Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.05a
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pp.58.1-58.1
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2009
나노 임프린트 리소그래피 기술은 기존의 노광 장비를 이용하는 기존의 리소그래피 공정에 비해 저렴한 공정으로 대면적 패터닝이 가능한 차세대 리소그래피 기술이다. 나노 임프린트 리소그래피는 기존의 나노 리소그래피 기술과는 다르게 기능성 무기물 물질을 직접 패터닝 할 수 있는 기술이다. 본 연구에서는 $TiO_2$ 나노 패턴을 를 기존의 증착, 리소그래피, 식각 등의 공정을 거치지 않고, sol-gel법과 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 직접 전사하는 기술에 대해 연구 하였다. 본 연구에서는 Tetrabutylorthotitanate를 precusor로 하는 ethanol 기반의 $TiO_2$ sol을 제작하여 이용하였다. PDMS mold를 임프린팅용 몰드로 사용하였으며, 이러한 PDMS mold는 노광 기술과 반응성 이온 식각을 이용하여 제작된 master mold로 부터 복제되었다. 제작된 sol을 Si wafer에 spin coating하여 넓게 도포한 후, wafer위에 PDMS mold를 밀착 시킨다. 이후, 5 bar의 압력과 $200^{\circ}C$의 온도에서 나노 임프린트 리소그래피 공정을 진행하여 $TiO_2$ gel 패턴을 형성한다. gel 상태의 $TiO_2$ 패턴을 anealing 공정을 통해 다결정질 TiO2 나노 패턴으로 제작하였다. 제작된 패턴을 scanning electron microscope(SEM)를 이용하여 확인하고, XRD 및 EDX를 이용하여 분석하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.321-323
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2012
유기 발광 다이오우드는(OLEDs) 자체 발광 소자로써 높은 시야각, 높은 효율, 그리고 빠른 응답속도 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 및 조명 소자로서 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 유기 발광 다이오우드는 차세대 반도체 조명 소자로서 조명의 패러다임을 바꿀 수 있는 기술로 인식되고 있다. 하지만, 유기 발광 다이오우드 조명의 상용화를 위해서는 가격 경쟁력을 갖추는 것이 시급하며, 이를 위해 저가 공정 개발이 필요하다. 본 연구에서는 유기발광 다이오우드 조명 제작에 필수적인 전면 전극 및 절연막 증착 공정을 기존의 노광 공정이 아닌 shadow mask 기술을 적용하여 형성하였다. 먼저 유리 기판 상에 150 nm 두께의 ITO 막을 shadow mask를 이용하여 증착하였다. 기존 공정에서는 노광 및 식각 공정을 이용하여 증착하는 것이 일반적이며, 광학적, 전기적 특성 또한 타 공정 방법에 비해 우수하다. 하지만 일련의 복잡한 공정으로 인해 제조 원가를 상승 시키는 단점이 있다. Fig. 1은 shadow mask를 이용하여 ITO를 증착을 수행한 공정의 모식도이다. ITO 박막 증착 후 표면 거칠기 제어 및 면저항 제어를 위해 O2 plasma 처리와 RTA 공정을 추가 수행하였다. Fig. 2(a)는 플라즈마 처리 및 열처리 공정 수행 후에 측정한 표면 AFM 사진이다. 열처리 및 플라즈마 처리 후에 ITO 박막의 표면 거칠기는 10배 이상 향상되었으며, 이는 유기 발광 다이오우드 조명 소자의 전면 투명 전극으로 사용되기에 적합한 값이다. 또한 전기적 특성 중 하나인 면저항 값은 열처리 및 플라즈마 처리 전/후의 값에서 많은 차이를 보인다. 표면 거칠기가 향상됨에 따라 면저항 값 역시 향상되는 결과를 보여주는데, 표면 처리전후의 면저항 값은 각각 28.17, 13.18 ${\Omega}/{\Box}$이다. 일반적으로 유기 발광 다이오우드의 전면 투명 전극으로 사용되기 위해서는 15 ${\Omega}/{\Box}$이하의 면저항 값이 필요한데, 표면 처리 후의 면저항값들은 이로한 조건을 만족한다. Fig. 3은 shadow mask 기술을 이용하여 절연막까지 형성한 유기 발광 다이오우드 소자의 전자 현미경 사진으로, 기존의 공정을 이용한 경우와 큰 차이는 없으며, 다만 shadow tail이 약 $30{\mu}m$ 정도 발생함을 확인할 수 있다. 절연막의 특성 평가 기준인 누설 전류 밀도는 $10-5A/cm^2$으로 기존의 공정을 이용한 경우에 비해 95% 수준으로서 shadow mask를 이용한 공정이 기존의 노광 및 식각 공정을 이용한 경우에 비해 공정 수는 9개가 단축됨에도 불구하고, 각 증착 박막의 특성에는 큰 차이가 없음을 알 수 있다.
$Sr_{0.9}Bi_{2.1}Ta_2O_9$thin films were deposited on $IrO_2$ electrode by spin coating method using photosensitive sol-gel solution. To ensure the UV-exposure effect on SBT thin films, UV irradiated films and non-UV irradiated films were analyzed by XRD, SEM. As a result, UV-irradiation on SBT thin films promoted grain growth of SBT compared with no UV irradiation. In case of the UV irradiated films annealed at$740{\circ}C$for 1 h in an oxygen ambient, the 2Pr value and Pr/Ps at${pm}5$V were$11.48{mu}C/cm^2$and 0.53, respectively. 2Pr values of the UV irradiated SBT thin films at$660-740{circ}C were approximately 12% higher than those of non-UV irradiated thin films.
Kim, Jong-Su;Shin, Bong-Cheol;Cho, Yong-Kyu;Cho, Myeong-Woo;Lee, Soo-Jin
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.12
no.2
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pp.829-834
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2011
Exposure process is the most important technology to fabricate highly integrated circuit. Up to now, mask type lithography process has been generally used. However, it is not efficient for small quantity and/or frequently changing products. Therefore, maskless lithography technology is raised in exposure process. In this study, relations between multi-beam energy and overlay were analyzed. Exposure experiment of generating pattern was performed. It was from presented scan line by multi- beam simulation. As a result, optimal scan line distance was proposed by simulation, and micro pattern accuracy could be improved by exposure experiment using laser direct imaging system.
본 연구에서는 3차원 회전체 구조물을 제조하기 위해 회전노광장치를 설계하여 제작하고 마이크로렌즈 제작용 X-선 마스크와 PMMA 기판을 정밀하게 회전시켜 노광함으로써 3차원의 마이크로렌즈를 제작하였다. 제작된 마이크로렌즈의 크기는 직경이 $50{\sim}700{\mu}m$이었고, 또한 이러한 방법으로 원통형 렌즈, 계란형 렌즈 등을 제작함으로써 X-선 사진식각공정으로 정밀도가 높은 다양한 3차원의 회전체 구조물을 제조하는 방법을 제시하였다.
O, Jae-Yeol;Jo, Yeong-Rae;Kim, Hui-Su;Jeong, Hyo-Su
Korean Journal of Materials Research
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v.8
no.9
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pp.871-875
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1998
High aspect ratio microstructures were fabricated by photolithography. The material for the microstructure was photosensitive glass which has good mechanical and electrical insulation properties. The photosensitive glass was exposed to ultraviolet light at 312nm through a chromium mask in which the structures are drawn. After heat treatment process over $500^{\circ}C$, the photosensitive glass was etched in a 10% hydrofluoric acid solution with ultrasonic conditions. Final dimension of the micro-framework was greatly dependent on the thickness of photosensitive glass, mask pattern, ultraviolet light exposure and etching conditions. The maximum aspect ratio of the micro-framework obtained from this work was over 30.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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