• Journal of Korea Foundry Society
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• v.43 no.6
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• pp.330-333
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• 2023

• 월간 기계설비
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• s.288
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• pp.75-80
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• 2014

나사식 가단주철제 관이음쇠는 신한메탈, 영화테크(전신 영화금속) 외 국산 8개사, 중국산 9개사 등 모두 17개사가 공급에 참여하고 있다. 그러나 심한 가격경쟁으로 짝퉁과 중국산 제품이 판치는 시장에서 100% 국내 가공으로 최고의 품질을 자랑하며 고객과 신뢰를 쌓아가기란 여간 어렵지 않다. 나사식 가단주철제 관이음쇠 분야의 명품을 꼽으라면 설비건설업계는 대부분 다이아몬드가 표시된 제품을 집는다. 다이아몬드 표시로 더 알려진 관이음쇠 생산업체인 (주)신한메탈(대표 전진화)은 작년에 영화금속의 나사식 관이음쇠 부문을 인수한 후 경쟁력을 더욱 강화한데 이어 최근에는 엘보, 티 등 스테인리스 조인트 가공시장에 본격 진출하기 위해 생산시설 도입에 박차를 가하고 있다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.24 no.5 s.176
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• pp.1146-1154
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• 2000

Fatigue strength of NiAl and Ni$_3$Al particulate reinforced aluminum alloy composites fabricated by the diecasting method was examined at room and elevated temperatures. The results were compared wit h that of SiC particulate reinforced one. The particulate reinforced composites showed some improvement in the static and fatigue strength at elevated temperatures when compared with that of Al alloy. The composites reinforced by intermetallic compound particles showed good fatigue strengths at elevated temperatures especially $Ni_3AI_{p}/Al$ alloy composite showed good fatigue limit up to high temperature of 30$0^{\circ}C$. Adopting intermetallic compound particle as a reinforcement phase, it will be possible to develop MMC representing better fatigue property at elevated temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.271-271
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• 2015

유기 전자 소자는 높은 유연성을 가지고 있어 차세대 전자소자로 주목을 받고 있다. 이러한 유기 전자소자에 있어서 투명전극은 핵심소재 중의 하나인데, 유연성을 위하여 유연한 투명전극의 개발이 필수적으로 요구되고 있다. 본 연구에서는 마이크로/나노 금속 배선을 활용한 저저항/고투과의 투명전극을 제작하였고, 이러한 금속 배선은 기판에 함몰되어 있음에 따라 높은 평탄도 및 유연성을 가지고 있다. 본 전극은 기존의 ITO 대비 높은 투명전극으로서의 성능을 보이고, 이를 활용하여 유기 발광 다이오드를 제작한 결과 높은 발광 특성을 보임을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.70.2-70.2
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• 2018

플라즈마 전해 산화(Plasma Electrolytic Oxidation)는 일반 애노다이징 보다 더 높은 전류 혹은 전압을 금속(Al, Ti, Mg) 표면에 인가하여 산화피막을 전기화학적으로 형성시키는 금속표면처리 방법 중의 하나이다. 본 연구에서는 phosphate 수용액에서 정전류를 인가하여 NaOH의 농도에 따라 PEO(Plasma Electrolytic Oxidation) 피막 형성을 전압-시간 그래프 및 형성된 표면피막의 구조를 관찰하여 연구하였다. 실험에는 8 g/L의 sodium phosphate이 사용되었으며, 5 g/L ~ 9 g/L의 NaOH를 사용하였다. NaOH의 농도 상관없이 일부 영역에서만 반복적으로 아크가 발생하는 로컬 버닝 현상 없이 미세한 아크가 시표 표면 전체에 발생하였고, NaOH의 농도가 증가할수록 형성된 PEO 피막의 두께는 감소하고, 평균 표면 거칠기는 증가하는 경향을 보인다. 형성된 피막의 구조를 HR-SEM, EDX 등을 이용하여 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.29.2-29.2
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• 2018

플라즈마 전해 산화(Plasma Electrolytic Oxidation)는 일반 애노다이징 보다 더 높은 전류 혹은 전압을 금속(Al, Ti, Mg) 표면에 인가하여 산화피막을 전기화학적으로 형성시키는 금속표면처리 방법 중의 하나이다. 본 연구에서는 phosphate 수용액에서 정전류를 인가하여 NaOH의 농도에 따라 PEO(Plasma Electrolytic Oxidation) 피막 형성을 전압-시간 그래프 및 형성된 표면피막의 구조를 관찰하여 연구하였다. 실험에는 8 g/L의 sodium phosphate이 사용되었으며, 5 g/L ~ 9 g/L의 NaOH를 사용하였다. NaOH의 농도 상관없이 일부 영역에서만 반복적으로 아크가 발생하는 로컬 버닝 현상 없이 미세한 아크가 시표 표면 전체에 발생하였고, NaOH의 농도가 증가할수록 형성된 PEO 피막의 두께는 감소하고, 평균 표면 거칠기는 증가하는 경향을 보인다. 형성된 피막의 구조를 HR-SEM, EDX 등을 이용하여 관찰하였다.

• Journal of Korea Foundry Society
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• v.43 no.1
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• pp.3-10
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• 2023

This study was conducted to develop technology that can detect stomatal defects inside nonferrous metal products that may occur during die casting processes. Through this research, we intend to detect possible pores in the products in advance, block the distribution of defective products, and contribute to reducing possible losses due to damage to distributed products.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.48.1-48.1
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• 2010

Mono-crystalline silicon solar cell is fabricated by using alkali metals. These alkali metal, used in wet etching process, must be removed for the high efficiency solar cell. As wet etching process has been adapted due to its low cost. But lots of alkali metals like potassium remains on the silicon surface and acts as impurities. To remove these alkali metals many of cleaning process have to be applied when solar cell manufacturing process. In terms of alkali metal removal, modified etchant solution is required for concise cleaning process. In this paper ethylenediamine was used and proposed for the substituion of postassium hydroxide.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.243-243
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• 2011

현재 식각이나 증착, 이온주입 등에 반도체 공정에 플라즈마를 이용하고 있다. 이런 반도체 공정용 플라즈마 용기의 경우 플라즈마에 의한 용기의 스퍼터 등에 의해 금속 입자가 생성되어 공정중인 반도체 웨이퍼에 오염을 줄 수 있기 때문에 대부분의 공정용 용기는 아노다이징 알루미늄이나 세라믹 등을 사용한 부도체 용기를 사용하게 된다. 단일탐침법은 플라즈마내 금속 도체를 삽입한 후 바이어스 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 해석하여 측정하는 방법이다. 하지만 플라즈마와 측정 시스템의 공통된 기준전압이 있어야만 측정이 가능하다는 단점을 가지고 있다. 따라서 일반적으로 많이 사용하는 부도체 용기내의 플라즈마는 기존의 단일탐침법으로 측정이 어렵다. 또한 높은 플라즈마 전위를 가지고 있는 플라즈마의 경우 높은 전압에서 전류-전압특성의 측정시스템을 구축하기 매우 어려운 단점을 가지고 있다. 따라서 이런 경우에도 측정이 가능하도록 축전기의 과도현상을 이용하여 탐침이 전기적으로 부유된 단일탐침법을 연구하였다. 이 방법의 타당성 확인을 위하여 금속용기에서 플라즈마를 발생시켜 기존의 단일탐침법과 부유형 단일탐침법을 비교하였다. 기존의 단일탐침법과 비교 결과는 공정조건에 관계없이 상당히 유사하였다. 따라서 이 방법으로 기존 단일탐침법을 사용할 수 없는 높은 플라즈마 전위의 플라즈마나 부도체용기내의 플라즈마의 측정에 사용할 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.33 no.4
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• pp.125-131
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• 2023

Ga₂O₃ thin films were deposited on Ti substrates using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at temperatures ranging from 350 to 500℃. Lower deposition temperatures were chosen to minimize thermal deformation of the Ti substrate and its impact on the Ga₂O₃ film. Film surfaces tended to become rough at temperatures below 500℃ due to three-dimensional growth, but the film formed at 500℃ had the most uniform surface. All deposited films were amorphous in structure. Vertical Schottky diodes were fabricated and I-V and C-V measurements were performed. I-V measurements showed higher operating voltages compared to a typical SBD for films grown at different temperatures. The sample grown at 500℃, which had the most uniform surface, exhibited the lowest operating voltage. Higher growth temperatures resulted in higher capacitance values according to C-V measurements.