• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.27 no.4
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• pp.77-81
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• 2020

Resistive RAM (ReRAM) is a strong candidate for the next-generation nonvolatile memories which use the resistive switching characteristic of transition metal oxides. The resistive switching behaviors originate from the redistribution of oxygen vacancies inside of the oxide film by applied programming voltage. Therefore, controlling the oxygen vacancy inside transition metal oxide film is most important to obtain and control the resistive switching characteristic. In this study, we introduced an applying electric field into photochemical metal-organic deposition (PMOD) process to control the oxidation state of metal oxide thin film during the photochemical reaction by UV exposure. As a result, the surface oxidation state of FeOx film could be successfully controlled by the electric field-assisted PMOD (EFAPMOD), and the controlled oxidation states were confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) I-V characteristic. And the resistive switching characteristics with the oxidation-state of the surface region could be controlled effectively by adjusting an electric field during EFAPMOD process.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.4 no.3
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• pp.80-88
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• 1995

This paper presents the fabrication of a metal-insulator-metal(MIM) antifuse structure consisting of insulators sandwiched between top electrode, Al, and bottom electrode, TiW and additionally studies on antifuse properties depending on the condition of insulator. The intermetallic insulators, prepared by means of sputter, comprised of silicon oxide and tantalum oxide. In such an antifuse structure, silicon oxide layer is utilized to decrease the leakage current and tantalum oxide layer, of which the dielectric strength is lower than that of silicon oxide, is also utilized to lower the breakdown voltage near 10V. Finally sufficient low leakage current, below 1nA, and low programming voltage, about 9V, could be obtained in antifuse device comprising $Al/Ta_{2}O_{5}(10nm)/SiO_{2}(10nm)/TiW$ structure and OFF resistance of 3$3.65M{\Omega}$ and ON resistance of $7.26{\Omega}$ could be also obtained. This $Ta_{2}O_{5}/SiO_{2}$ based antifuse structures will be promising for highly reliable programmable device.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.275.1-275.1
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• 2016

반전형 폴리머 태양전지는 그 구조에 의하여 훌륭한 안정성을 가질 뿐만 아니라 roll-to-roll 공정을 통한 대량생산이 가능하여 각광받고 있는 구조이다. 이런 반전형 구조에서, 금속 산화물 나노파티클에 의해 만들어지는 금속 산화물 층은 전자수송층으로서 사용된다. 이 연구에서는 표면개질 물질인 PEIE (Polyethyleneimine-ethoxylate)와 화학적으로 기능화된 산화아연/그래핀 핵/껍질 양자점을 이용하여 전기수송층의 역할을 하는 기능화된 산화아연/그래핀 단분자층을 가지는 태양전지를 제작하였다. 이는 기능화된 산화아연/그래핀 단분자층이 표면개질, 광센서, 전기수송층의 역할을 동시에 수행하는 효과로 인해 제작된 태양전지는 향상된 전자 수집능력을 보였다. 단분자층이 잘 형성되어 있는지 확인하기 위하여 집속 이온 빔 장비를 이용하여 태양전지의 내부 구조를 확인하였으며, density functional theory (DFT)을 이용한 모델링을 통하여 기능화된 산화아연/그래핀 양자점의 전자상태밀도를 분석하였다. 기능화된 산화아연 단분자층에 의한 효과적인 계면 제어 및 전하수송에 의해 약 10.3%의 높은 효율을 가지는 반전형 폴리머 태양전지를 제작할 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.55 no.5
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• pp.718-722
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• 2017

We have investigated the photocatalytic activity for the decomposition of methyl orange on the pure $LaCoO_3$ and metal ion doped $LaCoO_3$ perovskite-typeoxides prepared using microwave process. In the case of pure $LaCoO_3$ and cesium ion doped $LaCoO_3$ catalysts, the formation of the perovskite crystalline phase was confirmed regardless of the preparation method. From the results of UV-Vis DRS, the pure $LaCoO_3$ and cesium ion doped $LaCoO_3$ catalysts have the similar absorption spectrum up to visible region. The chemisorbed oxygen plays an important role on the photocatalytic decomposition of methyl orange and the higher the contents of chemisorbed oxygen, the better performance of photocatalyst.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.122.2-122.2
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• 2013

플라즈마 전해산화(plasma electrolytic oxidation) 기술을 이용하여 제작한 산화 피막은 피막의 하층부(기지 금속과 접해 있는 부분)는 ${\alpha}$-phase의 산화물이 대부분을 이루고 있으며, 기지 금속과의 접착성도 뛰어나다. 하지만 피막의 표면이 거칠고, 다공성을 띄는 특징을 보인다. 본 연구에서는 피막의 거칠기와 다공성을 제어하기 위한 방법으로 전해액에 포함된 불순물(Si, P 등) 조성비의 변화에 초점을 맞췄으며, 불순물(Si, P 등)의 조성비를 변화시켜 가면서 실험을 진행하였다. 실험에는 60 Hz, 35 kW(700 V, 50 A)의 power supply가 사용되었다. 또한, 실험의 결과로 제작된 시편의 내전압(10 V/s), 내플라즈마(200 W, 10 min, Ar 5 sccm, 200 mTorr), 내화학성(HCl 36.46 wt%, 120 min) 테스트를 진행하였으며, 실험 결과를 바탕으로 ${\phi}300$ 대면적 시편의 제작도 완료하였다.

• Proceedings of the Safety Management and Science Conference
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• 2012.11a
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• pp.377-383
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• 2012

순수한 우라늄 금속은 칩이나 분말로 존재할 경우 반응면적이 넓어 자연 발화할 정도의 산화력을 지니며 산화열이 높기 때문에 운반 및 처리시 화재의 위험성이 있다. 따라서 이들을 장기보관하거나 영구처분시 안정한 형태의 전환이 우선되어야 한다. 외국의 경우 감손우라늄 폐기물을 자연에서 가장 안전한 상태인 산화우라늄의 형태로 산화 처리 후 영구처분하고 있으며, 이를 위하여 우라늄 칩의 산화거동에 관한 연구가 수행 되었다. 우라늄 칩을 안전하게 보관하려면 불활성 분위기를 형성해 주든가 또는 우라늄 칩의 표면에 부동태층을 형성시켜야 한다. 또는 우라늄 칩을 광유속에 넣어 공기나 물이 우라늄 칩에 접촉되지 않는 방법으로 보관하는 것이 바람직하다.

• Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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• 2002.04b
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• pp.53-53
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• 2002

본 연구에서는 산화텅스텐($WO_3$) 분말을 이용하여 여러 금속 기판에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법에 관한 연구를 수행하였다. 본 연구에서 언급되는 W 코팅은 Lee 등이 보고한 W, Cu 산화물을 이용하여 W-Cu 복합분말을 제조하는 것으로부터 아이디어가 출발되었으며, 본 연구의 결과는 기존의 6불화 텅스텐 가스($WF_6$) 를 열 분해하여 증착시키는 화학증착법(CVD: chemical vapor deposition)과 순수 텅스텐 target을 sputtering하여 증착시키는 물리증착법(PVD: physical vapor deposition)과 달리, 산화텅스텐 분말, 금속 기판, 및 수소 가스만을 사용하기 때문에 경제적으로 큰 장점이 있는 새로운 코팅법의 하나로 연구되었다. 본 연구에서는 새로운 코팅법의 기구와 여러 금속에서 코팅되는 W의 코팅 현상 등에 대해 간단히 언급하고자 하였다.

• Journal of the Korea Organic Resources Recycling Association
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• v.9 no.1
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• pp.127-133
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• 2001

It can be known that from leachate generated in the initial stage of landfill there are a lot of undecomposed orgainc materials, its sulfur component reduces to sulfide ion by sulfur reducing microorgarnisms as an anaerobic digestion proceeds, the sulfide ion makes the leachate discolor to black by forming metal sulfide sol, on condition that much more equivalent of sulfide ion than that of metal ion is present, and the metal sulfide sol can be generated to the precipitates by forming black-colored particulates. Therefore, we can confirm the important possibility for the economic and efficient treatment of leachate that it can be passivated, provided that much more equivalent of sulfide ion is present in the reaction of sulfide ion and metal ion.

• Ceramist
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• v.7 no.6
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• pp.76-81
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• 2004

가동온도가 $800^{\circ}C$ 이하인 평판형 SOFC에서는 기존의 세라믹 분리판 대신에 금속 분리판이 적용될 가능성이 높아지고 있다. 금속 분리판은 가공성 및 경제성 등이 세라믹 분리판 보다 우수하여 SOFC의 실용화를 앞당기는데 크게 기여할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 그러나 금속 분리판의 적용을 위하여서는 아직 해결되어야만 할 문제점들이 남아 있는데, 표면 산화층의 형성에 따른 접촉 저항의 증가와 합금 성분 중의 Cr의 증발에 의한 전극 열화의 문제 등이 대표적인 그것이다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 SOFC용 분리판의 요구특성에 적합한 신합금의 개발과 고기능 표면 코팅 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.144-146
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• 2011

플라스틱 기판 PC 또는 ABS에 플라즈마 처리하여 접촉각을 낮출 수 있었다. Cr, Ag 등의 금속으로 스퍼터링하여 반사도 90% 이상으로 고반사 필름을 플라즈마 처리된 플라스틱에 코팅하였다. 금속질감을 갖는 표면에 컬러 코팅하여 다양한 색상을 구현하였고, 산화물 코팅층의 물성과 천이영역에 대하여 고찰하였다.