Silicon carbide (SiC)-based gas sensors can be operated at very high temperatures. So far, catalytic metal-schottky diodes respond fast to a change between a reducing and an oxidizing atmosphere. Therefore SiC diodes have been suggested for high temperature gas sensor applications. In this work, the effect of reactivity of the catalytic surface on the 4H-SiC sensor-structures in 375 K~775 K have been studied and some fundamental simulations have also been performed.
LaMnO$_3$에 Ca을 치환한 Mn계 perovskite 구조(ABO3)의 물질에서 초거대자기저항 현상이 발견된 이후 R$_{1-x}$$^{3+}$ A$_{x}$$^{2+}$MnO$_3$(R=La, Nd, Pr: 희토류금속, A=Ca, Sr, Ba, Cd, Pb; 2가 양이온)계의 Mn 산화물의 연구가 고감도 자기 저항 센서와 자기기록 등의 활용가능성을 중심으로 활발히 진행되고 있다. 자기적 특성이 뛰어난 초거대자기저항물질에 대한 미시적인 자성에 대한 연구는 그 메커니즘이 복잡하고 다양한 접근방식에 따른다. (중략)
In order to detect the partial discharge with the metallic particle in GIS, AE sensor was designed and simulated by ANSYS, and manufactured as the coupled vibration mode. The resonant frequency of three Coupled AE sensors were as follows ; 147.88 kHz in 8.1 mm$\Phi$$\times$ 8.1mm, 128.82 kHz in 9.5 mm$\Phi$$\times$ 9.5mm, 85.22 kHz in 14.3mm$\Phi$$\times$14.3mm. That frequency is λ/2 resonant frequency. AE sensor of 9.5mm$\Phi$$\times$9.5mm responded higher than the other coupled vibration mode AE sensor at the partial discharge detection in GIS.
$TiO_2$ films are fabricated using silk printing method. Heat treatment temperature of films is 600[$^{\circ}C$]. From the analysis of microstructure, grain size of $TiO_2$ films is about $0.2{\sim}0.3[{\mu}m]$. Thickness of films is 30.19[${\mu}m$] and surface uniformity of films is good. From the analysis of crystalline structure, $TiO_2$ films transform anatase phase to rutile phase. Capacitance of films increases according to increase relative humidity and decrease measuring frequency. Hysteresis characteristics of capacitance and impedance are best at 45[%RH] and 75[%RH] respectively. Impedance of films increases according to decrease measuring frequency.
This paper presents the characteristics of metal thin-film pressure sensors. The micro pressure sensors consists of a chrom thin-film, patterned on a Wheatstone bridge configuration, sputter-deposited onto thermally oxidized Si wafer an aluminium interconnection layer. The fabricated micro pressure sensors shows a low temperature coefficient of resistance, high-sensitivity, low non-linearity and excellent temperature stability. The sensitivity is 1.16~1.21 mV/V.kgf/$\textrm{cm}^2$ in the temperature range of 25~l0$0^{\circ}C$ and the maximum non-linearity is 0.21 %FS.
This paper describes on the fabrication and characteristics of a metal thin-film pressure sensor based on Cr strain-gauges for harsh environment applications. The Cr thin-film strain-gauges are sputter-deposited onto a micromachined Si diaphragms with buried cavity for overpressure protectors. The proposed device takes advantages of the good mechanical properties of single-crystalline Si as diaphragms fabricated by SDB and electrochemical etch-stop technology, and in order to extend the operating temperature range, it incorporates relatively the high resistance, stability and gauge factor of Cr thin-films. The fabricated pressure sensor presents a low temperature coefficient of resistance, high-sensitivity, low non-linearity and excellent temperature stability. The sensitivity is 1.097~1.21 $mV/V{\cdot}kgf/cm^2$ in the temperature range of $25{\sim}200^{\circ}C$ and the maximum non-linearity is 0.43 %FS.
This research, integratable capacitive relative humidity sensor was produced using polyimide on glass substrate. Also, at the time of upper electrode formation, upper electrode grain size was affected by giving changes to sputtering condition. Through this analyzing electrical characteristics affect from capacitive relative humidity sensor was possible. Capacitance of capacitive relative humidity sensor was 330 pF, linearity of 0.6%FS and it showed less than 3% of low hysterisis. Specially, hysterisis was affected more from interface than interstitial. Also was affected by the grain size which is one of the formation condition of upper electrode.
신소재의 보편적인 정의는 "재료의 원료를 새로 개발하거나, 종래의 원료에 개선된 제조기술 또는 응용기술을 적용시켜 종래에 없던 우수한 특성, 기능을 갖게 하는 소재"라고 한다. 즉, 고 부가 가치의 금속, 세라믹스, 폴리머, 복합재료를 총칭하여 신소재 또는 첨단소재(advanced materials) 라고 하며, 산업기기의 중요한 기능소재로서 기계공업의 발전에 필수적이다. 1970년대부터 1980 년대 초반에 걸쳐 본격적으로 시작된 세라믹스에 관한 연구는 제조 및 사용분야 전반에 걸쳐 기술혁신을 가져왔다. 그후 천연 광석분말만이 아니라 새로운 화학적 방법으로 제조된 분말을 사용하여 창출된 재료라는 뜻으로 "뉴(new)세라믹스"라고 불려지거나, 개선된 제조기술을 통하여 재료의 섬세한 미세조직을 얻음으로 우수한 특성을 갖는 재료라는 뜻으로 "파인(fine)세라믹스" 등의 이름이 붙여지게 되었다. 이제 센서용 소재는 물론이고, 가위, 손목시계 케이스, 바이오 세라믹스 등에 이르기까지 10년 전보다 훨씬 다양하게 세라믹스를 사용한 물체를 발견할 수 있다. 이들 세라믹스 중 기계적, 또는 열 응력을 받는 구조물에 적용되는 것을 구조 세라믹 스(structural ceramics)라고 한다. 이 글에서는 차세대 자동차 및 항공기에까지 적용이 시도되고 있는 이들 구조세라믹스를 대상으로 하여 일반적으로 제조법, 응용분야, 연구동향 및 전망을 정리하고자 한다.조법, 응용분야, 연구동향 및 전망을 정리하고자 한다.
엑사이머 레이저는 Ar, Kr, Xe등의 희귀가스와 F, Cl과 같은 할로겐족 가스를 혼합하여 방전여기에 의해 발진되는 157-350mm 파장대에 자외선 레이저이다. UV레이저를 이용하면 종래의 기계 가공 공정으로 실현할 수 없는 극소형 및 초정밀의 기계구조, 센서 또는 액츄에이터를 비접촉식으로 할 수 있고 가공시 열손상이 거의 없다. 최근 제품의 소형화 및 박막화 추세에 따른 미세가공 기술의 급속한 발전을 살펴보면, Uv레이저를 이용한 실리콘 표면의 도핑(dopping)에 관한 연구, 미소전자 패키징에 레이저를 이용하는 방법뿐만 아니라, 레이저 유도에 의한 금속과 혼합물의 물질전달 현상을 활용한 마이크로 패터닝에 관한 연구도 진행되고 있다. 본 글에서는 여러가지 응용분야 중 레이저 어블레이션, 레이저유도화학에칭, 레이저 PVD등에 대하여 기술한다.
Sn과 Zn 금속을 이용해 각각 산소와 아르곤 가스를 주입한 대기압 분위기에서 열처리를 통해 $SnO_2$와 ZnO 나노박막을 형성시켰다. 나노구조로 형성된 $SnO_2$ 박막의 경우 CO 가스(5,000 ppm)에 대해 $200^{\circ}C$의 동작온도에서 약 50 %의 감도를 나타내었으며, $SnO_2$ 나노 금속산화물에 Pt 금속을 이온 코팅법에 의해 첨가한 박막의 경우에는 동작온도 $150^{\circ}C$에서 73 %의 높은 감도를 얻을 수 있었다. 순수 ZnO 나노 박막의 경우 NOx(20 ppm) 가스에 대해 낮은 감도를 나타내었으나, Cu를 이온 코팅법에 의해 첨가한 박막의 경우에는 동작온도 $200^{\circ}C$에서 90 %의 높은 감도를 나타내었다. 나노 구조가 아닌 $SnO_2$와 ZnO 박막이 가지는 CO와 NOx에 대한 가스 감도에 비해 매우 높은 감도를 가짐을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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