플릿 보안기술에 대해 기술한다. 유해한 행동이 예상되는 애플릿의 클래스에 대하여 바이트 코드 수정을 통하여 안전한 클래스로 대체함으로서 유해 애플릿 공격으로부터 시스템을 보호한다. 이를 수행하기 위해 프록시 서버를 두어서 웹브라우저의 요구를 수용하고, 이를 웹 서버에게 Safe클래스로 수정하여 요구하며, 그에 대한 응답도 처리한 후 애플릿에게 보여준다. 이는 런타임때 수행되며 웹브라우저, 서버, 클라이언트의 수정없이 프록시 서버의 개입으로 이루어진다.

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Designing and Evaluating an Audiobook Service Model on Android Platform for the Visually-Impaired (안드로이드 플랫폼 기반 시각장애인용 음성도서 서비스 모델 구축 및 평가)

  • Jang, Won-Hong;Oh, Sam-Gyun
    • Journal of the Korean Society for information Management
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    • v.32 no.2
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    • pp.221-236
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    • 2015
  • This paper describes the process and methodology followed in developing the Android-based LG Sangnam Audiobook service and an evaluation of its usefulness to the public. The methods included a survey of user needs, analysis of usage statistics, and user interviews. The study found that visually impaired users: 1) were greatly interested and willing to use smartphones if there were no barrier in cost and access; 2) preferred downloads to streaming services; 3) did not mind performance differences between real and TTS (text-to-speech) voices; 4) showed marked differences in book preferences according to age, 5) made about 14,000 downloads in 2014; and 6) indicated bookmarking and moving between pages and tables of content as the most important functions in using audiobooks.

Reliability Analysis under Input Variable and Metamodel Uncertainty using Bayesian Approach (베이지안 접근법을 이용한 입력변수 및 근사모델 불확실성 하에서의 신뢰성 분석)

  • An, Da-Wn;Won, Jun-Ho;Choi, Joo-Ho
    • Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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    • 2009.04a
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    • pp.97-100
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    • 2009
  • 신뢰성 분석은 불확실성으로 인한 제품의 성능 변동을 안전확률이나 파괴확률로 정량화 하여 설계에 이용하기 위해 연구되어 왔다. 불확실성은, 데이터의 양에 따라-물질의 본질적인 특성으로서의 많은 데이터가 주어진 경우의 물리적 불확실성과 부족한 데이터에서의 인식론적 불확실성으로 구분되고, 불확실성을 갖는 대상에 따라-입력변수 및 근사모델 불확실성으로 구분된다. 물리적 불확실성에 대한 연구는 많이 진행되어 왔지만, 실제 산업현장에는 부족한 데이터로 인한 인식론적 불확실성이 지배적이며 이에 대한 연구는 최근에서야 진행되고 있다. 불확실성을 고려하는 신뢰성 기반 설계에는 효율성을 위해 실제모델을 대체하는 근사모델이 이용되는데, 근사모델법 자체에 대한 연구는 많이 진행되어 왔으나, 근사모델 이기 때문에 존재하는 불확실성을 고려한 연구는 최근에서야 연구되기 시작하였다. 본 연구에서는 베이지안 접근법에 기반하여 입력변수 및 근사모델 불확실성을 통합 고려하는 새로운 신뢰성 분석 기법을 제시하고 수치예제를 통해 타당성을 증명한 후, 이를 공학문제에 적용한다.

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차세대 전자소자용 실리콘 나노와이어 성장 및 특성 분석

  • Seo, Dong-U;Kim, Seong-Bok;Kim, Yong-Jun;Lee, Myeong-Rae;Ryu, Ho-Jun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.36.1-36.1
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    • 2011
  • 1차원 양자 구속 효과로 인해 우수한 전하 전송 특성을 갖는 나노선을 차세대 전자소자에 응용하기 위한 일환으로, 실리콘 기판 상에 동일한 실리콘 나노선을 성장하고 이의 미세구조 특징을 분석하였다. 실리콘 나노선은 Au 시드층을 형성한 후 화학기상증착법을 이용한 VLS (vapor-liquid-solid) 공법으로 성장시켰으며, 시드층의 크기에 따른 나노선의 구조 특성을 이미지 프로세싱을 통해 통계분석하였다. 성장된 실리콘 나노선의 결정구조와 성분을 고해상도 투과전자현미경과 EDAX를 이용하여 분석하였으며, 성장 온도 조건에 따른 나노선의 morphology 특성도 실시하였다. 그 결과 Au 시드층의 성분이 나노선과 기판의 계면에서 상당 부분 잔류함과, 성장된 나노선에는 쌍정 결함(twin defect) 등의 결정구조 변화가 수반됨을 알 수 있었다. 또한 금속 시드층의 평균 입도와 성장 온도 및 소스 가스 유량 조절함으로써 실리콘 나노선의 직경과 길이를 최적화 할 수 있었다. 이를 통해 향후 공정 스케일 다운의 한계 상황에 도달하고 있는 반도체 트랜지스터 소자를 대체할 수 있는 나노선 반도체 소자에 대한 공정기술 개발과 이를 이용한 다양한 응용 분야도 동시에 제시할 수 있게 되었다.

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Internet Mornitoring with Wind-Photovoltaic Power Hybrid System (풍력-태양광 복합발전 시스템의 인터넷 모니터링)

  • Yang, Si-Chang;Moon, Chae-Joo;Chang, Young-Hak;Lim, Jung-Min;Kim, Eui-Sun
    • Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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    • 2005.11a
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    • pp.305-308
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    • 2005
  • 풍력 및 태양에너지는 기존의 화력, 수력, 원자력 발전 등을 대신할 친환경적이고 공해가 없으며 양적으로도 무한한 대체 에너지원이다. 계절적인 기상변화 특성을 이용하여 풍력 발전 시스템과 태양광발전 시스템을 상호 보완시킴으로써 안정적인 전력 공급과 에너지이용 효율의 향상을 꾀할 수 있는 풍력-태양광 복합발전 시스템에 대한 관심이 고조되고 있다. 본 연구에서는 이러한 복합 발전 시스템을 효율적이고 안정적으로 운용하기 위하여 시스템의 각종 데이터들을 수집, 분석하고 파일로 저장하며 이를 인터넷을 이용하여 원격에서도 모니터링 할 수 있는 시스템을 구축한다. 여러 가지 교류와 직류의 전압, 전류들을 비롯한 풍속, 조도, 온도 등의 물리량을 측정하기 위하여 여러 형태의 변환기를 사용하였고 신호 조절 회로를 구성하였다. 데이터 수집 보드(DAQ)를 이용하여 컴퓨터로 데이터들을 읽어 들였으며, 시스템 운용을 위한 서버 프로그램과 이를 원격지에서 실시간 모니터링 및 저장된 데이터들을 다운로드 할 수 있는 클라이언트 프로그램을 작성하였다. 측정된 데이터를 시간, 기상 등의 여러 조건과 연관하여 분석하였다.

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Current-Voltage and Conductance Characteristics of Silicon-based Quantum Electron Device (실리콘 양자전자소자의 전류-전압 및 컨덕턴스 특성)

  • Seo, Yong-Jin
    • Journal of IKEEE
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    • v.23 no.3
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    • pp.811-816
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    • 2019
  • The silicon-adsorbed oxygen(Si-O) superlattice grown by ultra high vacuum-chemical vapor deposition(UHV-CVD) was introduced as an epitaxial barrier for silicon quantum electron devices. The current-voltage (I-V) measurement results show the stable and good insulating behavior with high breakdown voltage. It is apparent that the Si-O superlattice can serve as an epitaxially grown insulating layer as possible replacement of silicon-on-insulator(SOI). This thick barrier may be useful as an epitaxial insulating gate for field effect transistors(FETs). The rationale is that it should be possible to fabricate a FET on top of another FET, moving one step closer to the ultimate goal of future silicon-based three-dimensional integrated circuit(3DIC).