• 한국통신학회논문지
• /
• 제29권4A호
• /
• pp.466-471
• /
• 2004

반도체 방식의 용량형 지문인식센서의 신호처리를 위한 개선된 회로를 설계하였다. 최 상위 센서플레이트가 지문의 굴곡을 감지한 용량의 변화를 전압의 신호로 전환하기 위해서 전하분할 방식의 회로를 적용하였다. 지문센서 감도저하의 가장 큰 원인인 센서플레이트에 존재하는 기생용량을 최소화하고 융선(ridge)과 계곡(valley) 사이의 전압차를 향상시키기 위하여 기존과는 다른 아날로그버퍼회로를 설계하였다. 센서전압과 기준전압 신호를 비교하기 위해서 비교기를 설계하였다. 제안된 신호처리회로는 0.3$\mu\textrm{m}$ 표준 CMOS 공정으로 레이아웃을 실시하였다.

• 전자통신동향분석
• /
• 제17권4호통권76호
• /
• pp.135-144
• /
• 2002

통신에 장애를 일으키는 주요한 요인으로서 전자기 현상의 가장 기초적인 원리인 인근 전력선에 의한 유도전압 발생 문제가 있다. 이것은 주로 강전류전선에 의한 영향으로서 전기의 송배전 지역 또는 전기철도 시설 등 고전압에 의한 통신 유도장애에 해당하는 문제이다. 이러한 강전류전선에 의한 유도장애에 대비하려면 발생되는 유도전압을 미리 예측하여 산출하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 전력유도전압 산출방법과 관련된 강제표준격인 현행 국가기술기준 고시에 대한 기술적 보완이 필요한 부분에 대하여 연구된 내용을 소개한다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권11호
• /
• pp.2487-2494
• /
• 2012

본 논문에서는 MPPT 제어 기능을 갖는 열에너지 하베스팅 회로를 설계하였다. MPPT(Maximum Power Point Tracking) 제어는 열전소자의 개방회로전압과 MPP 전압간의 관계를 이용하였으며 열전소자의 개방회로전압을 주기적으로 샘플링 함으로써 이를 이용해 MPPT 기준전압을 생성하여 이를 기준으로 부하로의 에너지 공급을 제어한다. 모의실험 결과 94%의 최대 전력 효율을 보였다. 제안된 열에너지 하베스팅 회로는 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계하였으며 설계된 칩 면적은 PAD를 제외하고 $1168.7{\mu}m{\times}541.3{\mu}m$이다.

• 천문학회보
• /
• 제37권2호
• /
• pp.184.1-184.1
• /
• 2012

위성은 위성의 상태제어를 위한 명령부와 해당 명령이 기능대로 수행된 것을 확인하기 위한 상태정보 획득부로 구성된다. 명령부는 위성의 버스 플랫폼에 따라서 다양한 구조 (전압, 전류, 펄스폭, 형태등)를 갖지만, 상태정보획득은 명령부에 비해서 공통적인 특성을 갖게 된다. 또한 명령부는 +17V 또는 +28V등의 고전압, 고전류의 요구조건이 필요하지만, 상태정보 획득은 아날로그용 (+15V or +12V)또는 디지털용 (+5V)로 전압과 전류조건이 명령부에 비해서 요구조건이 완화된다. 상태정보획득은 relay 상태를 획득하는 matrix 구조로된 TM matrix와 아날로그 전압 상태정보를 단일채널을 통해 획득하는 Analog 단일 채널부와 정밀한 아날로그 정보 획득을 위한 차등 Analog 채널부, 기준전압과의 비교를 통한 이진상태부와 정전류를 통한 Thermistor 상태정보 획득부로 구성이 된다. 본 논문에서는 $16{\times}8$ matrix로 구성된 TM matrix 획득부와 300채널의 단일채널 아날로그 전압 획득부, 64채널 차등 아날로그 전압획득부 및 64채널 이진상태 획득부와 16채널로 구성된 정전류 thermistor 아날로그 상태정보 획득부의 구현 방법 및 프로세서보드와의 접속을 위한 UART 접속구조등에 대한 내용과 보드 사이즈 제약사항등의 구현에 대한 개발에 대해서 평가하고자 한다.

• 한국가스학회지
• /
• 제20권4호
• /
• pp.50-57
• /
• 2016

도시가스사업법령에서는 매설된 강관에는 부식을 방지하기 위하여 전기방식 조치를 하도록 하고 있다. 미국 등 국외에서 방식전위기준은 방식전류가 흐르는 상태에서 포화황산동 기준전극으로 -850 mV(On potential) 이하로 하도록 하고 있으며, 이 경우 전압강하(IR-Drop)를 고려하도록 하고 있다. 그러나, 국내의 방식전위 기준은 포화황산동 기준전극으로 -850mV 이하로 하도록 규정하고 있을 뿐, 전압강하를 고려하도록 규정하고 있지 않다. 다만, KGS GC202에서 가스시설에 대한 전위측정은 가능한 한 가스시설과 가까운 위치에서 기준전극으로 실시하도록 하고 있다. 본 연구에서는 기준전극을 매설배관 주위, 지표면 및 지표면 하부 50cm에 각각 설치하여 방식전위를 측정하고, 측정위치에 따른 전위값을 비교하여 전압강하를 분석하였다. 전위 측정결과 기준전극을 매설배관 가까이에 위치하였을 때 IR-Drop이 가장 적고, 지표면에 기준전극을 위치할 때 IR-Drop 값이 가장 큼을 확인하였다. 따라서, 고체기준전극을 매설하는 경우에는 가능한 한 매설배관 가까이에 설치할 것을 제안하였다. 또한, 기존에 설치된 배관의 원격전위 측정을 위해서는 기존에 설치된 전위측정용터미널(T/B) 하부에 고체기준전극을 매설할 수 있도록 전기방식 기준전극 설치 기준 개정(안)을 제시하였다.

• 전기기술인
• /
• 제208권12호
• /
• pp.37-43
• /
• 1999

서지전압은 전산시스템과 같은 전자장비에 대표적인 장해원으로 급속하게 증가되고 있다. 통계자료에 의하면 서지 전압에 기인한 장비의 파손 방생률이 매3~4년마다 배가되고 있다.

• 전력전자학회논문지
• /
• 제6권2호
• /
• pp.173-179
• /
• 2001

본 논문은 배전계통의 전력품질 개선을 위한 순시 전압강하 보상기의 제어 알고리즘에 대한 연구를 수행하였다. 특별히 순시적인 전압강하의 원인중 가장 대표적인 1선 지락사고 시에 발생하는 불평형과 비대칭 문제를 해석하기 위하여 새로운 대칭성분 검출 기법을 제안하였다. 제안되 방법은 간단한 연산만을 사용하며, 전압보상을 위한 대칭성분의 제어 기준값이 별도의 위상검출 과정을 거치지 않고도 직류 값으로 표현되도록 하였다. 그리고 기준전압의 발생 시에 IEC에서 규정하고 있는 UF와 MF를 사용하도록 하였다. 제안된 제어기법을 사용하면 보상장치는 매우 빠른 응답특성을 가지고 보상된 전압 파형의 총고조파왜형률(THD)도 매우 낮게 된다. 마지막으로 EMTDC 시뮬레이션과 실험을 통하여 제안된 방법의 타당성을 입증하였다.

• 전력전자학회논문지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.101-110
• /
• 2002

본 논문에서는 3고조파를 주입한 정현파 PWM 인버터의 과변조 영역에서, 인버터 전압을 선형적으로 제어하기 위한 방법을 제시한다. 정현파 PWM에 3고조파를 삽입하면 단순한 정현파 PWM에 비해 선형영역을 확장할 수 있다. 그러나 이 경우에도 선형영역은 six-step 인버터에 비해 90% 정도까지가 된다. 따라서 PWM 인버터를 six-step 인버터의 출력에 이르기까지 선형적으로 제어하기 위해, PWM 인버터의 과변조 영역에서의 변조지수와 인버터 출력의 기본파 전압 크기와의 관계를 분석하여, 과변조 영역에서 기준전압을 보정해 줄 수 있는 방법을 제시하였다. 보정된 기준 전압을 명령 값으로 사용함으로써 반복 계산 없이 3고조파 주입형 정현파 PWM에서 출력전압을 six-steP에서의 전압에 이르기까지 선형적으로 제어할 수 있게 된다. 제안된 방법을 인버터-유도전동기 시스템에 대한 시뮬레이션을 통하여 확인하였고 실험으로 입증하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
• /
• pp.533-536
• /
• 2016

본 논문에서는 진동 에너지를 이용한 MPPT 제어기능을 갖는 에너지 하베스팅 회로를 설계하였다. Body-bias technique과 bulk-driven technique을 이용하여 저전압에서도 높은 효율특성을 갖는 고성능 AC-DC 변환기를 제안하고 진동에너지 하베스팅 회로 설계에 적용하였다. MPPT (Maximum Power Point Tracking) 제어는 진동소자의 개방회로전압과 MPP 전압간의 관계를 이용하였으며, 진동소자의 개방회로전압을 주기적으로 샘플링 함으로써 이를 이용해 MPPT 기준전압을 생성하고, 이를 기준으로 부하로의 에너지 공급을 제어한다. $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계된 회로의 칩 면적은 $1.21mm{\times}0.98mm$이다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제38권8호
• /
• pp.54-61
• /
• 2001

High-bandwidth DRAM을 위해 1Gb/s의 데이터 전송률까지 동작하고 그 출력 전압 스윙이 온도와 전원 전압(VDD) 변동에 무관한 CMOS open-drain 출력 구조 회로를 설계하였다. 출력 구동 회로는 여섯 개의 binary-weighted NMOS 트랜지스터로 구성되는데, 이 여섯 개 중에서 ON시킬 current control register의 내용은 추가 호로 없이 DRAM 칩에 존재하는 auto refresh 신호를 이용하여 새롭게 수정하였다. Auto refresh 시간 구간동안 current control register를 수정하는데, 이 시간 구간동안 부궤환 (negative feedback) 동작에 의해 low level 출력 전압($V_OL$)이 저전압 밴드갭 기준전압 발생기(bandgap reference voltage generator)에 의해서 만들어진 기준전압($V_{OL.ref}$)과도 같도록 유지된다. 테스트 칩은 1Gb/s의 데이터 전송률까지 성공적으로 동작하였다. 온도 $20^{\circ}C$~$90^{\circ}C$, 전원 전압 2.25V~2.75V영역에서 최악의 경우 제안된 출력 구동 회로의 $V_{OL.ref}$와 $V_OL$의 변동은 각각 2.5%와 725%로 측정된 반면, 기존의 출력 구동 회로의 $V_OL$의 변동은 같은 온도의 전원 접압의 영역에 대해 24%로 측정되었다.