• Title/Summary/Keyword: 내결함

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Design and Performance of Mobile Agent based Fault-Tolerance Scheme for Mobile Computing Environment (이동 컴퓨팅 환경에 적합한 에이전트 기반 결함 내성 기법 설계 및 성능평가)

  • Youn, Jae-Hwan;Kim, Dong-Ryung;Park, Tae-Soon
    • Annual Conference of KIPS
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    • 2005.05a
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    • pp.1701-1704
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    • 2005
  • 이동 컴퓨팅 시스템의 결함 내성을 지원하기 위해 다양한 검사점 조정 기법과 메시지 로깅 기법들이 제시되어졌다. 그러나 이동 호스트의 이동성 때문에 이러한 기법들은 복잡하고 비효율적이 될 수 있다. 본 논문에서는 이동 에이전트 기반의 결함 내성 기법을 제안한다. 제안된 기법에서는 이동 호스트가 자신의 복구 정보를 일정한 거리 내에 두기위해 두 개의 이동 에이전트들과 고정 에이전트를 사용하며, 에이전트에 의한 복구 정보의 이동이 이동 호스트의 이동과 비동기적으로 이루어지므로, 이동 호스트의 핸드오프를 지연시키지 않는다.

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Micro-damage Process in Granite Under the State of Water-saturated Triaxial Compression (수침삼축압축하에서 관찰되는 화강암의 미세 파괴)

  • Yong Seok Seo;Gyo Cheol Jeong
    • The Journal of Engineering Geology
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    • v.9 no.3
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    • pp.243-251
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    • 1999
  • Granitic rock, by its nature, contains numerous micro-discontinuities including grain boundary, microcracks, microcavities and mineral cleavages. The brittle fracture of rock is a progressive procedure in which the failure occurs with prior microcracking. In this paper, initiation, propagation and interaction of microcracks are considered to be the dominant, controlling micromechanisms of macroscopic failure. The authors show a few patterns of microcrack initiation and propagation by using sequential photographs of water-saturated granite taken under triaxial compressive state. The failure process was observed directly and continuously by a newly developed triaxial compressive test system.

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Weldabilities of 7000 Aluminium Alloys (I) (7000계열을 중심으로 한 알루미늄 합금의 용접 특성 (I))

  • 박성탁;정재필;서창제
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.12 no.1
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    • pp.38-43
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    • 1994
  • 고강도 알루미늄합금은 중량이 가벼우면서 인장강도와 항복강도가 높고 가공성, 성형성이 좋아 항공기, 자동차, 선박 등 수송용 재료로 각광을 받고 있으며, 이 중 Al-Zn-Mg계(7000계) 알루미늄 합금은 용접 구조물용 경량소재로 활용범위가 높다. Al-Zn-Mg계 알루미늄 합금은 고온에서 용체화 처리후 저온으로 급냉시킨 재료를 자연시효 또는 인공시효처리를 하여 이 때 석출되는 시효 석출물에 의해 강도를 증가시킨 석출 경화형 합금이다. 그런데, 7000계열 알루미늄합금은 적절한 열처리 작업을 통해 최적의 기계적 성질이 얻어지도록 합금설계가 되어있기 때문에 구조물 제작시 용접에 의한 ARC 열을 받게 되면 열이력(thermal cycle)에 의해 모재의 미세조직이 변화하고 용접 결함이 발생하며 강도의 약화와 함께 내식성 등이 저하한다. 따라서 고강도 알루미늄합금의 용접성을 향상시키기 위해서는 용접부의 미세조직거동과 용접부에 발생하는 용접결함의 현상을 조사하여 용접용 고강도 합금에 필수적으로 요구되는 용접성에 대한 검토가 충분히 이루어져야 한다. 따라서 본 고에서는 알루미늄합금, 특히 7000계열 알루미늄합금에 주목하여, 용접방법, 각종 결함과 대책, 용접부의 시효경화와 응력부식균열 및 기계적 성질 등을 지금까지 보고된 각종 자료를 기초로 하여 3회에 걸쳐 기술하고자 한다.

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Experiments for Pepset Mold Ductile Iron GCD300 Castings(1): A Benchmark Study

  • Yu, Sung-Kon
    • Journal of Korea Foundry Society
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    • v.19 no.6
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    • pp.451-455
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    • 1999
  • 펩셀주형을 사용하여 한 주형내에 두께가 20, 26, 32 및 38 mm인 4 종류의 T 형 시편을 배치시킨 후 구상흑연주철을 제조하였으며 이로부터 구상흑연립의 수, 페라이트의 함량, 브린넬경도 및 내부결함의 발생위치를 측정하였다. 시편의 상부를 절단한 후 8 위치에서 경도를 측정하였으며 역시 같은 위치에서 구상흑연립의 수 및 페라이트함량을 측정하였다. 압탕의 경우 응고후 급탕효과를 관찰하기위하여 X-선찰영을 하였는 바 시편의 두께가 20 mm에서 38 mm로 갈수록 압탕으로부터의 급탕이 원활하게 이루어졌음을 알 수 있었다. 또한 시편내부의 응고수축결함의 발생을 관찰하기 위하여 절단한 결과 20 및 26 mm의 두께에는 응고수축결함이 T 형시편의 연결부에 발생한 반면 32 및 38 mm에는 발생되지 않았다. 위에서 얻어진 실험적인 데이터는 구상흑연주철의 모델링을 검증하는 벤치마크의 연구로 유용하게 사용될 것이다.

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Study on the Spatter in Stainless Steel Welding (스테인레스강 용접의 스팻터에 관한 연구)

  • 이성근;서성필
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.2 no.2
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    • pp.13-21
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    • 1984
  • Chemical tanker의 Crago tank는 화학제품에 대한 내식성, 내산성 등이 요구되는 재료로서 스테인레스강이나, 스테인레스 클래드강이 주로 사용되고 있다. 이러한 스테인레스강을 사용한다 하더라도 사용시 국부적인 결함 및 부식의 문제점이 발생되고 있다. 특히 스테인레스 클래드강을 사용했을 경우 부식 및 기타 요인에 의해 결함이 발생했을 때, 클래드재(앞대기재)의 두께가 약 2.5mm 정도에 불과하므로 보수작업이 어려우며, 보수작업에 의한 산화피막의 파괴는 부식을 촉진시킨다. 이들 결함 및 부식 발생의 여러요인 중 특히 용접 시공상의 문제점이 가장 크게 영향을 미친다. 또한 용접 시공상의 문제점 중 스팻터를 제거하기 위해서는 많은 공수가 소모될 뿐 아니라 품질면에서도 나쁜 영향을 주고 있다. 본 고에서는 스팻터 생성기구의 검토와 스팻터가 모제에 미치는 영향을 다루고자 한다. 또한 용접조건 및 용접재료의 변화에 의한 스팻터 생성량 변화, 입도에 따른 비행거리 등을 검토하는데 목적을 두었다.

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Design and Implementation of P2P based Grid Information System (P2P 기반 그리드 정보 서비스 모델의 설계 및 구현)

  • 강윤희;강경우;김도현;조광문;궁상환
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2003.06a
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    • pp.161-164
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    • 2003
  • 현재의 MDS 시스템은 제한적인 캐슁에 따른 불필요한 그리드 정보서비스 서버 접근, 다양한 응용 사용자를 위한 최적의 자원 정보 발견의 어려움 및 DIT 내의 노드 결합 또는 네트워크 단절에 따른 서비스 중단의 문제점 등을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 그리드 컴퓨팅을 위한 미들웨어인 Globus의 정보 서비스 시스템인 MDS의 확장을 기술한다. 제안된 확장 시스템은 자원 접근 및 발견을 위해 P2P 기반의 결함 포용을 갖는 강건하고 적응형 정보 서비스를 제공하기 위한 모텔 설계를 수행한다. 특히, 그리드 정보서비스는 단일 기점 결함(Single-point failure) 및 중복으로 등록된 자원에 대한 추가적인 트래픽을 발생시킨다. 본 연구에서는 기존의 MDS에 강건성을 갖고 네트워크 트랙픽 감소를 위해 P2P를 기반으로 확장된 그리드 정보서비스 아키텍츄어 설계를 제안하며 이를 위한 결함 검출 시스템을 Apples를 기반으로 구성하였다.

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Defect Formatìon and Annealìng Behavìor in MeV Si Self-Implanted Silicon (MeV Si 자기 이온주입된 단결정 Silicon내의 결함 거동)

  • Cho, Nam-Hoon;Jang, Ki-Wan;Suh, Kyung-Soo;Lee, Jeoung-Yong;Ro, Jae-Sang
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.7
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    • pp.733-741
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    • 1996
  • In this study MeV Si self ion implantations were done to reveal the intrinsic behavior of defect formation by excluding the possibility of chemical interactions between substrate atoms and dopant ones. Self implantations were conducted using Tandem Accelerator with energy ranges from 1 to 3 MeV. Defect formation by high energy ion implantation has a significant characteristics in that the lattice damage is concentrated near Rp and isolated from the surface. In order to investigate the energy dependence on defect formation, implantation energies were varied from 1 to 3 MeV under a constant dose of $1{\times}10^{15}/cm^2$. RBS channe!ed spectra showed that the depth at which as-implanted damaged layer formed increases as energy increases and that near surface region maintains better crystallinity as energy increases. Cross sectional TEM results agree well with RBS ones. In a TEM image as-implanted damaged layer appears as a dark band, where secondary defects are formed upon annealing. In the case of 2 MeV $Si^+$ self implantation a critical dose for the secondary defect formation was found to be between $3{\times}10^{14}/cm^24$ and $5{\times}10^{14}/cm^2$. Upon annealing the upper layer of the dark band was removed while the bottom part of the dark band did not move. The observed defect behavior by TEM was interpreted by Monte Carlo computer simulations using TRIM-code. SIMS analyses indicated that the secondary defect formed after annealing gettered oxygen impurities existed in silicon.

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