• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.206-206
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• 2010

1차원 나노 소재 중 ZnO 나노선은 우수한 전기적, 광학적 특성으로 최근 센서, 디스플레이등 다양한 정보전자 소자에 활용 가능성이 높아지고 있다. 현재 보고된 ZnO 나노선 소자는 주로 단일선이나 랜덤 네트워크 형태로 제작되어 소자의 공정성, 재현성 및 균일성 확보가 매우 중요한 이슈가 된다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 성장한 ZnO 나노선을 슬라이딩 트랜스퍼 공정을 통하여 원하는 기판에 정렬된 형태로 전이하여 전계방출소자 (field effect transistor) 어레이를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 또한, p-형으로 도핑된 Si 기판을 패터닝하여 정렬된 ZnO 나노선과 pn-정션 소자를 제작하여 정류특성과 electroluminescence 특성을 분석, 설명하였다.

• Polymer Science and Technology
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• v.21 no.2
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• pp.175-180
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• 2010

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2005.11a
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• pp.87.2-87.2
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• 2005

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2012.10a
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• pp.135-136
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• 2012

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2006.10a
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• pp.425-426
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• 2006

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2009.06a
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• pp.895-896
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• 2009

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2009.06a
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• pp.337-338
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• 2009

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2008.06a
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• pp.577-578
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• 2008

• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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• 2005.06a
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• pp.66-69
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• 2005

• Polymer Science and Technology
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• v.23 no.6
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• pp.629-635
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• 2012