• 한국재료학회지
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• 제13권1호
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• pp.1-5
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• 2003

Uniform polycrystalline $CoSi_2$layers have been grown in situ on a polycrystalline Si substrate at temperature near $625^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, Co(η$^{5}$ -C$_{5}$ H$_{5}$ )(CO)$_2$. The growth behavior and thermal stability of $CoSi_2$layer grown on polycrystalline Si substrates were investigated. The plate-like CoSi$_2$was initially formed with either (111), (220) or (311) interface on polycrystalline Si substrate. As deposition time was increasing, a uniform epitaxial $CoSi_2$layer was grown from the discrete $CoSi_2$plate, where the orientation of the$ CoSi_2$layer is same as the orientation of polycrystalline Si grain. The interface between $CoSi_2$layer and polycrystalline Si substrate was always (111) coherent. The growth of the uniform $CoSi_2$layer had a parabolic relationship with the deposition time. Therefore we confirmed that the growth of $CoSi_2$layer was controlled by diffusion of cobalt. The thermal stability of $CoSi_2$layer on small grain-sized polycrystalline Si substrate has been investigated using sheet resistance measurement at temperature from $600^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The $CoSi_2$layer was degraded at $900^{\circ}C$. Inserting a TiN interlayer between polycrystalline Si and $_CoSi2$layers improved the thermal stability of $CoSi_2$layer up to $900^{\circ}C$ due to the suppression of the Co diffusion.

• 센서학회지
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• 제10권5호
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• pp.292-303
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• 2001

본 연구에서는 수평형 전계 방출 소자를 제작하고 그 특성을 측정하였다. 이를 진공자장 센서에 이용하기 위하여 Lorentz 원리를 응용하여 센서를 설계하고 제작하였다. $POCl_3(10^{20}cm^{-3})$ 도핑된 다결정 실리콘을 전계 방출 소자의 음극 및 양극 재료로 이용하였으며 그 두께는 각각 $2\;{\mu}m$였다. PSG(두께 $2\;{\mu}m$)를 희생층으로 사용하여 최종 단계에서 불산을 이용하여 제거하고 승화건조법을 이용하여 소자의 기판 점착 현상을 방지하였다. 제작된 소자를 유리기판 #1 위에 silver paste로 고정시키고 Cr 전극 패드와 와이어본딩 한 뒤 진공내에서 양극접합공정을 이용하여 소자를 $1.0{\times}10^{-6}\;Torr$에서 진공 실장하였다. 실장 후 게터를 활성화하여 내부진공도를 향상시켰다. 이렇게 패키징된 소자는 두달여 기간 동안 특별한 특성저하 없이 잘 동작되었으며 그 이상의 기간에 대해서는 확인하지 못하였다. 패키징된 자장 센서는 패키징하기 전 진공챔버 내에서 보인 특성치와 별다른 차이 없이 잘 동작되었으며 단지 약간의 전류 감소 현상만이 관찰되었다. 측정된 센서의 감도는 약 3%/T로서 작은 값이었으나 그 가능성을 확인할 수는 있었다.