• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.19 no.1
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• pp.9-14
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• 2005

Mode missing of Fabry-Perot laser diodes has been modeled using the time domain laser model(TDLM). Fabry-Perot laser diodes that have structure of ripple in the waveguide of active layer or defects inside the active layer were simulated. For accurate simulation, the nonlinear effects were included such as spatial hole burning(SHB) and gain saturation. From the simulation results, it was founded that the defect inside the active layer in laser diodes has a strong influence on mode missing rather than the waveguide ripple. The simulation results are confirmed with the fabricated Fabry-Perot laser diodes by measuring the longitudinal mode spectra as a function of temperature from $25[^{\circ}C]\;to\;85[^{\circ}C]$.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2001.06a
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• pp.211-216
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• 2001

The components with the circular cross section have the symmetric combination parts for rotating balance and the crack emanates from the symmetric combination parts. The symmetric cracks from symmetric combination parts make a decrease in the component fatigue life more than single crack. In this study, to estimate the behavior of symmetric cracks, the fatigue test was performed using rotary bending tester on the specimen with a symmetric defects in circular cross section. The material used in this study is Ni-Cr-Mo steel alloy. Under the same stress, the result from the rotary bending fatigue test turned out that the symmetric cracks made a decrease in the fatigue life by 35% more than single crack and the relation between log a and cycle ratio $N/N_f$ obtained linearly.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.227-227
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• 2010

기존 실리콘 박막 태양 전지는 적외선에 대한 감응도와 흡수도가 낮아서 광흡수율을 증가시킬 경우 효율의 효과적인 개선이 기대되어진다. 이를 개선하기 위해서 밴드갭이 Si에 비해 상대적으로 낮은 Ge을 도입함으로써 Si와 Ge 화합물을 형성할 경우 결정상태와 수소 함유량에 따라 밴드갭 조절이 가능하다. 또한 Ge는 Si에 비해 빛에 대한 감응도가 우수하여 광흡수율을 증가시킬수 있다. 단 SiGe 박막의 Ge 량이 일정량이상 많아질 경우 박막 내 결함 등의 생성으로 광변환 효율이 오히려 감소하므로 Ge 량의 적정화가 필요하다. 본 실험에 사용된 SiGe:H Layer는 $SiH_4$ 가스와 $GeH_4$ 가스를 혼합하여 증착하였고 증착두께는 150nm로 고정하였으며 증착장비는 PECVD를 이용하였다. 파워는 플라즈마의 방전특성을 알아본 후 최소파워를 이용하여 증착하였다. 이는 증착 시 플라즈마에 의한 박막 손상을 최소화하기 위함이다. Ellipsometry를 이용하여 박막의 두께와 optical bandgap을 측정하였다. 박막의 특성을 평가하기 위해서 STA 장비를 이용하여 dark conductivity, photo conductivity, activation energy 등을 측정하였고, MDC를 이용해 C-V 곡선을 측정하였고, 이를 terman method를 이용하여 $D_{it}$를 계산하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.118-118
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• 2010

유리 기판 상에 system on panel (SOP) 구현을 위한 비휘발성 메모리 (NVM)를 제작하였다. 기존에 사용되던 charge storage layer인 SiNx 대신에 a-Si를 사용하여 전하 저장량 증가 및 전하유지 특성 향상시켰다. 그 결과 bandgap이 작아 band edge 저장 가능하였으며, SiNx 와 마찬가지로 a-Si 내 트랩에 저장되었다. $SiO_2$/a-Si와 a-Si/SiON 계면의 결함 사이트에 전하 저장되었으며, 또한 bandgap이 작아 트랩 또는 band edge에 위치한 전하들이 높은 bandgap을 가지는 blocking 또는 tunneling layer를 통하여 빠져 나오기 어려웠다. ONOn 구조의 두께와 동일한 OSOn 박막을 사용한 구조에서는 전하 저장 특성은 뛰어나나 기억유지 특성이 나빴다. 이에 대한 향상 방안으로는 Tunneling 박막의 두께를 증가시키는 것과 OSOSOn 적층 구조 소자를 만드는 방법이 있다. Tunneling 박막의 두께를 증가시킨 소자는 기억유지 특성 향상되는 특성을 보였으며 OSOSOn 적층 구조 소자는 전하저장 및 기억유지 특성 향상을 보였다. 특히, OSOSOn 구조의 경우 2개의 터널링 barrier를 사용함으로써 전하 저장 사이트의 증가에 기여하며, 기억 유지 특성도 좋아졌다. 본 연구에서 소자는 NVM이 아닌 MIS 구조로만 제작되었다.

• Tunnel and Underground Space
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• v.14 no.1
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• pp.35-42
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• 2004

Impact-echo is a method for non-destructive testing of concrete structure. This method is based on the use of impact-generated stress wave which is propagated and reflected from internal flaws within concrete structure and external surface. In this study, we performed non-destructive testing using impact-echo methods for safety diagnosis of civil engineering and building structures. There are testing cases for the three models having one-dimensional form ; The first case is the measurement of thickness change of the model, the second is the detection of cavity in the model, and the third is the predictions of the lining thickness and the position of the cavity under tunnel lining condition.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.165-165
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• 2011

기존 실리콘 박막 태양 전지는 적외선에 대한 감응도와 흡수도가 낮아서 광흡수율을 증가시킬 경우 효율의 효과적인 개선이 기대되어진다. 이를 개선하기 위해서 밴드갭이 Si에 비해 상대적으로 낮은 Ge을 도입함으로써 Si와 Ge 화합물을 형성할 경우 결정상태와 수소 함유량에 따라 밴드갭 조절이 가능하다. 또한 Ge는 Si에 비해 빛에 대한 감응도가 우수하여 광흡수율을 증가시킬수 있다. 단 SiGe 박막의 Ge 량이 일정량이상 많아질 경우 박막 내 결함 등의 생성으로 광변환 효율이 오히려 감소하므로 Ge 량의 적정화가 필요하다. 본 실험에 사용된 SiGe:H Layer는 SiH4 가스와 GeH4 가스를 혼합하여 증착하였고 증착장비는 PECVD를 이용하였다. GeH4/SiH4+GeH4 가스는 각각 0, 0.03, 0.1, 0.5, 1의 비율로 증착하였으며, 파워는 플라즈마의 방전특성을 알아본 후 최소파워를 이용하여 증착하였다. 이는 증착 시 플라즈마에 의한 박막 손상을 최소화하기 위함이다. Ellipsometry를 이용하여 박막의 두께와 optical bandgap을 측정하였고, FTIR, Raman scattering 등을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.339-339
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• 2011

기존의 광학리소그래피방법으로는 나노크기의 패턴을 형성하는데에 있어서 많은 제약이 있으며, 사실상 수십나노크기의 패턴을 형성하는데에는 전자빔리소그래피등 새로운 패턴형성 방법이 요구되고 있다. 블록 공중합체를 이용한 나노 패턴은 서로 다른 화학적 구조를 가지는 고분자들이 공유결합으로 연결되어 있는 분자구조를 이용하여, 하나의 분자 내에 서로 다른 블록들이 상분리를 일으키려는 것과 동시에 이들의 공유결합으로 인해 그 정도가 제한되는 것을 이용하여 라멜라, 실린더, 구 등의 주기적으로 배열된 형태의 구조물을 형성하는 패터닝 기술이다. 블록 공중합체를 이용한 나노크기의 패턴 형성은 열역학적으로 안정적인 구조이며, 대면적으로 구현 할 수 있어서 차세대 소자제작을 위한 제작기술로 많은 관심을 가지고 있다. 하지만 블록공중합체를 이용한 나노패턴 기술은 선행적으로 나노구조체를 결함이 없고, 원하는 형태로 제작 할 수 있는 공정의 확립이 필요하다. 따라서 본 연구에서는, 이러한 블록 공중합체을 이용한 나노패턴을 제조하는 공정에서, 폴리스틸렌과 실리콘 산화물 박막과의 표면반응을 막기 위한 Self-Assembly Monolayers (SAMs) 처리 공정이 패턴 형성에 미치는 영향을 알아보기 위하여 MPTS의 농도 및 처리시간을 변화시켰다. 나노패턴을 분석, 확인하기 위하여 Atomic Force Microscopic (AFM)과 Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM)을 이용하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.103.2-103.2
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• 2018

(주)PMPT사는 국내 뿌리산업 분야의 Zn-Ni자동차부품 도금업체로서 남동공단에 위치하고 있다. 하지만 자동차품질 향상에 기본이 되는 도금 기술자료가 부족하여 연구개발에 많은 어려움을 겪고 있다. 또한 미래자동차용 용접부품의 도금 품질향상을 위한 최신 기술정보제공이 필요한 실정이다. 이에 다년간 이론과 경험을 겸비한 도금전문가의 활용이 필요한 실정이다. '아직도 녹슨 자동차를 탈 것인가?' 지난 2003년부터 10년간 '녹슬지 않는 자동차', '녹과의 전쟁'을 목표로 자동차부픔의 품질기술지도가 실시되었다. PMPT사도 이에 동참하여 자체의 경험과 기술로써 용접부 품질을 개선하여 왔다. 하지만 경험에 의존해 왔던 PMPT사 자체의 도금기술로써는 유렵의 BMW사나 Toyota사의 Zn, Zn-Ni 합금도금에 대한 기술변화와 수출경쟁에 대처하기가 어려운 실정이다. 특히 용접부는 자동차 사고의 치명적 결함이다. 이에 도금전문가를 활용하여 해외의 선진도금 기술정보제공과 함께 미래의 자동차부품 품질향상을 위한 기술지원을 실시하였다. 세부적인 기술지원 내용으로서는 Zn, Zn-Ni합금도금제품 용접부품에 6가 Cr을 사용하지 않는 친환경 Chromate Free, Zn-Ni합금도금 용접부 내식성 향상을 위한 Ni의 최적함량과 메커니즘을 지원하였다. 필자가 도금현장에서 근무하면서 터득한 까다롭고 어려워하는 도금기술과 최신의 해외 Chromate Free표면처리 기술을 제공함으로써 수출향상과 품질기술력 향상에 이바지 하고자 하였다.

• Design & Manufacturing
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• v.12 no.1
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• pp.1-6
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• 2018

In this study, we calculated the redistribution of vacancy concentration in metal specimens induced by stress-induced diffusion at a high temperature. To deduce the governing equation, we associated the unit volume change equation of strains with a differential equation of vacancy concentration as a function of stress using the stress-strain relationship. In this governing equation, we considered stress as the only chemical potential parameter to stay in the scope of this study, which provided the vacancy concentration equation as of stress gradient in metals. The equation was then mathematically delineated to derive a analytical solution for a transient, one-dimensional diffusion case. With the help of Korhonen's approximation and the boundary conditions, we successfully deduced a general solution from the governing equation. To visualize the feasibility of our solutions, we applied the solution to two different stress-induced cases - a rod with fixed concentrated stresses at both ends and a rod with varying concentrated stresses at both ends. Although it is necessary to legitimatized the model in the future for improvement, our results showed that the model can be used to interpret the location of structural defects, the formation of vacancy, and furthermore the high temperature behavior of metals.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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• v.34 no.1
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• pp.150-155
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• 2007

Mucopolysaccharidosis (MPS) is a disorder of storage in which there is excessive accumulation of glycosaminoglycans (GAGs) from lysosomal enzyme defect. Lysosomal accumulation of GAGs eventually results in cell, tissue and organ dysfunction. This patient may manifest mental retardation and physical disorders. This clinical report presents a girl with MPS having severe gingival hyperplasia. Gingivectomy was performed under general anesthesia. The pediatric dentist must be aware of oral manifestations present in the MPS. The approach to dental management will require teamwork between the dentist and the patient's physician.