• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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• pp.171-174
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• 2000

금속간 접촉에서의 Passive IMD는 Contact의 비선형 요인에 의해 발생된다고 알려져 있다. 금속접촉을 이루는 RF Conntctor의 PIMD 측정은 측정환경의 변화로 인해 재현성 있는 측정이 어렵다. 본 논문에서는 접촉력, 온도 및 습도로 인한 접촉조건의 변화에 의해 발생하는 PIMD 특성을 연구하고자 4 종류의 도금 재질을 갖는 어댑터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댑터의 PIMD 측정결과. PIMD 수준이 주로 접촉력 및 온도에 영향을 받으며, 측정환경의 명확한 규정이 PIMD의 측정 및 제어에 필수적임을 확인하였다.

• Tribology and Lubricants
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• 제10권2호
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• pp.1-4
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• 1994

금속과 금속이 접합할 때 발생하는 고유 저항값은 접촉소재의 종류, 접촉면의 상태, 접촉조건(하중, 온도, 정적 또는 동적인 접촉 등), 주변환경에 따라서 변한다. 소재가 접촉할 때 발생되는 저항값의 변화특성을 적극적으로 이용한 것이 전기 저항법(Electrical Contact Resistance Method)이다. 접촉 저항법의 특징은 접촉시 발생되는 저항값이 미세하게 변화한다 할지라도 모두 계측이 가능하다는 점이다. 그동안의 연구는 ㅈ로 단일 접촉점(Single Contact Spots) 위주의 단편적인 실험적 연구를 통하여 접촉 저항법에 대한 신뢰도 확보에 노력하였으나, 최근에는 접촉점이 인접한 다른 접촉부위에 미치는 영향, 즉 다수 접촉점군(Multiple Contact Spots and Clusters)의 거동해석에 더욱 큰 연구 비중을 두고 있다. 접촉점군 상호간의 영향에 관한 연구가 많이 진행되기는 하였지만 해석모델의 적절성 여부가 실험적 데이타를 통하여 확인이 아직 안되었기 때문에 기존의 접촉저항 추정식을 직접 사용하기가 어려웠으나 최근에 볼군-원판 모델에 대한 접촉점과 다수의 접촉점군 상호간에 발생될 수 있는 접촉저항 특성을 실험적으로 해석하여 보다 정확한 해석모델이 제시되었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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• pp.251-255
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• 2003

탄화규소 반도체에 대한 오옴성 금속 접촉 성질을 조사하기 위해 3종류의 금속 (Ni, Co, Cu)을 세척한 탄화규소 반도체 위에 직접 증착하여 전기적 성질을 조사 비교하였다. 이들 금속에 대한 오옴성 성질은 금속종류 뿐만 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2-step 방법으로 시행하였다. 접합비 저항은 TLM 구조를 만들었으며 면저항$(R_s)$, 접촉저항$(R_c)$, 이동거리$(L_T)$, 패드간거리(d), 저항$(R_T)$ 값을 구하면 접합비저항$(\rho_c)$ 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 추정하였다. 가장 양호한 결과는 Cu 금속에 의한 접촉 결과이었으며 접합비저항$(\rho_c)$은 $1.2\times10^{-6}{\Omega}cm^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 열처리는 진공보다 환원분위기에서 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.96-98
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• 1999

유기전계발광소자(OELD)의 성능 향상을 위한 많은 연구가 진행되고 있지만 아직까지 금속전극과 유기발 광층 사이의 접촉저항(Contact Resistance)에 관한 연구는 거의 보고되지 않고 있다. Ohmic 접합에서 접촉 저항은 효율적이고 신뢰성 있는 소자제작에 있어서 간과되어서는 안될 매우 중요한 부분이다. 본 연구에서는 금속전극과 유기발광충 사이의 접촉저항에 관해서 논의하고자 한다. 본 연구에서 제작된 샘플은 금속전극으로 Ag, 유기발광재료로서 Alq$_3$를 사용하였으며, Alq3의 두께를 100 $\AA$에서 500 $\AA$까지 각각 다르게 하여 서로 다른 두께의 유기발광층을 가지는 샘플을 제작하였다. 금속전극의 매트릭스 구조에 의해 형성된 적선의 크기는 3 mm x 2 mm이며, 제작된 샘플의 접촉비저항은 TLM(Transmission Line Measurement) 방법을 이용하여 구하였다. Planar한 TLM model로부터 새로운 vertical model을 유추하였으며, 이를 근거로 접촉저항 및 transfer length 등을 계산하였다. 상온에서 측정된 전체 저항값은 유기발광층의 두께가 증가함 에 따라 증가하는 경향을 나타냈으며, 이 때 계산된 접촉비저항은 1.49$\times$$10^1$ $\Omega$-$\textrm{cm}^2$ 이다. 접촉저항은 전극 사이의 거리의 증가에 따라 증가하지만, 측정시간의 thermal budget의 영향으로 상대적으로 전체저항이 감 소하였으나, 저항감소분의 포화에 따라서, 거리에 비례하여 다시 저항이 증가하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권4호
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• pp.29-33
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• 2003

n-형 탄화규소 반도체에 대한 구리금속을 이용하여 오옴성 접촉 구조를 제작하였다. 제작된 구리접촉에 대해 후속열처리 조건과 금속접촉 구조에 따른 재료적, 전기적 성질의 변화를 조사하였다. 금속접촉의 오옴성 성질은 금속박막의 구조 뿐 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2단계 열처리방식을 통하여 시행하였다. 접촉비저항의 측정을 위해 TLM 구조를 만들었으며 면저항 ($R_{s}$), 접합저항 ($R_{c}$), 이동거리 ($L_{T}$), 패드간거리 (d), 전체저항 ($R_{T}$) 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 접촉비저항 ($p_{c}$) 값을 추정하였다. 진공보다 환원분위기에서 후속 열처리를 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다. 가장 양호한 결과는 Cu/Si/Cu 구조를 가진 금속접촉 결과이었으며 접촉비저항 ($p_{c}$)은 $1.2\times 10^{-6} \Omega \textrm{cm}^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 재료적 성질은 XRD를 이용하여 분석하였고 SiC 계면 상에 구리와 실리콘이 결합한 구리 실리사이드가 형성됨을 알 수 있었다.

• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 1986년도 제4회 학술강연회초록집
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• pp.29-41
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• 1986

마찰계수는 서로 접촉하여 운동하는 두 물체간의 특성으로 간주되며 일반적으로 상대속도나 작용하중에 별로 영향을 받지 않는 것으로 알려져 있다. 화학적으로나 물리적으로 오염되지 않은 깨끗한 금속간의 마찰실험의 경우, 이 실험이 불활성 가스나 진공내에서 행해질 경우 상당히 큰 마찰저항을 경험하게 되나, 공기중에서의 실험에서는 작은 마찰저항이 기록되어 산화막이나 다른 오염물에 의해 형성된 막이 마찰저항을 감소시킨다고 보고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.536-536
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• 2012

나노와이어는 센서, 메모리소자, 태양전지등과 같은 다양한 소자로 응용이 되고 있다. Bottom-up 방법으로 길러진 나노와이어들을 금속전극 위에 정렬 및 접합시킬 때, 나노와이어와 금속전극간의 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 열압착 공정과 솔더전극(Cr/Au/In/Au, Cr/Cu/In/Au)을 사용함으로써, 나노와이어를 금속전극에 압입시켜 강한 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성을 얻을 수 있는 공정을 제안하였다. 나노와이어와 금속 전극간의 접합부 분석을 위해 scanning electron microscopy (SEM)와 transmission electron microscopy (TEM)을 이용하였으며, 기계적 특성은 lateral force microscopy (LFM), 전기적 특성은 semiconductor analyzer (Keithley 4200-SCS)를 사용하여 측정하였다. 접합강도 측정결과 lateral force가 나노와이어에 가해질 때 나노와이어가 파괴되는 힘에서도 나노와이어와 금속전극간의 접합부파괴가 일어나지 않았다. 또한 나노와이어와 금속전극간의 전기적 접촉특성은 안정적인 ohmic contact을 이루었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권12호
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• pp.1138-1145
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• 1998

Ni계 경면합금인 Deloro 50의 마모거동을 15ksi와 30ksi 접촉응력하의 여러 마모조건에서 조사하였다. 상온대기중에서 Deloro 50는 15ksi 응력에서도 극심한 응착마모가 발생하는 매우 낮은 마모저항성을 보였는데 이는 fcc 결정구조를 갖는 Deloro 50 기지상의 경도와 가공경화율이 strain-induced 상변태를 이웅한 hcp 결정구조의 Stellite 6보다 낮기 때문으로 생각된다. 상온 수중에서 Deloro 50는 15ksi 응력에서 Stellite 6와 비슷한 마모저항성을 보였는데 이는 물이 미세요철간의 금속간 접촉을 억제하였기 때문으로 생각된다. 그러나, 30ksi의 높은 접촉응력에서는 상온 대기중길 같은 응착마모가 발생하는 것으로 보아, 30ksi의 높은 응력에서는 물의 응착마모 억제 효과가 없었기 때문으로 생각된다. $300^{\circ}C$ 대기중에서 Deloro 50는 30ksi의 높은 접촉응력에서도 Stellite 6보다 우수한 마모저항성을 보였는데 이는 고온에서 마모시 생성되는 복합산화물층이 효과적으로 금속간 접촉을 방해하여 응착마모를 억제하였기 때문으로 생각된다.

• 대한치과보철학회지
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• 제61권3호
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• pp.198-203
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• 2023

목적. 이 연구의 목적은 건강한 치열에서 치실 방법을 사용하여 인접면 접촉을 비교하고, 이를 셀룰로이드 스트립 방법, 금속 스트립 방법과 비교하여, 공간측정에 가장 효과적인 방법을 알아보는 것이다. 재료 및 방법. 건강한 자연치열을 가진 성인 20명(남자 10명, 여자 10명)을 피실험자로 선정하였다. 임상경험 5년 이상의 치과의사 1인이 치실 방법, 셀룰로이드 스트립 방법, 금속 스트립 방법을 이용하여 인접면 접촉을 평가하였다. 치실 방법으로 수집된 자료는 Mann-Whitney U test를 사용하여 95% 신뢰수준 하에서 R 프로그램을 이용하여 분석하였다. 그리고 치실을 이용한 인접면 접촉 평가에 셀룰로이드 스트립과 금속 스트립을 사용한 인접면 접촉의 평가를 비교하였다. 결과. 건강한 치열에서 약 80%에서만 적절한 접촉강도를 유지하고 있었으며, 전치부보다 구치부가 더 적절하게 유지하고 있었다(P < .05). 성별에 따른 접촉강도는 전치부에서는 남성이, 구치부에서는 여성이 적절한 접촉을 하는 것으로 나타났다(P < .05). 일치성 척도인 카파 지수(Kappa index)를 이용하여 치실에서 얻은 결과에 대한 셀룰로이드 스트립과 금속 스트립 실험 결과 간의 일치성을 분석한 결과, 셀룰로이드 스트립을 사용하는 것이 금속 스트립을 사용하는 것보다 더 유리한 것으로 나타났다. 결론. 건강한 치열에서 약 80%에서만 적절한 접촉강도를 유지하고 있었으며, 인접면 접촉의 평가에서 다양한 두께의 셀룰로이드 스트립을 사용한다면 보다 정확한 공간 측정의 가능성이 있을 것으로 생각된다.

• Tribology and Lubricants
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• 제5권2호
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• pp.32-41
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• 1989

기계 공작의 목적은 금속을 필요에 따라 새로운 형태로 가공하려는 것이다. 보통 이 과정은 공구와 가공물의 두 고체간 접촉에 의해서 이루어지게 된다. 이때 상호접촉은 금속의 소성유동이나 필요 없는 부분을 제거(절삭 가공)하도록 하므로써 새로운 형태로 만드는 과정을 의미한다. 새로운 모양을 만드는데는 높은 마찰과 높은 온도 및 공구의 마모를 동시에 수반한다. 따라서 기계공작유는 이러한 작업 과정의 효과적인 수행과 전반적인 능률에 영향을 미치게 된다. 소성 가공과정에서는 금속의 연성에 의해서 재료가 파괴됨 없이 가공물을 변형 하므로써 모양을 변화 시킨다. 여기에는 연속 과정과 불연속 상태 과정으로 구분되고 그에 따라 윤활의 목적이 다르게 된다. 기계 공작유에 관한 참고 서적은 많이 있으나, 공작유 첨가제의 화학작용과 그 기능에 관한 것은 거의 없고, 부분적인 논문은 많이 있으나 정리된 것은 많지 않아서 이 모든 자료에 의해 가공융의 첨가제에 관련된 화학 작용등 중요 사항을 구체적으로 살펴 보기로 한다.